- •А.Н. Игнатов
- •Полевые транзисторы
- •И их применение
- •В технике связи
- •Монография
- •Предисловие
- •1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •1.1. Классификация пт
- •1.2. Терминология и обозначения в системе параметров пт
- •1.3. Типы, характеристики и свойства пт
- •1.3.1. Общие сведения
- •1.3.2. Типы полевых транзисторов
- •1.3.3. Статические характеристики
- •1.3.4. Механизмы пробоя пт
- •1.3.5. Радиационная стойкость пт
- •1.3.6. Светочувствительность пт
- •1.3.7. Влияние температуры на характеристики пт
- •1.4. Модели пт и анализ эквивалентных схем пт
- •1.4.1. Общие сведения
- •1.4.2. Параметры пт на низких частотах
- •1.4.3. Параметры пт на высоких частотах
- •1.5. Основные режимы работы пт
- •1.6. Способы аппроксимации характеристик передачи пт
- •1.7. Особенности технологии и технико-экономические показатели производства пт
- •1.8. Перспективные области использования пт в технике связи
- •1.8.1. Общие сведения
- •1.8.2. Использование пт в качестве управляемых сопротивлений
- •1.8.3. Использование пт в ключевом режиме
- •1.8.4. Использование пт в режиме усиления
- •1.8.5. Использование пт в режиме с прямыми токами затвора
- •1.8.6. Использование пт в режиме пробоя
- •1.8.7. Использование пт в оптоэлектронных приборах
- •1.8.8. Использование пт в интегральных схемах
- •2.2. Регулировка коэффициента передачи изменением крутизны полевого транзистора в пологой области
- •2.3. Регулировка коэффициента передачи изменением проводимости канала в крутой области
- •2.4. Взаимосвязь параметров полевых транзисторов
- •2.5. Диапазон регулирования крутизны проводимости пт
- •2.6. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в пологой области характеристик
- •2.7. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в крутой области характеристик
- •2.8. Способы улучшения качественных показателей регуляторов усиления на пт
- •2.9. Методика расчета и исследование регуляторов усиления на пт
- •2.10. Динамические характеристики регуляторов на пт
- •2.11.2 .Применение пт в регуляторах тембра
- •2.11.3. Портативный приемник с высокоэффективной ару на пт
- •2.11.4. Экспандер на полевом транзисторе
- •2.11.5. Расчет авторегулятора уровня на пт
- •2.11.6. Усилитель с электронной регулировкой коэффициента передачи с помощью пт
- •2.11.7. Автогенератор с чм на пт
- •2.11.8. Диапазонный генератор с ам, широкополосный чм и электронной перестройкой частоты
- •3. Свойства и применение пт в ключевом режиме
- •3.1. Особенности работы пт в ключевых схемах аналоговых сигналов
- •3.2. Особенности работы пт в ключевых схемах дискретных сигналов
- •3.3. Параметры в ключевом режиме
- •3.4. Принципы построения ключевых схем на пт и особенности их расчета
- •3.5. Схемы управления ключами на пт
- •З.6. Показатели качества ключей на пт
- •3.7. Сравнение ключевых свойств полупроводниковых элементов
- •3.8.2. Применение пт в коммутаторе для центральной
- •3.8.3. Коммутатор на пт для системы передачи телеметрической информации
- •3.8.4. Некоторые применения ключевого режима работы пт в устройствах связи
- •3.8.5. Применение пт в устройстве автоматического контроля параметров радиовещательного тракта и автоматического перехода на резерв
- •4. Анализ свойств и возможностей применения пт в режиме усиления
- •4.1. Анализ нелинейных свойств пт
- •4.2. Оценка нелинейности характеристик передачи отечественных пт
- •4.3. Источники шумов пт
- •4.4. Определение шумовых параметров пт
- •4.5. Сравнение активных компонентов по уровню собственных шумов
- •4.6. Оптимизация параметров усилительных каскадов на пт
- •4.7.2. Применение пт в малошумящих усилителях
- •4.7.3. Применение пт в активных фильтрах
- •4.7.4. Каскады радиоприемников на пт в режиме усиления
- •5.2. Теория затворного детектора
- •5.3. Методика расчета затворного детектора
- •Исходные данные для расчета детектора
- •Порядок расчета
- •5.4. Анализ свойств пт в комбинированном режиме
- •5.5. Методика расчета каскада с пт в комбинированном режиме
- •5.6. Способы использования пт в комбинированном режиме
- •5.7. Практические схемы устройств техники связи с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •5.7.1. Преобразователи длительности импульсов на пт
- •5.7.2. Электронное реле времени пригодное для интегрального исполнения
- •5.7.3. Устройство селективного вызова
- •5.7.4. Приемник многочастотного селективного вызова
- •5.7.5. Устройство контроля нескольких параметров по двум проводам
- •5.7.6. Вольтметры с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •6. Полевые транзисторы для силовой электроники
- •6.1. Мощные полевые транзисторы
- •6.2 Транзисторы со статической индукцией
- •6.3. Мощные мдп-транзисторы с вертикальными каналами
- •6.4. Гибридные силовые транзисторы
- •6.5. Применение силовых полевых транзисторов
- •6.6.1. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •6.6.2. Усилители мощности на силовых транзисторах
- •7. Наноэлектронные транзисторы
- •7.1. Введение
- •7.2. Нанотранзисторы на основе структур хранения на сапфире
- •7.3. Нанотранзисторы с гетеропереходами
- •7.4. Нанотранзисторы с резонансным туннелированием
- •7.5. Нанотранзисторы на основе нанотрубок
- •Список литературы
3.8.2. Применение пт в коммутаторе для центральной
аппаратной АРС
Коммутатор каналов центральной аппаратной АРС должен иметь 25 входов и 10 выходов и удовлетворять требованиям предъявляемым к радиовещательной аппаратуре высшего класса качества, в частности.
1. Иметь переходное затухание каждого канала и между каналами ≥80 дБ.
2.
Вносить малые нелинейные искажения
коммутируемого сигнала
≤0,2
.
3. Вносить малые частотные искажения в полосе частот 30 Гц – 15 кГц.
4. Осуществлять коммутацию входных сигналов с эффективным напряжением ≤5,5 В .
5. Работать на входное сопротивление линии с RН = 600 Ом.
6. Иметь симметричный вход и выход.
7. Иметь хорошую развязку управляющего и коммутируемого сигналов.
8. Иметь простую схему управления, допускающую управление от ЭВМ.
9. Иметь малые габариты, массу, потребляемую мощность и высокую надежность.
Для обеспечения всех этих требований в коммутаторе для центральной аппаратной APС необходимо использовать электронную коммутацию на полупроводниковых элементах.
Простейший способ обеспечения симметричного входа и выхода реализуется при применении трансформаторов. Однако использовать трансформаторы в коммутаторах APС нецелесообразно из-за технологичности их изготовления, большой массы и габаритов. В электронных коммутаторах необходимо применять электронные схемы, эквивалентные трансформатору с коэффициентом. Количество ДБУ будет определяться суммой числа входов К и числа выходов N. Так для коммутатора типа 25×10 число ДБУ равно К+N = 25 + 10 = 35. Для обеспечения возможности коммутации любого из входов коммутатора на любой из выходов требуется К·N коммутирующих ячеек.
С целью рационального использования ЭВМ любая ячейка коммутатора должна управляться кратковременными импульсами. Для того чтобы удержать ячейку коммутатора в нужном состоянии в промежутке между управляющими импульсами, она должна иметь схему памяти с двумя устойчивыми состояниями.
На схемы памяти поступают управляющие импульсы от ЭВМ, соответствующие определенной программе, через переходное устройство, преобразующее используемое число выходов ЭВМ в требуемое число входов коммутирующих ячеек.
Исходя из сказанного, структурную схему коммутатора для центральной аппаратной АРС с 25 входами и 10 выходами можно изобразить в виде, изображенном на рисунке 3.19.
Описанный принцип построения многоканальных коммутаторов может найти применение и при разработках электронных автоматических телефонных станций.
Рис. 3.19. Структурная схема коммутатора типа 25/10
Достоинством схемы электронного коммутатора, изображенного на рисунке 3.19 является то, что она содержит только два основных функциональных узла: ДБУ и ключевую ячейку. Таким образом для разработки коммутатора любой емкости, достаточно иметь КN однотипных ключевых ячеек и К+N однотипных ДБУ.
В результате исследования схем ключевых ячеек и схем ДБУ для электронного коммутатора центральной аппаратной АРС было предложено использовать в качестве основных следующие функциональные узлы.
В качестве ДБУ использовать двухтактные сложные истоковые повторители, выполненные по схеме рисунка 3.20. В этой схеме удалось обеспечить малые нелинейные искажения за счет компенсации четных гармоник в нагрузке. Каждое плечо ДБУ содержит истоковый повторитель на полевом транзисторе КП103М и двух биполярных транзисторах, образующих схему составного транзистора. ДБУ имеет симметричные вход и выход и обеспечивает, при нагрузке 600 Ом, нелинейные искажения КГ < 0,15% при выходном уровне 5,5В. При снижении выходного уровня до 0,775В нелинейные искажения не превышают 0,06%. При увеличении сопротивления нагрузки до 5 кОм и выходном уровне 5,5В нелинейные искажения не превышают 0,05%.
Рис. 3.20. Схема
дифференциального буферного усилителя
Для согласования симметричного ДБУ с ключевой ячейкой, ее также выполняют по двухтактной схеме. Схема ключевой ячейки приведена на рисунке 3.21. В каждом плече такой схемы содержатся два ПТ типа КП302В и один биполярный транзистор.
Каждое плечо симметричной ключевой ячейки представляет собой Т-образную схему. Оригинальность схемы заключается в том, что биполярный транзистор выполняет две функции:
а) играет роль ключевого элемента, обеспечивая малое динамическое сопротивление в состоянии «выключено». Это обеспечивает высокие значения переходного затухания;
Рис. 3.21. Схема ключа с симметричным входом и выходом
б) играет роль элемента схемы управления. В состоянии «включено» напряжение, снимаемое с выхода этого транзистора, отпирает полевые транзисторы. Так как в состоянии «включено» биполярный транзистор заперт, то ПТ работают на высокоомную нагрузку. При этом нелинейные искажения, вносимые ячейкой коммутатора, малы, а коэффициент передачи близок к 1.
Использование Т-образных ключевых ячеек позволяет обеспечить высокие значения переходного затухания и необходимую развязку выходных цепей;
В качестве схем памяти используется триггер на туннельном диоде, принцип работы которого изложен в пункте 3.5.
Использование в качестве основных функциональных узлов коммутатора устройств, схемы которых приведены на рисунке 3.20 и рисунке 3.21 позволило разработать электронный коммутатор типа 25×10 отвечающий требованиям высшего класса качества.
