- •Зайцев ю.В., Мирошниченко а.Ю., Холодный д.С. Материалы и элементы электронной техники (физика процессов, строение и электрические характеристики)
- •Введение
- •1. Структура и строение материалов
- •1.1. Основные кристаллические структуры
- •1.2. Структуры бинарных соединений типа ав
- •1.3. Эффективные радиусы ионов и атомов
- •1.4. Геометрические пределы устойчивости структур с различными координационными числами
- •2. Процессы поляризации, диэлектрические потери
- •2.1. Комплексная диэлектрическая проницаемость
- •2.2. Уравнение электрического поля для изотропной среды
- •2.3. Электронная поляризация
- •2.4. Атомная и ионная поляризация
- •2.5. Ориентационная поляризация
- •2.6. Комплексная диэлектрическая проницаемость и уравнения Максвелла
- •2.7. Релаксационные потери
- •2.8. Физическая сущность диэлектрических потерь
- •3. Виды поляризация диэлектриков и диэлектрические потери
- •3.1. Виды поляризации
- •3.2. Простейшие схемы замещения диэлектриков с потерями
- •3.4. Тепловые виды поляризации
- •Зависимость от температуры параметров, описывающих тепловую поляризацию
- •Диаграмма коул-коула
- •3.4. Механизмы упругой поляризации.
- •3.5. Решеточное поглощение и отражение
- •4. Представление диэлектриков с помощью эквивалентных схем
- •4.1. Двух- и трех- элементные эквивалентные схемы
- •Входные характеристики
- •4.3. Схемы замещения реальных элементов электрических цепей
- •4.4. Поверхностная и объёмная поляризация
- •4.4. Измерение ε и tgδ
- •5. Классическая теория проводимости металлов
- •5.1. Основные предположения проводимости по теории Друде
- •5.2. Статическая электропроводность металла
- •6. Теория электропроводности Зоммерфельда
- •6.1. Распределения Максвелла − Больцмана и Ферми − Дирака
- •6.2. Свойства электронного газа в основном состоянии
- •6.2.1. Электрон как волна
- •6.2.2. Математическое описание волн
- •6.2.3. Уравнение Шредингера и волновая функция
- •7. Электропроводность диэлектриков и полупроводников
- •7.1. Электропроводность диэлектрических и полупроводниковых материалов
- •7.2. Диэлектрические керамические материалы
- •7.2.1. Алюминия оксид
- •7.2.2. Нанокристаллические материалы
- •7.2.3. Применение наноразмерных сегнетоэлектрических материалов
- •7.2.4. Пористая пьезокерамика
- •7.3. Полупроводниковые материалы
- •7.3.1. Типы полупроводников
- •7.4.2. Методы роста
- •7.5. Ионная проводимость
- •7.5.1. Диффузия ионов в электрическом поле
- •7.6. Зонная теория твердого тела
- •7.6.1. Стационарное уравнение Шредингера
- •7.6.2. Электрон в бесконечно глубокой потенциальной яме
- •7.6.3. Структула энергетических зон
- •7.6.4. Адиабатическое приближение и валентная аппроксимация
- •7.6.5. Одноэлектронное приближение
- •7.6.6. Трансляционная симметрия зон Бриллюэна
- •7.7. Колебания кристаллической решетки. Фононы
- •7.8. Теплоемкость твердых тел
- •8. Плёночные резисторы и конденсаторы
- •8.1.Конструкции и основные характеристики резисторов
- •8.2.Основные характеристики резисторов
- •8.3. Обозначения и маркировка резисторов
- •8.4. Специальные виды резисторов.
- •8.5. Конденсаторы
- •8.5.1. Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •8.5.2. Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •8.6. Области использования конденсаторов
- •9. Коррозионная стойкость металлов
- •9.1. Виды коррозионных процессов
- •9.2. Физика процессов коррозии металлов
- •9.3. Образование продуктов окисления на поверхности металла
- •9.4. Основные стадии коррозии металлов
- •9.5. Адсорбция газов на поверхности металлов
- •9.6. Адсорбция кислорода на поверхности металла и образование оксида
- •9.7. Плёнки на поверхности металлов
- •9.8. Кинетика газовой коррозии металлов
- •9.9. Линейный закон роста плёнок
- •9.10. Параболический закон роста пленок
- •9.11. Сложные законы роста пленок
- •9.12. Оксидные пленки на поверхности металла
- •9.13. Механизм химической коррозии
- •9.14. Влияние внутренних и внешних факторов на скорость газовой коррозии
- •9.14.1. Влияние состава плёнки
- •9.14.2. Влияние температуры
- •9.14.3. Влияние давления и состава газа
- •9.15. Теории жаростойкого легирования
- •10. Металлические сплавы
- •10.1. Образование сплавов
- •10.2. Строение сплавов
- •10.3. Твердые растворы
- •10.4. Строение и свойства железоуглеродистых сплавов
- •10.5. Строение и свойства железа
- •10.6. Компоненты и фазы в сплавах системы (железо−углерод)
- •11. Магнитные материалы
- •11.1. Магнитные свойства твердых тел
- •11.1.1. Диамагнетики
- •11.1.2. Парамагнетизм
- •11.1.3. Ферромагнетики. Антиферромагнетики
- •1 ‒ Распределение в изолированных атомах; 2 ‒ распределение при обобществлении электронов.
- •11.2. Доменная структура
- •11.3. Намагничивание
- •11.4. Магнитострикция и термострикция
- •11.5. Ферримагнетизм. Ферриты
- •11.6. Процесс намагничивания.
- •11.6.1 Движение доменной стенки
- •11.6.2. Взаимодействие намагниченности с магнитным полем
- •11.6.3. Динамические эффекты процесса намагничивания
- •11.6.4. Перминвар - эффект
- •11.6.5. Магнитное последействие
- •11.7. Частотная зависимость магнитной проницаемости
- •Литература
7.2.2. Нанокристаллические материалы
Идея о том, что свойства материалов зависят от толщины плёнок и соответственно от размера кристаллического зерна, имеет довольно давнюю историю [27]. Очевидно, что при размере кристаллита, соизмеримом с характеристическими размерными параметрами физических явлений, материал должен проявлять особые свойства. Первые работы в этой области были сделаны еще Д. Томпсоном в начале XX в., который рассмотрел влияние толщины пленок на электрическое сопротивление с учетом длины свободного пробега электронов.
Эта идея была распространена и на ультрадисперсные среды. При этом предполагается, что размеры частиц, соизмеримые с характерным корреляционным масштабом того или иного физического явления или характерной длиной какого-либо процесса переноса, являются началом ультрадисперсного (нанокристаллического) состояния или его верхним размерным пределом [27]. По чисто условным соображениям этот предел принимается равным 100 нм, что связано со значительными и технически интересными изменениями физико-механических свойств наноматериалов (прочности, твердости, коэрцитивной силы и др.) при уменьшении размеров зерен ниже 100 нм [27] .
Можно определить также и нижний предел линейного размера на-нокристаллита. По мере снижения размера кристаллита, характеризующегося строгим набором элементов симметрии, наступает такой момент, когда снижение размера кристалла будет приводить к потере некоторых элементов симметрии. Этот критический размер, при котором он еще сохраняет все присущие данному типу кристалла элементы симметрии, и следует считать нижним пределом размера нанокристаллита. Например, если кристалл имеет широко распространенную в природе ОЦК или ГЦК решетку, то можно показать, что критический размер равен трем координационным сферам. Например, для a-Fe критический размер нанокристалла будет составляет около 0,5 нм, для Ni −около 0,6 нм. Таким образом, можно считать, что нанокристаллические материалы −это одно- или многофазные поликристаллы с размером зерна от ~ 1 нм.
Для классификации нанокомпозитов (многофазных нанокристалли-ческих сред) представляется уже недостаточной классификация рис. 7.3, т.к. в этом случае вступают в силу дополнительные факторы, связанные с границами раздела и химическим составом. По этим признакам можно выделить четыре группы наноматериалов. Для наиболее простого варианта химический состав кристаллитов и границ раздела одинаков − это, например, слоистые поликристаллические полимеры или чистые металлы с нанокристаллической равноосной структурой. Вторая группа представляет материалы с кристаллитами различного химического состава, в частности, многослойные структуры. Для материалов третьей группы химический состав зерен и границ раздела различен. Материалы, в которых нанораз-мерные компоненты структуры (слои, волокна или изометричные кристаллиты) диспергированы в матрице сплава другого химического состава, составляют четвертую группу.
В таких материалах от 2 до 80% объема приходится на межзеренные или межфазные границы (рис. 7.3). Многие факторы свидетельствуют, что структурное состояние атомов, составляющих межзеренные или межфазные границы, отличается от структурного расположения атомов не только в кристаллах, но и в аморфных твердых телах. Разупорядоченная структура границ зерен или межфазовых границ в нанокристаллических материалах может быть подобна газообразному беспорядку расположения атомов в пространстве [1].
Рис. 7.3. Зависимость объёмной фазных границ доли тройных стыков и границ зёрен от размера зерна (при толщине границы 1 нм) [27].
С помощью мессбауэровской спектроскопии нанокристаллического железа было показано [27], что НКМ может быть разделен на две структурные компоненты: кристаллическую, которая включает в себя атомы, расположенные внутри кристаллитов, и межкристаллитную, образуемую из всех атомов, расположенных в границе. Расположение в пространстве граничных атомов отличается от расположения решеточных атомов. В кристаллитах имеется дальний порядок расположения атомов. Атомная структура границ не является простой и зависит от многих параметров, в первую очередь от ориентировки двух соседних кристаллов. Поскольку кристаллиты, формирующие нанокристаллический материал, ориентированы случайно, то таких границ, имеющих различное строение, может быть порядка 1019 в 1 см3. Следовательно, межкристаллитная компонента представляет собой огромную сумму различных положений атомов в пространстве, задаваемых различно ориентированными кристалликами. Хаотичное расположение атомов на границе − характерная черта нанокристаллических материалов.
Объёмные доли межкристаллитной и непосредственно кристаллической (совершенной) компоненты поликристалла равны при размере зерна около 5 нм при толщине границы 1 нм. Объемная доля тройных стыков значительно возрастает при размерах зерен менее 10 нм [27] . В ряде случаев при уменьшении размера зерна наблюдается изменение межатомных расстояний в кристаллической решетке.
Практически все типы наноматериалов в силу условий получения и особенностей структуры являются неравновесными. В самом общем виде удаление от равновесия и соответственно избыточная свободная энергия Гиббса могут быть связаны с характерным для наноматериалов обилием поверхностей раздела (межзеренные и межфазные границы, тройные стыки), наличием неравновесных фаз и пограничных сегрегации, остаточных напряжений и повышенного содержания дефектов кристаллического строения. Вполне очевидно, что при термических воздействиях, а также в силовых полях (радиационных, деформационных и др.) неизбежны рекристаллизационные, релаксационные, сегрегационные и гомогенизационные процессы, а также явления распада, фазовых превращений, спекания и заплывания нанопор (нанокапилляров), аморфизации и кристаллизации. Все это должно сказываться на физико-химических, физико-механических и других свойствах.
Имеется довольно много экспериментальных фактов, свидетельствующих как о термической стабильности наноструктур, так и об активной их рекристаллизации даже при комнатных температурах [27]. В последнее время появился ряд работ [27], в которых сделана попытка оценить роль различных факторов в росте зерен применительно к наноматериалам. Теоретически показано, например, что инжекция вакансий внутрь зерен, которая имеет место при движении межзеренной границы, повышая свободную энергию системы, делает термодинамически невыгодным рост зерен, но только в определенном интервале размеров последних. Наличие тройных стыков, доля которых в структуре наноматериалов значительна, также замедляет рост зерен. Таким же образом действуют поры, сегрегации на границах и сжимающие напряжения. Однако неоднородное начальное распределение зерен по размерам и растягивающие остаточные напряжения инициируют рост зерен.
Необходимо также иметь в виду, что в случае легированных наноструктур, зависимость молярной свободной энергии Гиббса для бинарного нанокристаллического сплава имеет вид показанный на рис 7.4 [27]..
Рис. 7.4. Зависимость молярной свободной энергии Гиббса для бинарного нанокристаллического сплава со средней концентрацией 5 % (ат.) от размера кристаллитов (для обычного поликристалла G = 4 кДж/моль (Т = 600 К).
У конструкционных
керамических материалов
такой ход зависимости был
выявлен расчётным
путем с использованием соотношения
Фаулера −Гуггенгейма
[27], что, конечно, повышает зависимости
G(L)
(рис. 7.4) означает,
что из-за существования минимума при
рост
зерен в интервале
становится так же
как и в упомянутом выше случае инжекции
вакансий термодинамически невыгодным.
