- •А.Н. Игнатов
- •Полевые транзисторы
- •И их применение
- •В технике связи
- •Монография
- •Предисловие
- •1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •1.1. Классификация пт
- •1.2. Терминология и обозначения в системе параметров пт
- •1.3. Типы, характеристики и свойства пт
- •1.3.1. Общие сведения
- •1.3.2. Типы полевых транзисторов
- •1.3.3. Статические характеристики
- •1.3.4. Механизмы пробоя пт
- •1.3.5. Радиационная стойкость пт
- •1.3.6. Светочувствительность пт
- •1.3.7. Влияние температуры на характеристики пт
- •1.4. Модели пт и анализ эквивалентных схем пт
- •1.4.1. Общие сведения
- •1.4.2. Параметры пт на низких частотах
- •1.4.3. Параметры пт на высоких частотах
- •1.5. Основные режимы работы пт
- •1.6. Способы аппроксимации характеристик передачи пт
- •1.7. Особенности технологии и технико-экономические показатели производства пт
- •1.8. Перспективные области использования пт в технике связи
- •1.8.1. Общие сведения
- •1.8.2. Использование пт в качестве управляемых сопротивлений
- •1.8.3. Использование пт в ключевом режиме
- •1.8.4. Использование пт в режиме усиления
- •1.8.5. Использование пт в режиме с прямыми токами затвора
- •1.8.6. Использование пт в режиме пробоя
- •1.8.7. Использование пт в оптоэлектронных приборах
- •1.8.8. Использование пт в интегральных схемах
- •2.2. Регулировка коэффициента передачи изменением крутизны полевого транзистора в пологой области
- •2.3. Регулировка коэффициента передачи изменением проводимости канала в крутой области
- •2.4. Взаимосвязь параметров полевых транзисторов
- •2.5. Диапазон регулирования крутизны проводимости пт
- •2.6. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в пологой области характеристик
- •2.7. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в крутой области характеристик
- •2.8. Способы улучшения качественных показателей регуляторов усиления на пт
- •2.9. Методика расчета и исследование регуляторов усиления на пт
- •2.10. Динамические характеристики регуляторов на пт
- •2.11.2 .Применение пт в регуляторах тембра
- •2.11.3. Портативный приемник с высокоэффективной ару на пт
- •2.11.4. Экспандер на полевом транзисторе
- •2.11.5. Расчет авторегулятора уровня на пт
- •2.11.6. Усилитель с электронной регулировкой коэффициента передачи с помощью пт
- •2.11.7. Автогенератор с чм на пт
- •2.11.8. Диапазонный генератор с ам, широкополосный чм и электронной перестройкой частоты
- •3. Свойства и применение пт в ключевом режиме
- •3.1. Особенности работы пт в ключевых схемах аналоговых сигналов
- •3.2. Особенности работы пт в ключевых схемах дискретных сигналов
- •3.3. Параметры в ключевом режиме
- •3.4. Принципы построения ключевых схем на пт и особенности их расчета
- •3.5. Схемы управления ключами на пт
- •З.6. Показатели качества ключей на пт
- •3.7. Сравнение ключевых свойств полупроводниковых элементов
- •3.8.2. Применение пт в коммутаторе для центральной
- •3.8.3. Коммутатор на пт для системы передачи телеметрической информации
- •3.8.4. Некоторые применения ключевого режима работы пт в устройствах связи
- •3.8.5. Применение пт в устройстве автоматического контроля параметров радиовещательного тракта и автоматического перехода на резерв
- •4. Анализ свойств и возможностей применения пт в режиме усиления
- •4.1. Анализ нелинейных свойств пт
- •4.2. Оценка нелинейности характеристик передачи отечественных пт
- •4.3. Источники шумов пт
- •4.4. Определение шумовых параметров пт
- •4.5. Сравнение активных компонентов по уровню собственных шумов
- •4.6. Оптимизация параметров усилительных каскадов на пт
- •4.7.2. Применение пт в малошумящих усилителях
- •4.7.3. Применение пт в активных фильтрах
- •4.7.4. Каскады радиоприемников на пт в режиме усиления
- •5.2. Теория затворного детектора
- •5.3. Методика расчета затворного детектора
- •Исходные данные для расчета детектора
- •Порядок расчета
- •5.4. Анализ свойств пт в комбинированном режиме
- •5.5. Методика расчета каскада с пт в комбинированном режиме
- •5.6. Способы использования пт в комбинированном режиме
- •5.7. Практические схемы устройств техники связи с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •5.7.1. Преобразователи длительности импульсов на пт
- •5.7.2. Электронное реле времени пригодное для интегрального исполнения
- •5.7.3. Устройство селективного вызова
- •5.7.4. Приемник многочастотного селективного вызова
- •5.7.5. Устройство контроля нескольких параметров по двум проводам
- •5.7.6. Вольтметры с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •6. Полевые транзисторы для силовой электроники
- •6.1. Мощные полевые транзисторы
- •6.2 Транзисторы со статической индукцией
- •6.3. Мощные мдп-транзисторы с вертикальными каналами
- •6.4. Гибридные силовые транзисторы
- •6.5. Применение силовых полевых транзисторов
- •6.6.1. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •6.6.2. Усилители мощности на силовых транзисторах
- •7. Наноэлектронные транзисторы
- •7.1. Введение
- •7.2. Нанотранзисторы на основе структур хранения на сапфире
- •7.3. Нанотранзисторы с гетеропереходами
- •7.4. Нанотранзисторы с резонансным туннелированием
- •7.5. Нанотранзисторы на основе нанотрубок
- •Список литературы
4.6. Оптимизация параметров усилительных каскадов на пт
а) |
|
б) |
|
в) |
|
Рис. 4.11. Зависимости шумовых параметров от режима работы ПТ
и частоты
Формулы для расчета элементов и основных характеристик усилительного каскада на ПТ приведены в таблице 2.1. Представляет интерес рассмотрение вопросов, каким образом можно реализовать усилительный каскад на ПТ с малыми собственными шумами, с широкой полосой пропускания и максимальным усилением.
Характер зависимости шумовых параметров RШТ и RШН ПТ в зависимости от тока стока и напряжения затвор-исток иллюстрируют рисунки 4.11, а и 4.11, б, соответственно. Важным достоинством ПТ, в отличие от биполярных транзисторов, является возможность реализации одновременно хороших шумовых и частотных свойств.
Соотношение шумовых параметров RШТ и RШН у лучших типов ПТ значительно превосходит аналогичное для биполярных транзисторов и электронных ламп. Поэтому минимальный коэффициент шума ПТ наблюдается при больших величинах сопротивления источника сигнала и мало изменяется при изменении сопротивления источника сигнала в широких пределах (см. рисунок 4.8). Оптимальное сопротивление источника сигнала является функцией режима работы ПТ (см. рисунок 4.11, а и 4.11, б) и частоты (см. рисунок 4.11, в). На очень высоких частотах, вследствие уменьшения величины RШТ из-за индуцированного шума затвора, оптимальное сопротивление источника сигнала ПТ может оказаться равным оптимальному сопротивлению, определенному для биполярного транзистора.
О шумовых свойствах ПТ в области высоких частот можно судить, анализируя данные таблицы 4.6, в которой приведены минимальные значения коэффициента шума, полученные как теоретически, так и экспериментально для высокочастотных отечественных ПТ.
Для расчета минимального коэффициента шума было использовано выражение (4.83), преобразованное с учетом (4.43) и (4.44) к виду: для МДП-транзисторов:
.
(4.88)
Для транзисторов с p-n-переходом:
. (4.89)
Таблица 4.6. Минимальные значения коэффициента шума ПТ
Тип прибора |
Структура прибора |
S, мА/В |
СЗИ, пФ |
fИЗМ, мГц |
КШ ТЕОР, дБ |
КШ ЭКСПЕР, дБ |
КП305 |
МДП триод |
8 |
3,2 |
100 |
1,9 ÷ 3,6 |
3,5 |
КП301 |
МДП триод |
2,6 |
2,0 |
100 |
3,2 ÷ 5,4 |
5,0 |
КП902 |
МДП триод |
15,2 |
8,0 |
250 |
4,6 ÷ 7,2 |
5,2 |
КП306 |
МДП триод |
6,2 |
3,0 |
250 |
4,3 ÷ 6,9 |
4,9 |
КП350 |
МДП триод |
8,2 |
3,1 |
250 |
3,6 ÷ 6,0 |
4,1 |
КП303 |
p-n-триод |
2,8 |
5,9 |
100 |
2,79 ÷ 3,28 |
3,0 |
КП307 |
p-n-триод |
8 |
6,0 |
100 |
1,2 ÷ 1,46 |
1,4 |
КП903 |
p-n-триод |
100 |
18,0 |
100 |
0,33 ÷ 0,41 |
- |
Как видно из таблицы 4.6, значения коэффициента шума, определенные экспериментально, лежат в пределах значений, предсказываемых теорией. Дальнейшее повышение точности расчета возможно путем уточнения значений коэффициентов А1 и А2, входящих в исходное уравнение (4.83) для ПТ каждого типа.
Таблица 4.7. Минимальные значения коэффициента шума биполярных
транзисторов
Тип прибора |
Граничная частота, мГц |
fИЗМ, мГц |
КШ, дБ |
ГТ329 |
1200 |
250 |
2,5 |
2Т322 |
250 |
100 |
3 |
2Т324 |
800 |
250 |
4 |
2Т316 |
800 |
250 |
4 |
Шумовые свойства ПТ лучших типов в области высоких частот находятся на уровне современных биполярных транзисторов, что видно из сравнения данных таблиц 4.6 и 4.7. Однако ожидается, что в ближайшие годы, с разработкой ПТ с барьером Шоттки, полевые транзисторы превзойдут по высокочастотным шумам и частотным свойствам все другие активные компоненты. Имеются сообщения о получении экспериментальных образцов ПТ с барьером Шоттки, позволившим на частоте 6 ГГц получить коэффициент шума 3 дБ.
Необходимо отметить, что с точки зрения шумовых свойств в области низких частот следует использовать ПТ с максимальным отношением крутизны к току затвора, в то время как в области высоких частот – с максимальным отношением крутизны к емкости затвор-исток. Следует также учитывать, что на очень высоких частотах шумовой параметр RШН становится частотнозависимым из-за комплексного характера крутизны.
Зависимость коэффициента шума от режима работы ПТ при сопротивлении источника сигнала 1 мОм показана на рисунке 4.12, а. Из приведенного рисунка видно, что минимальный коэффициент шума достигается при малых напряжениях на затворе и напряжении на стоке, близком по величине к напряжению отсечки ПТ. Это объясняется тем, что токи затвора в указанной области (см. рисунок 4.12, а) невелики, крутизна ПТ близка к максимальной и выходное сопротивление достаточно высоко.
а) |
|
б) |
|
Рис. 4.12. К оценке шумовых свойств ПТ типов КП103К и КП302А
При малых сопротивлениях источника сигнала (R 1 кОм) токи затвора практически не вносят вклада в шумы ПТ, и зависимость напряжения собственных шумов от режима работы имеет вид, изображенный на рисунке 4.10. Как следует из рисунка 4.12, б, напряжение собственных шумов ПТ минимально при малых напряжениях затвор-исток и напряжении на стоке, превышающем напряжение отсечки. При напряжениях сток-исток, меньших напряжения отсечки, рост собственных шумов обусловлен переходом ПТ в крутую область выходных вольтамперных характеристик, где уменьшается крутизна и резко падает выходное сопротивление. При больших напряжениях затвор-исток уровень шума возрастает из-за значительного уменьшения крутизны, при этом ухудшаются и частотные свойства ПТ. В пологой области выходных характеристик и малых напряжений на затворе, крутизна ПТ близка к максимальной и практически не меняется при изменении напряжения сток-исток.
В указанной области (см. рисунок 4.12, б) уровень собственных шумов минимален и слабо зависит от напряжения сток-исток. При работе ПТ в широком диапазоне входных сигналов, с точки зрения шумовых свойств и нелинейных искажений целесообразно выбирать напряжение сток-исток большим, чем напряжение отсечки, на величину, по меньшей мере, равную максимальной амплитуде сигнала на выходе ПТ.
Частотные свойства ПТ удобно характеризовать предельной частотой усиления по мощности, используя известное из ламповой техники выражение:
.
(4.90)
Значения предельной частоты усиления по мощности для основных типов отечественных ПТ сведены в таблице 4.8.
Таблица 4.8. Предельная частота усиления ПТ
№ п/п |
Тип |
S, мА/В |
С12, пФ |
fПРЕД, мГц |
1 |
КП101 |
0,5 ÷ 1,1 |
10 |
2,4 ÷ 17,5 |
2 |
КП102 |
0,25 ÷ 1,3 |
5 |
8,0 ÷ 41,4 |
3 |
КП103 |
0,4 ÷ 4,4 |
8 |
8,0 ÷ 88,0 |
4 |
КП301 |
1,0 ÷ 2,5 |
1,0 |
159 ÷ 398 |
5 |
КП302 |
5,0 ÷25 |
8 |
100 ÷ 500 |
6 |
КП303 |
1,0 ÷7,0 |
2 |
80 ÷ 560 |
7 |
КП305Х) |
2,5 ÷ 10,0 |
1,3 |
307 ÷ 1225 |
8 |
КП306 Х) |
3,0 ÷ 8,0 |
0,07 |
3340 ÷ 8900 |
9 |
КП350 Х) |
6,0 ÷ 8,0 |
0,07 |
6680 ÷ 8900 |
10 |
КП307 Х) |
5,0 ÷ 8,0 |
2,0 |
398 ÷ 635 |
11 |
КП902 Х) |
10,0 ÷ 20,0 |
1,0 |
1590 ÷ 3180 |
12 |
КП903 Х) |
100 ÷ 150 |
15 |
1060 ÷ 1600 |
Для транзисторов, помеченных знаком Х), формула (4.90) дает завышенные результаты, так как она не учитывает распределенный характер структуры ПТ, геометрию канала, наличие немодулированных сопротивлений истока, стока и затвора, т.е. факторы, с которыми нельзя не считаться в диапазоне СВЧ. При разработках СВЧ усилителей можно использовать эквивалентную схему ПТ с распределенными параметрами, которая рассмотрена в п.1.4. При необходимости реализовать максимальный коэффициент усиления в схеме необходимо использовать ПТ, имеющие максимальные отношения крутизны к току стока. У ПТ любого типа, максимальное отношение крутизны к току стока имеют ПТ из групп с малыми напряжениями отсечки. Это вытекает из теории ПТ изложенной в п.2.2. Например, в случае ПТ с p-n-переходом, подставляя выражение (2.2) в уравнение (2.4), учитывая, что U'0 близко к U0 и выполнив элементарные преобразования, получим отношение крутизны S0 к току стока IС0 в виде:
.
(4.91)
Значения S0, IС0, U0 – приводятся в паспортных данных ПТ.
С ростом запирающего напряжения затвор-исток UЗИ у идеального ПТ ток стока уменьшается по квадратичному закону, а крутизна уменьшается по линейному закону. Таким образом, с ростом запирающего напряжения UЗИ увеличивается отношение крутизны ПТ S к току стока IС. Это позволяет, при фиксированном напряжении источника питания, использовать более высокоомные сопротивления нагрузки каскада и, следовательно, добиться максимального коэффициента усиления. Положительное влияние в таком случае оказывает и возрастание выходного сопротивления ПТ с увеличением запирающего напряжения UЗИ.
Характеристики
реальных отечественных ПТ отличаются
от идеальных. У реальных ПТ при малых
токах стока наблюдается максимум
отношения крутизны к току стока 20÷40
.
Теоретическая и
экспериментальная зависимости
от тока стока
IС
для ПТ типа КП303Г приведены на рисунке
4.13. Аналогичным свойством обладают
электронные лампы и зарубежные ПТ. Эту
особенность необходимо учитывать при
разработке усилителей с максимальным
усилением на ПТ.
4.7. Практические схемы устройств техники связи
с ПТ в режиме усиления
4.7.1. Применение ПТ в усилителях с высоким
входным сопротивлением
В технике связи широкое применение находят усилители с высоким входным сопротивлением. Основными требованиями, предъявляемыми к ним, являются:
- широкий диапазон входных напряжений;
- низкий порог чувствительности;
- высокая стабильность коэффициента усиления;
- малые частотные и нелинейные искажения;
- малые габариты и вес.
Рассмотрим особенности усилителей отвечающих перечисленным требованиям на примере схемы приведенной на рисунке 4.14, б.
а) |
|
б) |
|
Рис. 4.14. Схемы усилителя с высоким входным сопротивлением
Для стабилизации коэффициента усиления и обеспечения других качественных показателей усилитель должен быть охвачен отрицательной обратной связью. Усилитель с обратной связью будет работать устойчиво, если частотная характеристика определяется одним каскадом, а остальные имеют запас в сторону высоких и низких частот. Уменьшение нижней граничной частоты при обычной схеме усилителя требует конденсаторов большей емкости. Упрощение схемы можно достигнуть, используя усилитель постоянного тока с двумя цепями обратной связи: по постоянному току для стабилизации режима и по сигналу для стабилизации усиления, как показано на рисунке 4.14, а.
Эффективная стабилизация режима по постоянному току достигается 100% отрицательной обратной связью. Для устранения этой связи на частоте сигнала необходимо использовать фильтр нижних частот с достаточным ослаблением.
Высокое входное сопротивление, при малом уровне собственных шумов и минимальном количестве деталей, достигается применением полевого транзистора во входном каскаде. Если обратная связь подается на затвор полевого транзистора, то можно выполнить малогабаритный RC фильтр из конденсаторов малой емкости и резисторов порядка десятков МОм.
В последующих каскадах целесообразно применение биполярных транзисторов, дающих большие значения коэффициента усиления по напряжению. Обычно предпочтение отдают кремниевым транзисторам, обладающим повышенной термостабильностью. Кроме того, кремниевые биполярные транзисторы могут работать с равными напряжениями на коллекторе и базе, что позволяет делать непосредственное соединение коллектора одного транзистора с базой следующего в нескольких каскадах с общим эмиттером.
Как видно, из принципиальной схемы усилителя, приведенной на рисунке 4.14, б, усиление определится коэффициентом обратной связи ООС:
.
(4.92)
Глубина отрицательной обратной связи, измеренная на частоте 1000Гц равна 30дБ.
Нижняя граничная частота усилителя определяется выбором постоянной времени фильтра R9, С2, которую можно рассчитать по формуле:
,
(4.93)
где КООС – коэффициент усиления по напряжению с учетом ООС, Н – нижняя граничная частота.
Верхняя граничная частота определяется выбором емкости конденсатора С3, который обеспечивает плавный спад амплитудно-частотной характеристики выше частоты среза. Благодаря этому повышается устойчивость усилителя на высоких частотах.
На шумовые параметры и стабильность усилителя по постоянному току существенное влияние оказывает резистор R1.
Нетрудно показать, что среднеквадратичное значение шумового тока равно:
,
(4.94)
где i – шумовой ток транзистора, u – шумовое напряжение транзистора, с – коэффициент корреляции.
Приведенная формула показывает, что резистор R1 существенно влияет на шумовой ток усилителя. В высокочувствительном усилителе предназначенном для работы с высокоомными источниками сигналов желательно резистор R1 выбирать возможно большим. В таком усилителе преобладающую роль будут играть шумы за счет термического тока сопротивления, определяемого по формуле Найквиста и шумового тока затвора, определяемого по формуле Шоттки. Но беспредельно увеличивать сопротивление R1 нельзя, так как это приведет к нестабильности усилителя по постоянному току, из-за падения напряжения на этом сопротивлении, вызванного протеканием тока затвора.
Определим допустимое значение резистора R1 для случая, когда термический шум этого сопротивления равен дробовому шуму тока затвора:
(4.95)
Здесь К = 1,38·10-23 – постоянная Больцмана, Т = (277 ÷ 323)°К – рабочий интервал температур, e = 1,6·10-19 Кул – заряд электрона.
Из последнего соотношения следует, что при использовании полевого транзистора с малым током затвора можно выбрать резистор R1 достаточно высокоомым. Если же из соображения частотной характеристики, требуется дальнейшее увеличение входного сопротивления, то его можно достигнуть, без ухудшения стабильности по постоянному току, используя обратные связи.
Ток затвора у транзистораVT1 в рабочем режиме, при напряжении сток-исток UСИ равном –2В и напряжении затвор-исток UЗИ равном +0,5В, измеренные при температуре 20°С, не превышали 0,05·10-9 А.
При этом допустимое сопротивление резистора R1 согласно выше приведенной формуле при рабочей температуре +50°С, превышает 108 Oм и было выбрано равным 130 мОм.
Усилитель испытывался в интервале температур от + 4 до + 85°С, изменения коэффициента усиления до температуры +50°С не наблюдалось. Таким образом, эксперименты подтвердили, что максимально допустимую величину сопротивления резистора можно рассчитать, приняв для тока затвора, значение соответствующее максимальной рабочей температуре, усилителя.
Технические данные усилителя:
- коэффициент усиления по напряжению 100;
- неравномерность частотной характеристики в полосе частот 20 Гц ÷ 15 кГц менее 0,5%;
- коэффициент нелинейных искажений при выходном напряжении 1В на нагрузке 3 кОм не более 0,5%;
- напряжение шумов, пересчитанное на вход в полосе 20 Гц ÷ 15 кГц относительно нулевого уровня -105 дБ;
- динамический диапазон входных напряжений 60 дБ;
- входное сопротивление на частоте 20 Гц ÷ 130 мОм;
- входная емкость на частоте 15 кГц ÷ 5 пФ;
- мощность, потребляемая от источника питания порядка 50 мВт;
- конструктивно усилитель выполнен в виде модуля представляющего собой алюминиевый цилиндр диаметром 33мм и образующей 55мм;
- масса усилителя 50г.
