- •Зайцев ю.В., Мирошниченко а.Ю., Холодный д.С. Материалы и элементы электронной техники (физика процессов, строение и электрические характеристики)
- •Введение
- •1. Структура и строение материалов
- •1.1. Основные кристаллические структуры
- •1.2. Структуры бинарных соединений типа ав
- •1.3. Эффективные радиусы ионов и атомов
- •1.4. Геометрические пределы устойчивости структур с различными координационными числами
- •2. Процессы поляризации, диэлектрические потери
- •2.1. Комплексная диэлектрическая проницаемость
- •2.2. Уравнение электрического поля для изотропной среды
- •2.3. Электронная поляризация
- •2.4. Атомная и ионная поляризация
- •2.5. Ориентационная поляризация
- •2.6. Комплексная диэлектрическая проницаемость и уравнения Максвелла
- •2.7. Релаксационные потери
- •2.8. Физическая сущность диэлектрических потерь
- •3. Виды поляризация диэлектриков и диэлектрические потери
- •3.1. Виды поляризации
- •3.2. Простейшие схемы замещения диэлектриков с потерями
- •3.4. Тепловые виды поляризации
- •Зависимость от температуры параметров, описывающих тепловую поляризацию
- •Диаграмма коул-коула
- •3.4. Механизмы упругой поляризации.
- •3.5. Решеточное поглощение и отражение
- •4. Представление диэлектриков с помощью эквивалентных схем
- •4.1. Двух- и трех- элементные эквивалентные схемы
- •Входные характеристики
- •4.3. Схемы замещения реальных элементов электрических цепей
- •4.4. Поверхностная и объёмная поляризация
- •4.4. Измерение ε и tgδ
- •5. Классическая теория проводимости металлов
- •5.1. Основные предположения проводимости по теории Друде
- •5.2. Статическая электропроводность металла
- •6. Теория электропроводности Зоммерфельда
- •6.1. Распределения Максвелла − Больцмана и Ферми − Дирака
- •6.2. Свойства электронного газа в основном состоянии
- •6.2.1. Электрон как волна
- •6.2.2. Математическое описание волн
- •6.2.3. Уравнение Шредингера и волновая функция
- •7. Электропроводность диэлектриков и полупроводников
- •7.1. Электропроводность диэлектрических и полупроводниковых материалов
- •7.2. Диэлектрические керамические материалы
- •7.2.1. Алюминия оксид
- •7.2.2. Нанокристаллические материалы
- •7.2.3. Применение наноразмерных сегнетоэлектрических материалов
- •7.2.4. Пористая пьезокерамика
- •7.3. Полупроводниковые материалы
- •7.3.1. Типы полупроводников
- •7.4.2. Методы роста
- •7.5. Ионная проводимость
- •7.5.1. Диффузия ионов в электрическом поле
- •7.6. Зонная теория твердого тела
- •7.6.1. Стационарное уравнение Шредингера
- •7.6.2. Электрон в бесконечно глубокой потенциальной яме
- •7.6.3. Структула энергетических зон
- •7.6.4. Адиабатическое приближение и валентная аппроксимация
- •7.6.5. Одноэлектронное приближение
- •7.6.6. Трансляционная симметрия зон Бриллюэна
- •7.7. Колебания кристаллической решетки. Фононы
- •7.8. Теплоемкость твердых тел
- •8. Плёночные резисторы и конденсаторы
- •8.1.Конструкции и основные характеристики резисторов
- •8.2.Основные характеристики резисторов
- •8.3. Обозначения и маркировка резисторов
- •8.4. Специальные виды резисторов.
- •8.5. Конденсаторы
- •8.5.1. Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •8.5.2. Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •8.6. Области использования конденсаторов
- •9. Коррозионная стойкость металлов
- •9.1. Виды коррозионных процессов
- •9.2. Физика процессов коррозии металлов
- •9.3. Образование продуктов окисления на поверхности металла
- •9.4. Основные стадии коррозии металлов
- •9.5. Адсорбция газов на поверхности металлов
- •9.6. Адсорбция кислорода на поверхности металла и образование оксида
- •9.7. Плёнки на поверхности металлов
- •9.8. Кинетика газовой коррозии металлов
- •9.9. Линейный закон роста плёнок
- •9.10. Параболический закон роста пленок
- •9.11. Сложные законы роста пленок
- •9.12. Оксидные пленки на поверхности металла
- •9.13. Механизм химической коррозии
- •9.14. Влияние внутренних и внешних факторов на скорость газовой коррозии
- •9.14.1. Влияние состава плёнки
- •9.14.2. Влияние температуры
- •9.14.3. Влияние давления и состава газа
- •9.15. Теории жаростойкого легирования
- •10. Металлические сплавы
- •10.1. Образование сплавов
- •10.2. Строение сплавов
- •10.3. Твердые растворы
- •10.4. Строение и свойства железоуглеродистых сплавов
- •10.5. Строение и свойства железа
- •10.6. Компоненты и фазы в сплавах системы (железо−углерод)
- •11. Магнитные материалы
- •11.1. Магнитные свойства твердых тел
- •11.1.1. Диамагнетики
- •11.1.2. Парамагнетизм
- •11.1.3. Ферромагнетики. Антиферромагнетики
- •1 ‒ Распределение в изолированных атомах; 2 ‒ распределение при обобществлении электронов.
- •11.2. Доменная структура
- •11.3. Намагничивание
- •11.4. Магнитострикция и термострикция
- •11.5. Ферримагнетизм. Ферриты
- •11.6. Процесс намагничивания.
- •11.6.1 Движение доменной стенки
- •11.6.2. Взаимодействие намагниченности с магнитным полем
- •11.6.3. Динамические эффекты процесса намагничивания
- •11.6.4. Перминвар - эффект
- •11.6.5. Магнитное последействие
- •11.7. Частотная зависимость магнитной проницаемости
- •Литература
7.6.3. Структула энергетических зон
Любое твердое тело представляет собой совокупность большого числа атомных ядер и электронов. Свойством, отличающим полупроводники от других материалов, является поведение их электронов, в частности, наличие запрещенных зон в их электронных спектрах возбуждения. Микроскопическое поведение электронов в твердом теле наиболее удобно описывать в терминах электронной зонной структуры. [5].
Свойства электронов в твердом теле, содержащем 1023 атомов/см3, очень сложны. Для упрощения трудной задачи решения волновых уравнений для электронов необходимо использовать трансляционную и вращательную симметрию твердого тела или теорию групп, являющуюся инструментом, облегчающим эту задачу. В настоящей главе приведены некоторые основные концепции и обозначения теории групп. Особый упор будет сделан на обозначениях, поскольку обозначения и терминология часто встречаются в книгах и научных статьях по исследованию полупроводников. В некотором смысле диаграммы зонной структуры подобны картам, а обозначения теории групп − символам на них. Если смысл этих символов понятен, диаграммы зонной структуры могут использоваться для изучения электронных свойств полупроводников.
Для определения стационарных состояний и энергетического спектра такой системы частиц нужно решить уравнение Шредингера для кристалла
(7.27)
где
− энергия кристалла;
;
− его собственная волновая функция,
зависящая от координат всех электронов
г, и атомных ядер
,
)
, (7.28)
— оператор Гамильтона, включающий в
себя следующие виды энергии:
(7.29)
В выражении (7.29)
−
положение
−го
электрона
−
масса электрона,
−
положение
−гo
ядра,
− атомный
номер ядра,
— заряд электрона.
Символ
означает, что суммирование
производится только по парам неидентичных
индексов.
В операторе Гамильтона :
1) кинетическую энергию электронов
,
−
операторы импульса электрона,
−оператор Лапласа для
−го
электрона;
2) кинетическую энергию ядер
,
−
операторы импульса ядра,
−оператор Лапласа для
−го
ядра;
3) потенциальную энергию попарного взаимодействию электронов между собой
или
;
4) потенциальную энергию попарного взаимодействию ядер между собой
или
,
Часто обозначается, как
;
5) потенциальную энергию попарного взаимодействию электронов с ядрами
Часто обозначается, как
.
7.6.4. Адиабатическое приближение и валентная аппроксимация
Число независимых переменных в уравнении (7.29) определяется полным числом частиц в кристалле (порядка 1023 см−3). Поэтому непосредственное решение уравнения (7.29) встречает математические трудности. Возможно лишь приближенное решение задачи, которое достигается с помощью ряда последовательных приближений.
Очевидно,
что гамильтониан многих частиц не может
быть найден без большого числа
упрощений. В качестве первого приближения
надо разделить электроны на две группы:
валентные
электроны и
электроны
атомного остова. В равновесном
состоянии средние значения кинетической
энергии
тех и других частиц одного порядка
Электроны
атомного остова
находятся в заполненных оболочках,
например, электроны 1s2,
2s2
и 2р6
в случае
.
Они локализованы преимущественно около
ядра и их можно объединить с ядром
в так называемый ионный
остов. В
результате этого приближения индексы
и
в
(7.29) будут теперь обозначать ионные
остовы, в то время как электронные
индексы
и
будут обозначать только валентные
электроны. Валентными называются
электроны в неполностью заполненных
оболочках. В случае
это 3s-
и Зр-электроны.
Следующим приближением является приближение Борна-Оппенгеймера или адиабатическое приближение. Так как масса ядра намного больше массы электрона, т. е. М >> m, то скорости движения электронов намного превосходят скорости ядер (приблизительно на два порядка). При каждом изменении положения атомных ядер практически мгновенно устанавливается пространственное распределение электронов, соответствующее новому положению ядер. Это позволяет в первом приближении рассматривать движение электронов в потенциальном поле фиксированных ядер. Типичные значения частот колебаний ионов в твердом теле менее 1013 с−1 . Для оценки времени отклика электронов заметим, что энергия, необходимая для возбуждения электронов в полупроводнике, определяется шириной его фундаментальной запрещенной зоны, которая в большинстве полупроводников имеет величину порядка 1 эВ. Поэтому частоты движения электронов в полупроводниках имеют величину порядка 1015 с−1. В результате электроны почти мгновенно откликаются на движение ионов, другими словами, для электронов ионы кажутся неподвижными. С другой стороны, ионы не могут следовать за движением электронов и видят только их усредненный по времени адиабатический потенциал.
При изучении движения ядер, напротив, следует учитывать не мгновенное положение электронов, а поле создаваемое их средним пространственным распределением. Такое приближенное рассмотрение называется адиабатическим или приближением Борна-Оппенгеймера
Предположим, что ядра покоятся. Для
этого случая координаты ядер
уже не переменные, а параметры
представляющие собой координаты узлов
кристаллической решетки. Для случая
покоящихся ядер, когда
,
кинетическая энергия ядер обращается
в нуль, а энергия их взаимодействия
принимает постоянное значение. Выбором
начала отсчета энергии
можно обратить в нуль. С учетом этого
уравнение (7.29)
упрощается и теперь описывает движение
электронов в поле покоящихся ядер. Для
этого случая энергия электронов
и их волновая функция
параметрически зависят от расположения
ядер
.
В результате уравнение Шредингера в
приближении Борна-Оппенгеймера для
электронов запишется в виде (гамильтониан
(7.29) может быть выражен
в виде суммы трех членов):
(7.30)
Несмотря на проведенные упрощения, уравнение (7.30) не может быть решено в общем виде. По-прежнему имеем дело с задачей многих частиц, не поддающейся непосредственному решению.
