- •Зайцев ю.В., Мирошниченко а.Ю., Холодный д.С. Материалы и элементы электронной техники (физика процессов, строение и электрические характеристики)
- •Введение
- •1. Структура и строение материалов
- •1.1. Основные кристаллические структуры
- •1.2. Структуры бинарных соединений типа ав
- •1.3. Эффективные радиусы ионов и атомов
- •1.4. Геометрические пределы устойчивости структур с различными координационными числами
- •2. Процессы поляризации, диэлектрические потери
- •2.1. Комплексная диэлектрическая проницаемость
- •2.2. Уравнение электрического поля для изотропной среды
- •2.3. Электронная поляризация
- •2.4. Атомная и ионная поляризация
- •2.5. Ориентационная поляризация
- •2.6. Комплексная диэлектрическая проницаемость и уравнения Максвелла
- •2.7. Релаксационные потери
- •2.8. Физическая сущность диэлектрических потерь
- •3. Виды поляризация диэлектриков и диэлектрические потери
- •3.1. Виды поляризации
- •3.2. Простейшие схемы замещения диэлектриков с потерями
- •3.4. Тепловые виды поляризации
- •Зависимость от температуры параметров, описывающих тепловую поляризацию
- •Диаграмма коул-коула
- •3.4. Механизмы упругой поляризации.
- •3.5. Решеточное поглощение и отражение
- •4. Представление диэлектриков с помощью эквивалентных схем
- •4.1. Двух- и трех- элементные эквивалентные схемы
- •Входные характеристики
- •4.3. Схемы замещения реальных элементов электрических цепей
- •4.4. Поверхностная и объёмная поляризация
- •4.4. Измерение ε и tgδ
- •5. Классическая теория проводимости металлов
- •5.1. Основные предположения проводимости по теории Друде
- •5.2. Статическая электропроводность металла
- •6. Теория электропроводности Зоммерфельда
- •6.1. Распределения Максвелла − Больцмана и Ферми − Дирака
- •6.2. Свойства электронного газа в основном состоянии
- •6.2.1. Электрон как волна
- •6.2.2. Математическое описание волн
- •6.2.3. Уравнение Шредингера и волновая функция
- •7. Электропроводность диэлектриков и полупроводников
- •7.1. Электропроводность диэлектрических и полупроводниковых материалов
- •7.2. Диэлектрические керамические материалы
- •7.2.1. Алюминия оксид
- •7.2.2. Нанокристаллические материалы
- •7.2.3. Применение наноразмерных сегнетоэлектрических материалов
- •7.2.4. Пористая пьезокерамика
- •7.3. Полупроводниковые материалы
- •7.3.1. Типы полупроводников
- •7.4.2. Методы роста
- •7.5. Ионная проводимость
- •7.5.1. Диффузия ионов в электрическом поле
- •7.6. Зонная теория твердого тела
- •7.6.1. Стационарное уравнение Шредингера
- •7.6.2. Электрон в бесконечно глубокой потенциальной яме
- •7.6.3. Структула энергетических зон
- •7.6.4. Адиабатическое приближение и валентная аппроксимация
- •7.6.5. Одноэлектронное приближение
- •7.6.6. Трансляционная симметрия зон Бриллюэна
- •7.7. Колебания кристаллической решетки. Фононы
- •7.8. Теплоемкость твердых тел
- •8. Плёночные резисторы и конденсаторы
- •8.1.Конструкции и основные характеристики резисторов
- •8.2.Основные характеристики резисторов
- •8.3. Обозначения и маркировка резисторов
- •8.4. Специальные виды резисторов.
- •8.5. Конденсаторы
- •8.5.1. Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •8.5.2. Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •8.6. Области использования конденсаторов
- •9. Коррозионная стойкость металлов
- •9.1. Виды коррозионных процессов
- •9.2. Физика процессов коррозии металлов
- •9.3. Образование продуктов окисления на поверхности металла
- •9.4. Основные стадии коррозии металлов
- •9.5. Адсорбция газов на поверхности металлов
- •9.6. Адсорбция кислорода на поверхности металла и образование оксида
- •9.7. Плёнки на поверхности металлов
- •9.8. Кинетика газовой коррозии металлов
- •9.9. Линейный закон роста плёнок
- •9.10. Параболический закон роста пленок
- •9.11. Сложные законы роста пленок
- •9.12. Оксидные пленки на поверхности металла
- •9.13. Механизм химической коррозии
- •9.14. Влияние внутренних и внешних факторов на скорость газовой коррозии
- •9.14.1. Влияние состава плёнки
- •9.14.2. Влияние температуры
- •9.14.3. Влияние давления и состава газа
- •9.15. Теории жаростойкого легирования
- •10. Металлические сплавы
- •10.1. Образование сплавов
- •10.2. Строение сплавов
- •10.3. Твердые растворы
- •10.4. Строение и свойства железоуглеродистых сплавов
- •10.5. Строение и свойства железа
- •10.6. Компоненты и фазы в сплавах системы (железо−углерод)
- •11. Магнитные материалы
- •11.1. Магнитные свойства твердых тел
- •11.1.1. Диамагнетики
- •11.1.2. Парамагнетизм
- •11.1.3. Ферромагнетики. Антиферромагнетики
- •1 ‒ Распределение в изолированных атомах; 2 ‒ распределение при обобществлении электронов.
- •11.2. Доменная структура
- •11.3. Намагничивание
- •11.4. Магнитострикция и термострикция
- •11.5. Ферримагнетизм. Ферриты
- •11.6. Процесс намагничивания.
- •11.6.1 Движение доменной стенки
- •11.6.2. Взаимодействие намагниченности с магнитным полем
- •11.6.3. Динамические эффекты процесса намагничивания
- •11.6.4. Перминвар - эффект
- •11.6.5. Магнитное последействие
- •11.7. Частотная зависимость магнитной проницаемости
- •Литература
1.3. Эффективные радиусы ионов и атомов
Первые модели (представления) молекул в виде корпускул шарообразной формы предложены ещё М.Ломоносовым в 1749 г. Кристаллы он представлял себе как совокупность шарообразных соприкасающихся друг с другом молекул. Однако первые модели структур кристаллов и других веществ из шарообразных «атомов» различных размеров были построены только в 1906−1907 гг. Барлоу и Попом [7].
Многочисленные исследования показали, что в кристаллах типа структурные частицы, слагающие кристалл, являются ионами. Атом натрия, после отщепления от него валентного электрона, становится положительно заряженным ионом с устойчивой внешней электронной оболочкой. Атом хлора, присоединяя один электрон, заряжается отрицательно и получает аналогичную устойчивую конфигурацию внешних электронов. Состояние равновесия между ионами натрия и хлора наступает в результате уравновешивания сил притяжения между разноименными ионами и сил отталкивания, возникающих между отрицательно заряженными электронными оболочками обоих ионов. При симметричном окружении каждого иона в кристалле ионами противоположного знака можно с большой степенью точности считать эти ионы несжимаемыми шарами и размер их характеризовать величиной радиуса. Не следует, однако, смешивать этот эффективный радиус с расстоянием наружной оболочки атома (иона) от ядра.
Как отмечено выше, с помощью
рентгеновского анализа нельзя определить
размеры ионов в кристаллических
структурах. Измеряя межплоскостные
расстояния, можно получить сумму радиусов
катиона
и аниона
.
Так, например, расстояние
= 2,81 A.
Какая часть из этого расстояния
приходится на долю
, какая на долю
− трудно сказать. Можно только
предполагать, что размер анионов будет,
в общем, больше размера катионов, так
как анионы имеют, по сравнению с
нейтральными атомами, лишние электроны,
в то время как катионы содержат меньшее
число электронов, чем нейтральные атомы.
Кроме того, очевидно, что при переходе
от одного элемента к другому внутри
одной подгруппы периодической системы
элементов будет иметь место увеличение
размеров ионов с возрастанием атомного
номера. Об этом можно судить по кривым
атомных объемов. Определить размеры
радиусов анионов можно следующим
способом. Если взять вещества с малыми
катионами (например
)
и большими анионами (например,
),
то можно ожидать, что межплоскостные
расстояния
Рис. 1.11. Схема определения радиуса иона. Начальными буквами алфавита обычно обозначаются катионы, последними – анионы [7].
кристаллов будут обусловлены
только размерами анионов. Маленькие
же катионы будут располагаться в пустотах
между анионами. Этот случай будет иметь
место тогда, когда анионы касаются друг
друга (рис. 1.11). Сравнивая межатомные
расстояния двух соединений, кристаллизующихся
в структуре хлористого натрия (
2,10 А и
2,24 A),
можно сделать вывод, что ион марганца
больше, чем ион магния [7].
Возьмём анион большего
размера, чем кислород, например селен.
Тогда соответствующие межатомные
расстояния будут:
2,73 A
и
2,73 A.
Очевидно, что в этих структурах
межатомные расстояния обусловлены
только размерами иона селена. Отсюда
можно вычислить радиус иона двухвалентного
селена. Он равен 2,73√2/2 = 1,92 А (см. рис.
1.11). Зная же размеры хотя бы одного
аниона, можно определить радиусы других
ионов. Для этого надо выбрать структуры,
в которые входит известный анион и у
которых межатомные расстояния обусловлены
суммой радиусов
.
Таким путем можно
определить радиусы всех ионов. Так,
например, Са—
,
откуда
;
,
откуда
.
Эта работа была проделана
для большинства химических элементов
В.М. Гольдшмидтом в 1926 г. Он воспользовался
не радиусом селена
А, определенным этим способом, а радиусами
ионов фтора и кислорода:
и
,
полученными в 1928 г. а из рефрактометрических
данных. Оба метода дают хорошо совпадающие
между собой результаты. Так, например,
Гольдшмидтом получены значения радиусов
ионов для
,
для
.
Атомные же радиусы металлов могут быть определены непосредственно из данных рентгеноструктурного анализа. Для этого достаточно поделить пополам найденное экспериментально межатомное расстояние. Так, например, кратчайшее расстояние между двумя атомами в структуре меди равно 2,55 А, откуда радиус атома меди равен 1,27 А. Кратчайшее расстояние между атомами в структуре магния равно 3,20 А. Радиус атома магния равен 1,60 А [7].
В настоящее время в литературе
имеется несколько таблиц ионных радиусов.
Объясняется это обстоятельство главным
образом тем, что в основу таблицы авторами
кладутся разные величины исходных
ионных радиусов. Как было сказано выше,
Гольдшмидт положил в основу таблицы
величины ионных радиусов фтора
(1,33 А) и кислорода
(1,32 А). Отметим, что расчётный радиус
иона кислорода, по Полингу, равен 1,40 А.
Отсюда расхождение в значениях ионных
радиусов двухвалентных и трехвалентных
металлов, определяемых главным образом
из структур их окислов, в таблицах
Гольдшмидта и Полинга. Нет сомнения в
том, что Гольдшмидт преуменьшил значение
радиуса иона кислорода
,
но и величина 1,40, несомненно, слишком
велика.
Н.В. Белов и Г.Б. Бокий приняли среднюю величину для иона кислорода 1,36 А и, учтя новые данные по структурам простейших бинарных соединений, составили сводную таблицу ионных радиусов. В основу ее положена экспериментальная система Гольдшмидта. В тех случаях, когда расхождение с гольдшмидтовскими значениями меньше 0,02, оставлена прежняя величина [7].
Интересно, что радиусы ионов
редкоземельных элементов уменьшаются
от
до
,
несмотря на возрастание порядкового
номера. Это явление было открыто
Гольдшмидтом и носит название лантаноидного
сжатия. Объяснение его
следует искать в электронном строении
атомов редкоземельных элементов.
