- •А.Н. Игнатов
- •Полевые транзисторы
- •И их применение
- •В технике связи
- •Монография
- •Предисловие
- •1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •1.1. Классификация пт
- •1.2. Терминология и обозначения в системе параметров пт
- •1.3. Типы, характеристики и свойства пт
- •1.3.1. Общие сведения
- •1.3.2. Типы полевых транзисторов
- •1.3.3. Статические характеристики
- •1.3.4. Механизмы пробоя пт
- •1.3.5. Радиационная стойкость пт
- •1.3.6. Светочувствительность пт
- •1.3.7. Влияние температуры на характеристики пт
- •1.4. Модели пт и анализ эквивалентных схем пт
- •1.4.1. Общие сведения
- •1.4.2. Параметры пт на низких частотах
- •1.4.3. Параметры пт на высоких частотах
- •1.5. Основные режимы работы пт
- •1.6. Способы аппроксимации характеристик передачи пт
- •1.7. Особенности технологии и технико-экономические показатели производства пт
- •1.8. Перспективные области использования пт в технике связи
- •1.8.1. Общие сведения
- •1.8.2. Использование пт в качестве управляемых сопротивлений
- •1.8.3. Использование пт в ключевом режиме
- •1.8.4. Использование пт в режиме усиления
- •1.8.5. Использование пт в режиме с прямыми токами затвора
- •1.8.6. Использование пт в режиме пробоя
- •1.8.7. Использование пт в оптоэлектронных приборах
- •1.8.8. Использование пт в интегральных схемах
- •2.2. Регулировка коэффициента передачи изменением крутизны полевого транзистора в пологой области
- •2.3. Регулировка коэффициента передачи изменением проводимости канала в крутой области
- •2.4. Взаимосвязь параметров полевых транзисторов
- •2.5. Диапазон регулирования крутизны проводимости пт
- •2.6. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в пологой области характеристик
- •2.7. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в крутой области характеристик
- •2.8. Способы улучшения качественных показателей регуляторов усиления на пт
- •2.9. Методика расчета и исследование регуляторов усиления на пт
- •2.10. Динамические характеристики регуляторов на пт
- •2.11.2 .Применение пт в регуляторах тембра
- •2.11.3. Портативный приемник с высокоэффективной ару на пт
- •2.11.4. Экспандер на полевом транзисторе
- •2.11.5. Расчет авторегулятора уровня на пт
- •2.11.6. Усилитель с электронной регулировкой коэффициента передачи с помощью пт
- •2.11.7. Автогенератор с чм на пт
- •2.11.8. Диапазонный генератор с ам, широкополосный чм и электронной перестройкой частоты
- •3. Свойства и применение пт в ключевом режиме
- •3.1. Особенности работы пт в ключевых схемах аналоговых сигналов
- •3.2. Особенности работы пт в ключевых схемах дискретных сигналов
- •3.3. Параметры в ключевом режиме
- •3.4. Принципы построения ключевых схем на пт и особенности их расчета
- •3.5. Схемы управления ключами на пт
- •З.6. Показатели качества ключей на пт
- •3.7. Сравнение ключевых свойств полупроводниковых элементов
- •3.8.2. Применение пт в коммутаторе для центральной
- •3.8.3. Коммутатор на пт для системы передачи телеметрической информации
- •3.8.4. Некоторые применения ключевого режима работы пт в устройствах связи
- •3.8.5. Применение пт в устройстве автоматического контроля параметров радиовещательного тракта и автоматического перехода на резерв
- •4. Анализ свойств и возможностей применения пт в режиме усиления
- •4.1. Анализ нелинейных свойств пт
- •4.2. Оценка нелинейности характеристик передачи отечественных пт
- •4.3. Источники шумов пт
- •4.4. Определение шумовых параметров пт
- •4.5. Сравнение активных компонентов по уровню собственных шумов
- •4.6. Оптимизация параметров усилительных каскадов на пт
- •4.7.2. Применение пт в малошумящих усилителях
- •4.7.3. Применение пт в активных фильтрах
- •4.7.4. Каскады радиоприемников на пт в режиме усиления
- •5.2. Теория затворного детектора
- •5.3. Методика расчета затворного детектора
- •Исходные данные для расчета детектора
- •Порядок расчета
- •5.4. Анализ свойств пт в комбинированном режиме
- •5.5. Методика расчета каскада с пт в комбинированном режиме
- •5.6. Способы использования пт в комбинированном режиме
- •5.7. Практические схемы устройств техники связи с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •5.7.1. Преобразователи длительности импульсов на пт
- •5.7.2. Электронное реле времени пригодное для интегрального исполнения
- •5.7.3. Устройство селективного вызова
- •5.7.4. Приемник многочастотного селективного вызова
- •5.7.5. Устройство контроля нескольких параметров по двум проводам
- •5.7.6. Вольтметры с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •6. Полевые транзисторы для силовой электроники
- •6.1. Мощные полевые транзисторы
- •6.2 Транзисторы со статической индукцией
- •6.3. Мощные мдп-транзисторы с вертикальными каналами
- •6.4. Гибридные силовые транзисторы
- •6.5. Применение силовых полевых транзисторов
- •6.6.1. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •6.6.2. Усилители мощности на силовых транзисторах
- •7. Наноэлектронные транзисторы
- •7.1. Введение
- •7.2. Нанотранзисторы на основе структур хранения на сапфире
- •7.3. Нанотранзисторы с гетеропереходами
- •7.4. Нанотранзисторы с резонансным туннелированием
- •7.5. Нанотранзисторы на основе нанотрубок
- •Список литературы
2.11.8. Диапазонный генератор с ам, широкополосный чм и электронной перестройкой частоты
Во многих областях техники связи возникает необходимость в малогабаритном, экономичном, перестраиваемом в диапазоне 20 Гц – 200 кГц генераторе, позволяющим осуществить частотную и амплитудную модуляцию. Этим требованиям, возможно, удовлетворял бы выпускаемый отечественной промышленностью генератор Г3-36, но возможности электронной перестройки частоты и осуществления АМ и ЧМ в нем не предусмотрены. Основная сложность в разработке генератора рассматриваемого типа заключается в сложности построения схемы электронной перестройки частоты и ЧМ, способной работать в широком диапазоне частот. Решить эту проблему можно путем выполнения электронной перестройки частоты и осуществления частотной модуляции двумя полевыми транзисторами, используемыми в качестве управляемых сопротивлений в полосовой фазирующей цепи RC генератора, а осуществления амплитудной модуляции – третьим ПТ, также используемым в качестве управляемого сопротивления. Последний ПТ дополнительно используется для подавления паразитной АМ при осуществлении ЧМ.
Структурная схема генератора и принципиальная схема блоков ЧМ и АМ приведены на рисунке 2.46.
С помощью блока ЧМ осуществляется электронная перестройка частоты в декадных поддиапазонах и производится ЧМ. Блок АМ обеспечивает амплитудную модуляцию с глубиной порядка 30% и подавляет паразитную АМ при работе с ЧМ.
Предусмотрено три рода работы генератора: с ЧМ, с АМ и с качающейся частотой. Род работы устанавливается переключателем S1. В положениях АМ и ЧМ на входы модулирующих блоков подаются напряжения от усилителя низкой частоты или вспомогательного генератора с частотой 1 кГц.
В рассматриваемом генераторе применена полосовая фазирующая цепь, образованная конденсаторами С4 и С5, и сопротивлениями каналов ПТ VТ1 и VТ2,частота генерации генератора с полосовой фазирующей цепью определяется известным выражением:
,
(2.106)
где R – сопротивление элементов фазирующей цепи, в основном определяемое сопротивлениями каналов ПТ VТ1 и VТ2.
C = C4 = C5 – емкость элементов фазирующей цепи, коэффициент, учитывающий конечную величину входного сопротивления усилителя RВХ.
Из выражения
(2.106) следует, что в фазирующей цепи
целесообразно применить элементы,
имеющие линейную зависимость
от управляющего напряжения. Этому
требованию удовлетворяют ПТ простой
конструкции, имеющие зависимость
в крутой области характеристик,
описываемую выражением (2.22). Подставляя
(2.22) в (2.106), получим выражение для расчета
модуляционной характеристики генератора:
.
(2.107)
Таким образом, частота генераций является линейной функцией напряжения затвор-исток, тангенс угла наклона которой равен
.
(2.108)
Для ориентировочных расчетов, учтя взаимосвязь параметров ПТ рассмотренную в п. 2.4 при построении статической модуляционной характеристики G0 можно считать равным S0. Значения S0 приводятся в паспортных данных транзисторов.
Каналы ПТ VТ1 и VТ2 зашунтированы цепочками, состоящими из двух последовательно соединенных резисторов. Резисторы R7 и R8 образуют сдвоенный потенциометр и служат для калибровки частоты, производимой с помощью блока контроля. Резисторы R6 и R9 представляют собой термозависимые сопротивления и предназначены для повышения температурной стабильности частоты; для этой же цели использован термистор R11. Для повышения стабильности частоты подача постоянного управляющего напряжения осуществляется с помощью потенциометра R10 от стабилизатора напряжения, состоящего из стабилитрона VD1 и резистора R12. Хотя стабилизатор включен последовательно с полевым транзистором VТ2, он практически не вносит частотной нестабильности, вследствие малого сопротивления стабилитрона переменному току. Такое включение стабилитрона вызвано необходимостью питать всю схему генератора от источника одной полярности. Управляющее напряжение поступает на исток VТ1 через канал VТ2. Подача постоянного управляющего напряжения на затвор осуществляется через резистор R4, предохраняющий выводы источников модулирующих частот от шунтирования. Переменные управляющие напряжения подаются на затворы ПТ через разделительный конденсатор С3. Кроме упомянутых элементов в цепях затворов VТ1 и VТ2 используются высокоомные резисторы R1, R2, R3, R5 и конденсаторы С1 и С2, с помощью которых часть напряжения генерируемой частоты с каналов ПТ подается на их затворы для линеаризации стоковых характеристик. Последнее, также как и выбор транзисторов с высокими напряжениями запирания, позволяет улучшить форму генерируемых колебаний.
При осуществлении широкополосной ЧМ возникает паразитная АМ с глубиной, пропорциональной девиации частоты. В схеме предусмотрено устройство для подавления паразитной амплитудной модуляции, выполненное на ПТ VТ3. При осуществлении ЧМ моделирующее напряжение через разделительную емкость С9, с помощью потенциометра R14 дополнительно подается на затвор VТ3. Образованный сопротивлением канала VТ3 и входным сопротивлением усилителя мощности аттенюатор позволяет поддерживать практически постоянный уровень сигнала на входе, при ЧМ, что происходит благодаря синфазному изменению огибающей ЧМ колебания и сопротивления канала VТ3. Для уменьшения нелинейных искажений, вносимых транзистором VТ3 , используются высокоомные резисторы R15 и R16. Рабочая точка VТ3 устанавливается с помощью потенциометра R14.
При осуществлении АМ модулирующее напряжение поступает только на вход блока АМ. Сопротивление канала VТ3 изменяется в такт, с приложенным модулирующим напряжением и, следовательно, изменяется амплитуда напряжений несущей частоты, на входе усилителя мощности.
Качание частоты производиться путем подачи пилообразного напряжения на вход блока ЧМ.
Таким образом, применение ПТ позволяет создать схему генератора с электронной перестройкой частоты в декадных поддиапазонах, обладающую простотой, экономичностью и малым весом, осуществить ЧМ и подавить паразитную АМ, осуществить АМ, использовать схему в качестве генератора качающейся частоты.
Полная принципиальная схема генератора с АМ, ЧМ и электронной перестройкой частоты на ПТ приведена ниже.
Разработанный генератор имеет следующие технические данные.
Диапазон частот 20 Гц – 200 кГц.
Выходная мощность 1 Вт.
Диапазон рабочих температур 0°С – 40°С.
Коэффициент нелинейных искажений ≤ 5 %.
Относительная нестабильность частоты ≤ 2 %.
Требуемый диапазон частот перекрывается четырьмя поддиапазонами. Переход с одного поддиапазона на другой, производиться изменением емкостей конденсаторов фазирующей цепи (С4 и С5 на рисунке 2.46). Экспериментальная зависимость частоты от управляющего напряжения для верхнего поддиапазона приведена на рисунке 2.47.
Рис. 2.47. Модуляционная характеристика генератора
