- •А.Н. Игнатов
- •Полевые транзисторы
- •И их применение
- •В технике связи
- •Монография
- •Предисловие
- •1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •1.1. Классификация пт
- •1.2. Терминология и обозначения в системе параметров пт
- •1.3. Типы, характеристики и свойства пт
- •1.3.1. Общие сведения
- •1.3.2. Типы полевых транзисторов
- •1.3.3. Статические характеристики
- •1.3.4. Механизмы пробоя пт
- •1.3.5. Радиационная стойкость пт
- •1.3.6. Светочувствительность пт
- •1.3.7. Влияние температуры на характеристики пт
- •1.4. Модели пт и анализ эквивалентных схем пт
- •1.4.1. Общие сведения
- •1.4.2. Параметры пт на низких частотах
- •1.4.3. Параметры пт на высоких частотах
- •1.5. Основные режимы работы пт
- •1.6. Способы аппроксимации характеристик передачи пт
- •1.7. Особенности технологии и технико-экономические показатели производства пт
- •1.8. Перспективные области использования пт в технике связи
- •1.8.1. Общие сведения
- •1.8.2. Использование пт в качестве управляемых сопротивлений
- •1.8.3. Использование пт в ключевом режиме
- •1.8.4. Использование пт в режиме усиления
- •1.8.5. Использование пт в режиме с прямыми токами затвора
- •1.8.6. Использование пт в режиме пробоя
- •1.8.7. Использование пт в оптоэлектронных приборах
- •1.8.8. Использование пт в интегральных схемах
- •2.2. Регулировка коэффициента передачи изменением крутизны полевого транзистора в пологой области
- •2.3. Регулировка коэффициента передачи изменением проводимости канала в крутой области
- •2.4. Взаимосвязь параметров полевых транзисторов
- •2.5. Диапазон регулирования крутизны проводимости пт
- •2.6. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в пологой области характеристик
- •2.7. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в крутой области характеристик
- •2.8. Способы улучшения качественных показателей регуляторов усиления на пт
- •2.9. Методика расчета и исследование регуляторов усиления на пт
- •2.10. Динамические характеристики регуляторов на пт
- •2.11.2 .Применение пт в регуляторах тембра
- •2.11.3. Портативный приемник с высокоэффективной ару на пт
- •2.11.4. Экспандер на полевом транзисторе
- •2.11.5. Расчет авторегулятора уровня на пт
- •2.11.6. Усилитель с электронной регулировкой коэффициента передачи с помощью пт
- •2.11.7. Автогенератор с чм на пт
- •2.11.8. Диапазонный генератор с ам, широкополосный чм и электронной перестройкой частоты
- •3. Свойства и применение пт в ключевом режиме
- •3.1. Особенности работы пт в ключевых схемах аналоговых сигналов
- •3.2. Особенности работы пт в ключевых схемах дискретных сигналов
- •3.3. Параметры в ключевом режиме
- •3.4. Принципы построения ключевых схем на пт и особенности их расчета
- •3.5. Схемы управления ключами на пт
- •З.6. Показатели качества ключей на пт
- •3.7. Сравнение ключевых свойств полупроводниковых элементов
- •3.8.2. Применение пт в коммутаторе для центральной
- •3.8.3. Коммутатор на пт для системы передачи телеметрической информации
- •3.8.4. Некоторые применения ключевого режима работы пт в устройствах связи
- •3.8.5. Применение пт в устройстве автоматического контроля параметров радиовещательного тракта и автоматического перехода на резерв
- •4. Анализ свойств и возможностей применения пт в режиме усиления
- •4.1. Анализ нелинейных свойств пт
- •4.2. Оценка нелинейности характеристик передачи отечественных пт
- •4.3. Источники шумов пт
- •4.4. Определение шумовых параметров пт
- •4.5. Сравнение активных компонентов по уровню собственных шумов
- •4.6. Оптимизация параметров усилительных каскадов на пт
- •4.7.2. Применение пт в малошумящих усилителях
- •4.7.3. Применение пт в активных фильтрах
- •4.7.4. Каскады радиоприемников на пт в режиме усиления
- •5.2. Теория затворного детектора
- •5.3. Методика расчета затворного детектора
- •Исходные данные для расчета детектора
- •Порядок расчета
- •5.4. Анализ свойств пт в комбинированном режиме
- •5.5. Методика расчета каскада с пт в комбинированном режиме
- •5.6. Способы использования пт в комбинированном режиме
- •5.7. Практические схемы устройств техники связи с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •5.7.1. Преобразователи длительности импульсов на пт
- •5.7.2. Электронное реле времени пригодное для интегрального исполнения
- •5.7.3. Устройство селективного вызова
- •5.7.4. Приемник многочастотного селективного вызова
- •5.7.5. Устройство контроля нескольких параметров по двум проводам
- •5.7.6. Вольтметры с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •6. Полевые транзисторы для силовой электроники
- •6.1. Мощные полевые транзисторы
- •6.2 Транзисторы со статической индукцией
- •6.3. Мощные мдп-транзисторы с вертикальными каналами
- •6.4. Гибридные силовые транзисторы
- •6.5. Применение силовых полевых транзисторов
- •6.6.1. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •6.6.2. Усилители мощности на силовых транзисторах
- •7. Наноэлектронные транзисторы
- •7.1. Введение
- •7.2. Нанотранзисторы на основе структур хранения на сапфире
- •7.3. Нанотранзисторы с гетеропереходами
- •7.4. Нанотранзисторы с резонансным туннелированием
- •7.5. Нанотранзисторы на основе нанотрубок
- •Список литературы
4.4. Определение шумовых параметров пт
Шумовые свойства ПТ, как и любого другого активного элемента, можно характеризовать двумя шумовыми генераторами, между которыми в общем случае существует корреляция. Если шумы привести ко входу, то в качестве шумовых параметров удобно использовать: генератор шумовой ЭДС е, включенный последовательно со входом, генератор шумового тока i, шунтирующий вход и коэффициент корреляции между ними С (рисунок 4.6, а), Параметры е, i, с частотнозависимы. Их можно определить либо экспериментально, либо исходя из анализа физических источников шума.
Значение шумовой ЭДС е можно найти аналитически, используя уравнения (4.42) и (4.48):
,
(4.58)
где S – крутизна характеристики передачи реального ПТ в рабочей точке, принята равной Sm, А1 – коэффициент, зависящий от конструкции прибора.
а)
|
|
|
|
б)
Рис. 4.6. К определению шумовых свойств усилителей на ПТ
Для транзисторов с p-n-переходом значение шумового тока при UЗИ = 0, согласно выражениям (4.52) и (4.55), равно:
.
(4.59)
Коэффициент корреляции С равен:
.
(4.60)
На практике часто используют другой шумовой параметр – дифференциальный коэффициент шума КШ, представляющий собой отношение мощности всех шумов, приведенных ко входу, к той ее части, которая вызвана тепловым шумом сопротивления источника. Дифференциальный коэффициент шума определяется в узкой полосе частот. Его нетрудно выразить через параметры u, i, с, еcли заменить два статистически зависимых источника тремя независимыми (рисунок 4.6, б):
.
(4.61)
С учетом (4.60) выражение (4.61) принимает вид:
.
(4.62)
При этом коэффициент шума КШ выражается следующим образом:
.
(4.63)
Тепловые шумы сопротивления R определяются формулой Найквиста:
.
(4.64)
Коэффициент шума с учетом (4.64) равен:
.
(4.65)
Из выражения (4.65) следует, что, зная параметры u, i, с, легко вычислить коэффициент шума и, наоборот, зная значения коэффициента шума при трех значениях сопротивления источника R, нетрудно определить параметры u, i, с.
В случае, если сопротивление Z источника сигнала является комплексным, коэффициент корреляции С имеет действительную и мнимую части:
,
(4.66)
где u * – комплексно сопряженная величина. При этом выражение (4.61) принимает вид:
.
(4.67)
В выражении (4.62) составляющую, учитывающую корреляцию источников шума, можно представить в виде:
.
(4.68)
Если Z является чисто реактивным, эквивалентная шумовая ЭДС транзистора равна:
,
(4.69)
где X – реактивное сопротивление источника сигнала.
Например, если сопротивлением источника сигнала является емкость, то суммарное шумовое напряжение, приведенное ко входу в узкой полосе частот, равно:
.
(4.70)
Напряжение шумов, приведенное ко входу в широкой полосы частот, находится интегрированием выражения (4.70):
.
(4.71)
Следует помнить,
что ЭДС
включена последовательно со входом, а
не между точками
1 – 2 (рисунок
4.6, б). Шумовое напряжение между точками
1–2 находится из уравнения:
. (4.72)
Коэффициент шума усилительного каскада на ПТ при комплексном импедансе источника сигнала можно записать в виде:
.
(4.73)
Дифференцирование (4.73) по RГ и приравнивание результата к нулю позволяет определить величину сопротивления источника сигнала R0, обеспечивающую минимальный коэффициент шума:
.
(4.74)
Если Z является полностью резистивным:
.
(4.75)
При этом минимальный коэффициент шума с учетом (4.75) равен:
.
(4.76)
В работах [18, 19], посвященных анализу шумов транзисторных цепей в области звуковых частот, показано, что в инженерной практике целесообразно характеризовать шумовые свойства транзисторов, используя только два параметра: сопротивление генератора шумового напряжения RШН и сопротивление генератора шумового тока RШТ. Выражения для упомянутых шумовых параметров в [18, 19] не приводятся, однако их нетрудно получить из уравнений (4.58) и (4.54):18,19
,
(4.77)
.
(4.78)
Коэффициент шума, здесь определяется:
.
(4.79)
Оптимальное значение сопротивления источника сигнала равно:
.
(4.80)
Подстановка (4.80) в (4.79) позволяет найти минимальную величину коэффициента шума:
.
(4.81)
На высоких частотах
корреляция генераторов шумов проявляется
в появлении индуцированных токов
затвора, определяемых выражениями
(4.55) и (4.56).
На частотах, где выполняется неравенство
,
влияния составляющей шумового тока
затвора, можно
пренебречь, и,
учитывая только влияние индуцированного
шумового тока затвора выражение для
шумового сопротивления тока затвора
можно записать в виде:
.
(4.82)
Подставив (4.82) в (4.81), найдем минимальный коэффициент шума ПТ на высоких частотах:
.
(4.83)
Если, например, СЗИ = 10-11 Ф,
S = 2 мА/В,
А1 = 0,7,
А2 = 0,3,
то на частоте 100мГц, КШ МИН = 3,7 или КШ МИН = 10Lg3,7 = 5,6дБ.
Рассматривая выражения (4.76) и (4.81), нетрудно убедиться в том, что уравнение (4.81) более удобно для использования в инженерной практике. Значения шумовых параметров RШН и RШТ нетрудно определять на любых частотах и при изменении режима работы, как ПТ, так и электронных ламп и биполярных транзисторов. Следовательно, их целесообразно использовать в качестве основных при сравнительном анализе шумовых свойств активных компонентов.
