- •Зайцев ю.В., Мирошниченко а.Ю., Холодный д.С. Материалы и элементы электронной техники (физика процессов, строение и электрические характеристики)
- •Введение
- •1. Структура и строение материалов
- •1.1. Основные кристаллические структуры
- •1.2. Структуры бинарных соединений типа ав
- •1.3. Эффективные радиусы ионов и атомов
- •1.4. Геометрические пределы устойчивости структур с различными координационными числами
- •2. Процессы поляризации, диэлектрические потери
- •2.1. Комплексная диэлектрическая проницаемость
- •2.2. Уравнение электрического поля для изотропной среды
- •2.3. Электронная поляризация
- •2.4. Атомная и ионная поляризация
- •2.5. Ориентационная поляризация
- •2.6. Комплексная диэлектрическая проницаемость и уравнения Максвелла
- •2.7. Релаксационные потери
- •2.8. Физическая сущность диэлектрических потерь
- •3. Виды поляризация диэлектриков и диэлектрические потери
- •3.1. Виды поляризации
- •3.2. Простейшие схемы замещения диэлектриков с потерями
- •3.4. Тепловые виды поляризации
- •Зависимость от температуры параметров, описывающих тепловую поляризацию
- •Диаграмма коул-коула
- •3.4. Механизмы упругой поляризации.
- •3.5. Решеточное поглощение и отражение
- •4. Представление диэлектриков с помощью эквивалентных схем
- •4.1. Двух- и трех- элементные эквивалентные схемы
- •Входные характеристики
- •4.3. Схемы замещения реальных элементов электрических цепей
- •4.4. Поверхностная и объёмная поляризация
- •4.4. Измерение ε и tgδ
- •5. Классическая теория проводимости металлов
- •5.1. Основные предположения проводимости по теории Друде
- •5.2. Статическая электропроводность металла
- •6. Теория электропроводности Зоммерфельда
- •6.1. Распределения Максвелла − Больцмана и Ферми − Дирака
- •6.2. Свойства электронного газа в основном состоянии
- •6.2.1. Электрон как волна
- •6.2.2. Математическое описание волн
- •6.2.3. Уравнение Шредингера и волновая функция
- •7. Электропроводность диэлектриков и полупроводников
- •7.1. Электропроводность диэлектрических и полупроводниковых материалов
- •7.2. Диэлектрические керамические материалы
- •7.2.1. Алюминия оксид
- •7.2.2. Нанокристаллические материалы
- •7.2.3. Применение наноразмерных сегнетоэлектрических материалов
- •7.2.4. Пористая пьезокерамика
- •7.3. Полупроводниковые материалы
- •7.3.1. Типы полупроводников
- •7.4.2. Методы роста
- •7.5. Ионная проводимость
- •7.5.1. Диффузия ионов в электрическом поле
- •7.6. Зонная теория твердого тела
- •7.6.1. Стационарное уравнение Шредингера
- •7.6.2. Электрон в бесконечно глубокой потенциальной яме
- •7.6.3. Структула энергетических зон
- •7.6.4. Адиабатическое приближение и валентная аппроксимация
- •7.6.5. Одноэлектронное приближение
- •7.6.6. Трансляционная симметрия зон Бриллюэна
- •7.7. Колебания кристаллической решетки. Фононы
- •7.8. Теплоемкость твердых тел
- •8. Плёночные резисторы и конденсаторы
- •8.1.Конструкции и основные характеристики резисторов
- •8.2.Основные характеристики резисторов
- •8.3. Обозначения и маркировка резисторов
- •8.4. Специальные виды резисторов.
- •8.5. Конденсаторы
- •8.5.1. Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •8.5.2. Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •8.6. Области использования конденсаторов
- •9. Коррозионная стойкость металлов
- •9.1. Виды коррозионных процессов
- •9.2. Физика процессов коррозии металлов
- •9.3. Образование продуктов окисления на поверхности металла
- •9.4. Основные стадии коррозии металлов
- •9.5. Адсорбция газов на поверхности металлов
- •9.6. Адсорбция кислорода на поверхности металла и образование оксида
- •9.7. Плёнки на поверхности металлов
- •9.8. Кинетика газовой коррозии металлов
- •9.9. Линейный закон роста плёнок
- •9.10. Параболический закон роста пленок
- •9.11. Сложные законы роста пленок
- •9.12. Оксидные пленки на поверхности металла
- •9.13. Механизм химической коррозии
- •9.14. Влияние внутренних и внешних факторов на скорость газовой коррозии
- •9.14.1. Влияние состава плёнки
- •9.14.2. Влияние температуры
- •9.14.3. Влияние давления и состава газа
- •9.15. Теории жаростойкого легирования
- •10. Металлические сплавы
- •10.1. Образование сплавов
- •10.2. Строение сплавов
- •10.3. Твердые растворы
- •10.4. Строение и свойства железоуглеродистых сплавов
- •10.5. Строение и свойства железа
- •10.6. Компоненты и фазы в сплавах системы (железо−углерод)
- •11. Магнитные материалы
- •11.1. Магнитные свойства твердых тел
- •11.1.1. Диамагнетики
- •11.1.2. Парамагнетизм
- •11.1.3. Ферромагнетики. Антиферромагнетики
- •1 ‒ Распределение в изолированных атомах; 2 ‒ распределение при обобществлении электронов.
- •11.2. Доменная структура
- •11.3. Намагничивание
- •11.4. Магнитострикция и термострикция
- •11.5. Ферримагнетизм. Ферриты
- •11.6. Процесс намагничивания.
- •11.6.1 Движение доменной стенки
- •11.6.2. Взаимодействие намагниченности с магнитным полем
- •11.6.3. Динамические эффекты процесса намагничивания
- •11.6.4. Перминвар - эффект
- •11.6.5. Магнитное последействие
- •11.7. Частотная зависимость магнитной проницаемости
- •Литература
7.5. Ионная проводимость
Понятие проводимости чаще всего однозначно ассоциируется с направленным переносом электронов в металлах и полупроводниках под действием разности потенциалов. Именно этому явлению человечество обязано появлением электрического освещения, экологически чистого транспорта и значительного числа устройств, дающих нам тепло, звуковую, видеоинформацию и помогающих в быту. Однако очень важное значение имеет и ионная проводимость, обусловленная переносом положительно или отрицательно заряженных ионов. Её наличие позволяет осуществлять многие электрохимические процессы, включая электролиз. На основе твердых электролитов с ионной проводимостью построено значительное число высокочувствительных сенсоров. Наконец, именно с материалами с протонной, литиевой или кислородной проводимостью связываются основные надежды человечества в области альтернативной энергетики [26].
Первые упоминания об ионной проводимости относятся к тридцатым годам девятнадцатого века. Именно тогда Майкл Фарадей обнаружил аномально высокую проводимость сначала сульфида серебра, а затем фторида свинца . Причем в последнем соединении высокая проводимость наблюдалась лишь после протекания фазового перехода при температуре около 720К. Эти открытия оказались неожиданными потому, что высокая проводимость, наблюдавшаяся ранее лишь для металлов, была обнаружена в ионных кристаллах. Однако в этих работах еще не шла речь о появлении принципиально нового типа носителей электрического тока.
Собственно высокая ионная проводимость
была описана Тубандтом и Лоренцом в
1914 году. В другом типичном ионном
кристалле иодиде серебра (
)
она тоже проявлялась в процессе фазового
перехода при 420К. Потребовалось еще
довольно значительное время для осознания
важности этого открытия. Интерес к
данной области длительное время трудно
было назвать значительным. В первую
очередь это было связано с тем, что
заметная проводимость ионных кристаллов
проявлялась лишь при сравнительно
высоких температурах и, казалось, не
могла иметь никакой практической
значимости. Систематические исследования
в этой области начались со второй
половины 20−ого столетия после обнаружения
в шестидесятых годах прошлого века
высокой ионной проводимости (0.35 Ом─1∙см─1)
у кристаллов состава
и описания Бредли и Грином проводящих
свойств β−глинозёма. Эти соединения
было предложено использовать для
конструирования аккумуляторов. Именно
после этого твердые электролиты с ионной
проводимостью прочно заняли одну из
главных ниш в физике и химии твёрдого
тела [26].
7.5.1. Диффузия ионов в электрическом поле
Рассмотрим кристалл, содержащий только
один тип подвижных ионов (допустим, что
это катионы с зарядом +q),
расположенные в кристаллографических
плоскостях, отстоящих друг от друга
вдоль некоторого направления «х» на
расстояние а (рис. 7.9). Поместим этот
кристалл в электрическое поле, создающее
между двумя его гранями разность
потенциалов, равную ∆φ. Под ее воздействием
катионы в каждой последующей плоскости,
приближающейся к катоду, понижают свою
энергию на величину q∆
(рис. 7.10) [26].
В соответствии с этим энергия активации
прыжка ионов из плоскости 1 в плоскость
2 составит
,
а в обратном направлении
Тогда поток ионов (J) через сечение S составит:
Рис. 7.9. Расположение подвижных ионов в кристалле (темным цветом выделены вакантные позиции)
Рис. 7.10. Энергетический профиль перемещения иона в электрическом поле
где С − объемная концентрация носителей
электричества, a v0
предэкспоненциальный множитель
соотношения, определяющего частоту их
«прыжков». Поскольку кристалл является
однородным, то падение напряжения по
его длине происходит линейно и величину
∆
можно выразить в виде ∆
где ℓ общая длина кристалла в направлении
“x”. Так как число
плоскостей в кристалле велико, то выигрыш
в энергии при переносе между ними чаще
всего оказывается очень малым по
сравнению с Еa
и kТ. Поэтому можно
допустить, что
и
Таким образом, уравнение (7.1) можно переписать в виде:
(7.2)
Таким образом, удельная проводимость кристалла в направлении «х» составит:
(7.3)
Первый сомножитель (Cq) представляет собой удельный заряд носителей электричества на единицу объема, а второй их подвижность:
(7.4)
Для случая невзаимодействующих частиц ионная подвижность связана с величиной коэффициента диффузии соотношением Нернста−Эйнштейна:
(7.5)
Как и в ранее рассмотренных случаях, в качестве носителей электричества выступают дефекты катионные вакансии или междоузлия. Их концентрация для большинства кристаллов с малым содержанием примесей является экспоненциальной функцией температуры. Поэтому итоговое выражение для ионной проводимости ионного кристалла может быть представлено так [26]:
(7.6)
Легко заметить, что полученное уравнение весьма сходно с выражением для величины коэффициента диффузии. И точно так же, как и для коэффициента диффузии, это уравнение весьма громоздко и в большинстве случаев однозначно определить все входящие в него параметры оказывается затруднительным. Поэтому чаще его используют в упрощенном виде:
(7.7)
Это соотношение называется уравнением Френкеля.
Для сравнительно узких интервалов температур его можно заменить на существенно более привычное уравнение Аррениуса:
)
В большинстве ионных кристаллов можно
выделить один тип ионов, обладающих
значительно большей подвижностью по
сравнению с другими. В соответствии с
этим твердые электролиты часто считают
униполярными. Тем не менее, часть заряда
может переноситься и другим типом
носителей. Часть от общего количества
заряда, переносимая данным ионом,
выраженная в долях единицы, называется
числом переноса. Так, например, кристалл
хлорида натрия построен из абсолютно
эквивалентных катионной и анионной
подрешеток. Более того, как следует из
раздела 1, основным типом разупорядоченности
для него являются дефекты Шоттки.
Поэтому концентрации катионных и
анионных вакансий в нем равны. Однако
ионы хлора, отличающиеся существенно
большим радиусом, проявляют меньшую
подвижность, энергия активации которой
на 25 кДж/моль превышает таковую для
катионов натрия. Из уравнения (7.6)
следует, что при прочих равных условиях
логарифмы проводимости этих кристаллов
по катионам и анионам будут отличаться
на разность энергий активации их
подвижности, деленную на kТ
Числа переноса для катионов и анионов
(соответственно t+
и t─) в кристаллах
существенным образом зависят от
температуры. Так, если при комнатной
температуре величина t
имеет порядок 10‒5, то вблизи
температуры плавления она превышает
5% [26].
По сходным причинам в большинстве твердых электролитов преобладает катионная проводимость. Анионная же доминирует лишь в немногих структурах, наиболее ярким примером которых являются флюоритоподобные кристаллы (CaF2, PbF2, ZrO2 и некоторые другие). Для них характерно наличие компактного аниона и сравнительно большого катиона. Еще важнее, пожалуй, что подвижность катионов в кристаллах со структурой флюорита затруднена в связи с их высоким зарядом.
