- •А.Н. Игнатов
- •Полевые транзисторы
- •И их применение
- •В технике связи
- •Монография
- •Предисловие
- •1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •1.1. Классификация пт
- •1.2. Терминология и обозначения в системе параметров пт
- •1.3. Типы, характеристики и свойства пт
- •1.3.1. Общие сведения
- •1.3.2. Типы полевых транзисторов
- •1.3.3. Статические характеристики
- •1.3.4. Механизмы пробоя пт
- •1.3.5. Радиационная стойкость пт
- •1.3.6. Светочувствительность пт
- •1.3.7. Влияние температуры на характеристики пт
- •1.4. Модели пт и анализ эквивалентных схем пт
- •1.4.1. Общие сведения
- •1.4.2. Параметры пт на низких частотах
- •1.4.3. Параметры пт на высоких частотах
- •1.5. Основные режимы работы пт
- •1.6. Способы аппроксимации характеристик передачи пт
- •1.7. Особенности технологии и технико-экономические показатели производства пт
- •1.8. Перспективные области использования пт в технике связи
- •1.8.1. Общие сведения
- •1.8.2. Использование пт в качестве управляемых сопротивлений
- •1.8.3. Использование пт в ключевом режиме
- •1.8.4. Использование пт в режиме усиления
- •1.8.5. Использование пт в режиме с прямыми токами затвора
- •1.8.6. Использование пт в режиме пробоя
- •1.8.7. Использование пт в оптоэлектронных приборах
- •1.8.8. Использование пт в интегральных схемах
- •2.2. Регулировка коэффициента передачи изменением крутизны полевого транзистора в пологой области
- •2.3. Регулировка коэффициента передачи изменением проводимости канала в крутой области
- •2.4. Взаимосвязь параметров полевых транзисторов
- •2.5. Диапазон регулирования крутизны проводимости пт
- •2.6. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в пологой области характеристик
- •2.7. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в крутой области характеристик
- •2.8. Способы улучшения качественных показателей регуляторов усиления на пт
- •2.9. Методика расчета и исследование регуляторов усиления на пт
- •2.10. Динамические характеристики регуляторов на пт
- •2.11.2 .Применение пт в регуляторах тембра
- •2.11.3. Портативный приемник с высокоэффективной ару на пт
- •2.11.4. Экспандер на полевом транзисторе
- •2.11.5. Расчет авторегулятора уровня на пт
- •2.11.6. Усилитель с электронной регулировкой коэффициента передачи с помощью пт
- •2.11.7. Автогенератор с чм на пт
- •2.11.8. Диапазонный генератор с ам, широкополосный чм и электронной перестройкой частоты
- •3. Свойства и применение пт в ключевом режиме
- •3.1. Особенности работы пт в ключевых схемах аналоговых сигналов
- •3.2. Особенности работы пт в ключевых схемах дискретных сигналов
- •3.3. Параметры в ключевом режиме
- •3.4. Принципы построения ключевых схем на пт и особенности их расчета
- •3.5. Схемы управления ключами на пт
- •З.6. Показатели качества ключей на пт
- •3.7. Сравнение ключевых свойств полупроводниковых элементов
- •3.8.2. Применение пт в коммутаторе для центральной
- •3.8.3. Коммутатор на пт для системы передачи телеметрической информации
- •3.8.4. Некоторые применения ключевого режима работы пт в устройствах связи
- •3.8.5. Применение пт в устройстве автоматического контроля параметров радиовещательного тракта и автоматического перехода на резерв
- •4. Анализ свойств и возможностей применения пт в режиме усиления
- •4.1. Анализ нелинейных свойств пт
- •4.2. Оценка нелинейности характеристик передачи отечественных пт
- •4.3. Источники шумов пт
- •4.4. Определение шумовых параметров пт
- •4.5. Сравнение активных компонентов по уровню собственных шумов
- •4.6. Оптимизация параметров усилительных каскадов на пт
- •4.7.2. Применение пт в малошумящих усилителях
- •4.7.3. Применение пт в активных фильтрах
- •4.7.4. Каскады радиоприемников на пт в режиме усиления
- •5.2. Теория затворного детектора
- •5.3. Методика расчета затворного детектора
- •Исходные данные для расчета детектора
- •Порядок расчета
- •5.4. Анализ свойств пт в комбинированном режиме
- •5.5. Методика расчета каскада с пт в комбинированном режиме
- •5.6. Способы использования пт в комбинированном режиме
- •5.7. Практические схемы устройств техники связи с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •5.7.1. Преобразователи длительности импульсов на пт
- •5.7.2. Электронное реле времени пригодное для интегрального исполнения
- •5.7.3. Устройство селективного вызова
- •5.7.4. Приемник многочастотного селективного вызова
- •5.7.5. Устройство контроля нескольких параметров по двум проводам
- •5.7.6. Вольтметры с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •6. Полевые транзисторы для силовой электроники
- •6.1. Мощные полевые транзисторы
- •6.2 Транзисторы со статической индукцией
- •6.3. Мощные мдп-транзисторы с вертикальными каналами
- •6.4. Гибридные силовые транзисторы
- •6.5. Применение силовых полевых транзисторов
- •6.6.1. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •6.6.2. Усилители мощности на силовых транзисторах
- •7. Наноэлектронные транзисторы
- •7.1. Введение
- •7.2. Нанотранзисторы на основе структур хранения на сапфире
- •7.3. Нанотранзисторы с гетеропереходами
- •7.4. Нанотранзисторы с резонансным туннелированием
- •7.5. Нанотранзисторы на основе нанотрубок
- •Список литературы
5.7.2. Электронное реле времени пригодное для интегрального исполнения
Устройство, принципиальная схема которого приведена на рисунке 5.15, выполнено на ПТ с p-n-переходом, работающем в режиме управляемого сопротивления с прямыми токами затвора. Теория работы ПТ в таком режиме изложена в пункте 5.4. Рассматриваемое устройство может найти применение в малогабаритных и экономичных переключающих схемах, удлинителях импульсов, устройствах дистанционного управления и контроля, приемниках селективного вызова и многих других случаях.
Технические данные разработанного устройства:
- выдержка времени 30 сек;
- мощность необходимая для управления ПТ < 0,1 мВт;
- сопротивление в состоянии включено 250 Ом;
- сопротивление в состоянии выключено 2,5·107 Ом.
В качестве прототипа разработанного устройства, было выбрано реле времени, также использующее ПТ. Упомянутое устройство описано в работе [25]. Оно содержит 2 транзистора, накопительный конденсатор емкостью 4 мкФ, 7 транзисторов, диод и механический переключатель, источник питания напряжением 30В и обеспечивает выдержку времени 27,5 сек. Наиболее существенные недостатки этого устройства: сложность схемы; значительная потребляемая мощность и невозможность интегрального исполнения.
Устранить перечисленные недостатки удается в устройстве, собранном по схеме рисунка 5.15. Оно не содержит источника постоянного напряжения, потребляет крайне малую мощность, содержит детали малого габарита и веса.
Разработанное устройство обеспечивает выдержку времени 30 секунд при емкости накопительного конденсатора С = 10-10 Ф.
Схема, изображенная на рисунке 5.15 реализует способ, предложенный в п.5.6. Длительность нахождения ПТ в запертом состоянии зависит от постоянной времени цепи разряда. Емкость С разряжается через очень большое сопротивление запертого p-n-перехода кремниевого ПТ (1010 – 1013 Ом для современных ПТ). По окончании разряда емкости С устройство возвращается в исходное состояние, при котором сопротивление канала минимально. В зависимости от типа используемых ПТ минимальное сопротивление канала может принимать значения от единиц Ом (например, в случае ПТ типа КП903) до сотен Ом (для КП103, КП303). Максимальное сопротивление канала ПТ обычно превышает 107 Ом.
Рис. 5.15. Схема реле времени, пригодного для интегрального исполнения
В рассматриваемом устройстве предусмотрена возможность увеличения выдержки времени путем подключения параллельно конденсатору С внешней емкости.
Для повышения стабильности выдержки времени предусмотрена возможность подключения между затвором и истоком внешнего резистора R2 номиналом на один-два порядка меньшим, чем входное сопротивление запертого транзистора.
В устройстве вместо транзистора КП303Г могут быть использованы ПТ с p-n-переходом любо другого типа как с n, так и p-каналами.
Расчет времени нахождения ПТ в запертом состоянии можно ввести, используя соотношения, приведенные в таблице 5.1.
Использование ПТ в комбинированном режиме позволило получить простую схему электронного реле времени, обеспечивающую большие выдержки времени при малых номиналах накопительной емкости.
Разработанное устройство отличается крайне малой потребляемой мощностью и, при малых выдержках времени (t < 1 мин), допускает интегральное исполнение.
