- •Зайцев ю.В., Мирошниченко а.Ю., Холодный д.С. Материалы и элементы электронной техники (физика процессов, строение и электрические характеристики)
- •Введение
- •1. Структура и строение материалов
- •1.1. Основные кристаллические структуры
- •1.2. Структуры бинарных соединений типа ав
- •1.3. Эффективные радиусы ионов и атомов
- •1.4. Геометрические пределы устойчивости структур с различными координационными числами
- •2. Процессы поляризации, диэлектрические потери
- •2.1. Комплексная диэлектрическая проницаемость
- •2.2. Уравнение электрического поля для изотропной среды
- •2.3. Электронная поляризация
- •2.4. Атомная и ионная поляризация
- •2.5. Ориентационная поляризация
- •2.6. Комплексная диэлектрическая проницаемость и уравнения Максвелла
- •2.7. Релаксационные потери
- •2.8. Физическая сущность диэлектрических потерь
- •3. Виды поляризация диэлектриков и диэлектрические потери
- •3.1. Виды поляризации
- •3.2. Простейшие схемы замещения диэлектриков с потерями
- •3.4. Тепловые виды поляризации
- •Зависимость от температуры параметров, описывающих тепловую поляризацию
- •Диаграмма коул-коула
- •3.4. Механизмы упругой поляризации.
- •3.5. Решеточное поглощение и отражение
- •4. Представление диэлектриков с помощью эквивалентных схем
- •4.1. Двух- и трех- элементные эквивалентные схемы
- •Входные характеристики
- •4.3. Схемы замещения реальных элементов электрических цепей
- •4.4. Поверхностная и объёмная поляризация
- •4.4. Измерение ε и tgδ
- •5. Классическая теория проводимости металлов
- •5.1. Основные предположения проводимости по теории Друде
- •5.2. Статическая электропроводность металла
- •6. Теория электропроводности Зоммерфельда
- •6.1. Распределения Максвелла − Больцмана и Ферми − Дирака
- •6.2. Свойства электронного газа в основном состоянии
- •6.2.1. Электрон как волна
- •6.2.2. Математическое описание волн
- •6.2.3. Уравнение Шредингера и волновая функция
- •7. Электропроводность диэлектриков и полупроводников
- •7.1. Электропроводность диэлектрических и полупроводниковых материалов
- •7.2. Диэлектрические керамические материалы
- •7.2.1. Алюминия оксид
- •7.2.2. Нанокристаллические материалы
- •7.2.3. Применение наноразмерных сегнетоэлектрических материалов
- •7.2.4. Пористая пьезокерамика
- •7.3. Полупроводниковые материалы
- •7.3.1. Типы полупроводников
- •7.4.2. Методы роста
- •7.5. Ионная проводимость
- •7.5.1. Диффузия ионов в электрическом поле
- •7.6. Зонная теория твердого тела
- •7.6.1. Стационарное уравнение Шредингера
- •7.6.2. Электрон в бесконечно глубокой потенциальной яме
- •7.6.3. Структула энергетических зон
- •7.6.4. Адиабатическое приближение и валентная аппроксимация
- •7.6.5. Одноэлектронное приближение
- •7.6.6. Трансляционная симметрия зон Бриллюэна
- •7.7. Колебания кристаллической решетки. Фононы
- •7.8. Теплоемкость твердых тел
- •8. Плёночные резисторы и конденсаторы
- •8.1.Конструкции и основные характеристики резисторов
- •8.2.Основные характеристики резисторов
- •8.3. Обозначения и маркировка резисторов
- •8.4. Специальные виды резисторов.
- •8.5. Конденсаторы
- •8.5.1. Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •8.5.2. Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •8.6. Области использования конденсаторов
- •9. Коррозионная стойкость металлов
- •9.1. Виды коррозионных процессов
- •9.2. Физика процессов коррозии металлов
- •9.3. Образование продуктов окисления на поверхности металла
- •9.4. Основные стадии коррозии металлов
- •9.5. Адсорбция газов на поверхности металлов
- •9.6. Адсорбция кислорода на поверхности металла и образование оксида
- •9.7. Плёнки на поверхности металлов
- •9.8. Кинетика газовой коррозии металлов
- •9.9. Линейный закон роста плёнок
- •9.10. Параболический закон роста пленок
- •9.11. Сложные законы роста пленок
- •9.12. Оксидные пленки на поверхности металла
- •9.13. Механизм химической коррозии
- •9.14. Влияние внутренних и внешних факторов на скорость газовой коррозии
- •9.14.1. Влияние состава плёнки
- •9.14.2. Влияние температуры
- •9.14.3. Влияние давления и состава газа
- •9.15. Теории жаростойкого легирования
- •10. Металлические сплавы
- •10.1. Образование сплавов
- •10.2. Строение сплавов
- •10.3. Твердые растворы
- •10.4. Строение и свойства железоуглеродистых сплавов
- •10.5. Строение и свойства железа
- •10.6. Компоненты и фазы в сплавах системы (железо−углерод)
- •11. Магнитные материалы
- •11.1. Магнитные свойства твердых тел
- •11.1.1. Диамагнетики
- •11.1.2. Парамагнетизм
- •11.1.3. Ферромагнетики. Антиферромагнетики
- •1 ‒ Распределение в изолированных атомах; 2 ‒ распределение при обобществлении электронов.
- •11.2. Доменная структура
- •11.3. Намагничивание
- •11.4. Магнитострикция и термострикция
- •11.5. Ферримагнетизм. Ферриты
- •11.6. Процесс намагничивания.
- •11.6.1 Движение доменной стенки
- •11.6.2. Взаимодействие намагниченности с магнитным полем
- •11.6.3. Динамические эффекты процесса намагничивания
- •11.6.4. Перминвар - эффект
- •11.6.5. Магнитное последействие
- •11.7. Частотная зависимость магнитной проницаемости
- •Литература
7.6.5. Одноэлектронное приближение
Одним из наиболее распространенных
методов решения многоэлектронной задачи
для кристалла является метод Хартри—Фока,
позволяющий многоэлектронную задачу
свести к одноэлектронной. Его идея
заключается в том, что энергия попарного
взаимодействия электронов заменяется
взаимодействием каждого электрона с
усредненным полем всех остальных
электронов. Пусть потенциальная энергия
−то
электрона в этом поле будет
.
Она зависит не только от движения всех
остальных электронов, но и от движения
данного электрона, так как его движение
оказывает влияние на движение остальных
электронов. Поскольку поле
,−
не только определяет движение данного
электрона, но и зависит от его движения,
то это поле получило название
самосогласованного. Поле
может быть определено методом
последовательных приближений. Введение
самосогласованного поля позволяет в
уравнении (7.30) двойную суммузаменить
суммой, каждый член которой зависит от
координат одного электрона.
(7.31)
В этом случае
является потенциальной энергией
−го
электрона в поле всех остальных
электронов.
Аналогично .потенциальную энергию взаимодействия электронов с ядрами можно также представить в виде суммы
,
(7.32)
где
— потенциальная энергия
−го
электрона в поле всех ядер.
С учетом (7.31, 7.32) уравнение (7.30) преобразуется к виду
(7.33)
Это уравнение можно записать как
(7.34)
Где
гамильтониан
−го
электрона, равный
(7.35)
Из равенства (7.34) следует, что электроны движутся независимо друг от друга в некотором самосогласованном потенциальном поле. Таким образом, введение самосогласованного поля позволяет электроны кристалла рассматривать как систему невзаимодействующих частиц. Поскольку гамильтониан не содержит энергии взаимодействия электронов, то волновую функцию системы электронов можно представить в виде произведения волновых функций отдельных электронов:
, (7.36)
а полная энергия системы равна сумме энергий отдельных электронов:
(7.37)
Итак, не вдаваясь в строгие
обоснования, которые обсуждаются во
многих стандартных учебниках по физике
твердого тела, сделано предположим, что
каждый электрон испытывает одинаковый
средний потенциал
.
Таким образом, уравнения
Шрёдингера, описывающие движения каждого
электрона,
(7.38)
идентичны и будут иметь вид
где
,
и
обозначают, соответственно, одноэлектронный
гамильтониан, волновую функцию и энергию
электрона в собственном состоянии n.
Необходимо помнить, что
каждое собственное состояние может
содержать не более двух электронов с
противоположными спинами (принцип
запрета Паули).
Вычисление энергий электронов
производится в два
этапа. Вначале находят одноэлектронный
потенциал
.
Позднее в этой главе мы обсудим различные
способы определения или вычисления
.
В одном из методов
находится из первых
принципов, когда номера атомов и их
позиции являются единственными входными
параметрами. В более простых, так
называемых полуэмпирических методах,
потенциал выражается через параметры,
которые определяются путем подгонки к
экспериментальным результатам. После
того, как потенциал найден, для нахождения
решения (7.38) все еще
требуются сложные вычисления. Для
облегчения вычислений часто бывает
удобно использовать симметрию кристалла.
Здесь под «симметрией» мы имеем в виду
геометрические преобразования, которые
не приводят к изменению кристалла.
