- •А.Н. Игнатов
- •Полевые транзисторы
- •И их применение
- •В технике связи
- •Монография
- •Предисловие
- •1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •1.1. Классификация пт
- •1.2. Терминология и обозначения в системе параметров пт
- •1.3. Типы, характеристики и свойства пт
- •1.3.1. Общие сведения
- •1.3.2. Типы полевых транзисторов
- •1.3.3. Статические характеристики
- •1.3.4. Механизмы пробоя пт
- •1.3.5. Радиационная стойкость пт
- •1.3.6. Светочувствительность пт
- •1.3.7. Влияние температуры на характеристики пт
- •1.4. Модели пт и анализ эквивалентных схем пт
- •1.4.1. Общие сведения
- •1.4.2. Параметры пт на низких частотах
- •1.4.3. Параметры пт на высоких частотах
- •1.5. Основные режимы работы пт
- •1.6. Способы аппроксимации характеристик передачи пт
- •1.7. Особенности технологии и технико-экономические показатели производства пт
- •1.8. Перспективные области использования пт в технике связи
- •1.8.1. Общие сведения
- •1.8.2. Использование пт в качестве управляемых сопротивлений
- •1.8.3. Использование пт в ключевом режиме
- •1.8.4. Использование пт в режиме усиления
- •1.8.5. Использование пт в режиме с прямыми токами затвора
- •1.8.6. Использование пт в режиме пробоя
- •1.8.7. Использование пт в оптоэлектронных приборах
- •1.8.8. Использование пт в интегральных схемах
- •2.2. Регулировка коэффициента передачи изменением крутизны полевого транзистора в пологой области
- •2.3. Регулировка коэффициента передачи изменением проводимости канала в крутой области
- •2.4. Взаимосвязь параметров полевых транзисторов
- •2.5. Диапазон регулирования крутизны проводимости пт
- •2.6. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в пологой области характеристик
- •2.7. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в крутой области характеристик
- •2.8. Способы улучшения качественных показателей регуляторов усиления на пт
- •2.9. Методика расчета и исследование регуляторов усиления на пт
- •2.10. Динамические характеристики регуляторов на пт
- •2.11.2 .Применение пт в регуляторах тембра
- •2.11.3. Портативный приемник с высокоэффективной ару на пт
- •2.11.4. Экспандер на полевом транзисторе
- •2.11.5. Расчет авторегулятора уровня на пт
- •2.11.6. Усилитель с электронной регулировкой коэффициента передачи с помощью пт
- •2.11.7. Автогенератор с чм на пт
- •2.11.8. Диапазонный генератор с ам, широкополосный чм и электронной перестройкой частоты
- •3. Свойства и применение пт в ключевом режиме
- •3.1. Особенности работы пт в ключевых схемах аналоговых сигналов
- •3.2. Особенности работы пт в ключевых схемах дискретных сигналов
- •3.3. Параметры в ключевом режиме
- •3.4. Принципы построения ключевых схем на пт и особенности их расчета
- •3.5. Схемы управления ключами на пт
- •З.6. Показатели качества ключей на пт
- •3.7. Сравнение ключевых свойств полупроводниковых элементов
- •3.8.2. Применение пт в коммутаторе для центральной
- •3.8.3. Коммутатор на пт для системы передачи телеметрической информации
- •3.8.4. Некоторые применения ключевого режима работы пт в устройствах связи
- •3.8.5. Применение пт в устройстве автоматического контроля параметров радиовещательного тракта и автоматического перехода на резерв
- •4. Анализ свойств и возможностей применения пт в режиме усиления
- •4.1. Анализ нелинейных свойств пт
- •4.2. Оценка нелинейности характеристик передачи отечественных пт
- •4.3. Источники шумов пт
- •4.4. Определение шумовых параметров пт
- •4.5. Сравнение активных компонентов по уровню собственных шумов
- •4.6. Оптимизация параметров усилительных каскадов на пт
- •4.7.2. Применение пт в малошумящих усилителях
- •4.7.3. Применение пт в активных фильтрах
- •4.7.4. Каскады радиоприемников на пт в режиме усиления
- •5.2. Теория затворного детектора
- •5.3. Методика расчета затворного детектора
- •Исходные данные для расчета детектора
- •Порядок расчета
- •5.4. Анализ свойств пт в комбинированном режиме
- •5.5. Методика расчета каскада с пт в комбинированном режиме
- •5.6. Способы использования пт в комбинированном режиме
- •5.7. Практические схемы устройств техники связи с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •5.7.1. Преобразователи длительности импульсов на пт
- •5.7.2. Электронное реле времени пригодное для интегрального исполнения
- •5.7.3. Устройство селективного вызова
- •5.7.4. Приемник многочастотного селективного вызова
- •5.7.5. Устройство контроля нескольких параметров по двум проводам
- •5.7.6. Вольтметры с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •6. Полевые транзисторы для силовой электроники
- •6.1. Мощные полевые транзисторы
- •6.2 Транзисторы со статической индукцией
- •6.3. Мощные мдп-транзисторы с вертикальными каналами
- •6.4. Гибридные силовые транзисторы
- •6.5. Применение силовых полевых транзисторов
- •6.6.1. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •6.6.2. Усилители мощности на силовых транзисторах
- •7. Наноэлектронные транзисторы
- •7.1. Введение
- •7.2. Нанотранзисторы на основе структур хранения на сапфире
- •7.3. Нанотранзисторы с гетеропереходами
- •7.4. Нанотранзисторы с резонансным туннелированием
- •7.5. Нанотранзисторы на основе нанотрубок
- •Список литературы
5.7. Практические схемы устройств техники связи с пт в режиме с прямыми токами затвора
5.7.1. Преобразователи длительности импульсов на пт
Использование ПТ в комбинированном режиме позволяет реализовать преобразователи импульсов малой длительности в импульсы большой длительности и наоборот. Формируемые импульсы могут иметь длительность до десятков минут без использования в схемах электролитических конденсаторов и механических реле.
Принципиальная схема удлинителя входных импульсов приведена на рисунке 5.13, а, а графики, поясняющие его работу, изображены на рисунке 5.14, а.
а) |
|
б) |
|
Рис. 5.13. Схемы формирователей длительности импульсов на ПТ
Устройство работает следующим образом. При поступлении на вход VT1 положительного импульса длительностью tИ1 отпирается p-n-переход затвор-исток и происходит быстрый заряд емкости С. По окончании действия входного импульса транзистор VT1 запирается напряжением на емкости С. Это вызывает отпирание транзистора VТ2 и подзапирание транзистора VТЗ. На выходе устройства образуется напряжение, соответствующее логической «1».
С помощью потенциометра RЗ, в истоковой цепи ПТ устанавливается напряжение меньшее напряжения отсечки ПТ. Поэтому разряд емкости С через высокоомное сопротивление R1 приводит к регенеративному процессу отпирания транзистора VT1 и запиранию транзистора VТ2. Посредством резистора R5 транзистору VТЗ обеспечивается большой входной ток, вызывающий резкое уменьшение выходного напряжения. На выходе схемы образуется напряжение, соответствующее логическому «0». Длительность выходного импульса tИ2 зависит от выбора элементов С и R1. Благодаря высокоомному сопротивлению R1 длительность выходного импульса tИ2 может на несколько порядков превысить длительность входного импульса tИ1. Из рисунка 5.14, а видно, что устройство может быть также использовано для задержки входных импульсов.
|
|
а) |
б) |
Рис. 5.14. Временные характеристики преобразователей
длительности импульсов
Принципиальная схема укоротителя входных импульсов приведена на рисунке 5.13,б, а графики, поясняющие его работу на рисунке 5.14, б. Устройство работает следующим образом. При поступлении на вход импульса отрицательной полярности VT1 запирается. Это вызывает запирание транзистора VТ2, входящего в схему электронного реле времени. Принцип работы подробно описан в п. 3.8.5. Емкость С медленно заряжается через высокоомное сопротивление R3. В процессе заряда емкости С результирующее напряжение затвор-исток VТ2 уменьшается, что приводит к увеличению проводимости канала и увеличению положительного потенциала на входе регенеративного ключа, выполненного на транзисторах VТЗ и VТ4. Как только напряжение на входе VТЗ достигает порогового значения, происходит регенеративный процесс, отпирания VТЗ и запирания VТ4. Напряжение на выходе VТ4 становится больше напряжения обратимого пробоя p-n-перехода кремниевого стабилитрона. На выходе устройства появляется потенциал соответствующий логической Δ1.
В исходном состоянии транзистор VТЗ заперт напряжением, снимаемым с потенциометра R6, за счет протекания тока через выходную цепь отпертого транзистора VT4. Напряжение на выходе VТ4 при этом меньше напряжения обратимого пробоя p-n-перехода VD2, следовательно, на выходе устройства обеспечивается состояние, соответствующее логическому «0».
В момент прекращения действия входного импульса транзистор VT1 отпирается. Емкость С быстро разряжается через отпертый p-n-переход затвор-канал ПТ. Напряжение, снимаемое с резистора, оказывается меньше напряжения срабатывания регенеративного ключа на транзисторах VТЗ и VТ4 и он возвращается в исходное состояние. При этом, на выходе устройства устанавливается низкий потенциал, соответствующий логическому «0».
Длительность выходного импульса tИ2 практически равна:
,
(5.64)
где tИ1 – длительность входного импульса, tР – выдержка времени реле времени.
Выдержка времени реле времени зависит от выбора элементов R3 и С. В устройстве можно использовать высокоомный резистор R3 и этим обеспечить практически любое необходимое время tР, для получения требуемого значения tИ2. Необходимо отметить, что рассмотренное устройство может выполнять функции селектора импульсов по длительности. В частности, оно не будет реагировать на импульсы, длительность которых меньше времени tР. Эта особенность использована в устройствах контроля уровня радиовещательных трактов описанных в п. 3.8.5.
