- •Зайцев ю.В., Мирошниченко а.Ю., Холодный д.С. Материалы и элементы электронной техники (физика процессов, строение и электрические характеристики)
- •Введение
- •1. Структура и строение материалов
- •1.1. Основные кристаллические структуры
- •1.2. Структуры бинарных соединений типа ав
- •1.3. Эффективные радиусы ионов и атомов
- •1.4. Геометрические пределы устойчивости структур с различными координационными числами
- •2. Процессы поляризации, диэлектрические потери
- •2.1. Комплексная диэлектрическая проницаемость
- •2.2. Уравнение электрического поля для изотропной среды
- •2.3. Электронная поляризация
- •2.4. Атомная и ионная поляризация
- •2.5. Ориентационная поляризация
- •2.6. Комплексная диэлектрическая проницаемость и уравнения Максвелла
- •2.7. Релаксационные потери
- •2.8. Физическая сущность диэлектрических потерь
- •3. Виды поляризация диэлектриков и диэлектрические потери
- •3.1. Виды поляризации
- •3.2. Простейшие схемы замещения диэлектриков с потерями
- •3.4. Тепловые виды поляризации
- •Зависимость от температуры параметров, описывающих тепловую поляризацию
- •Диаграмма коул-коула
- •3.4. Механизмы упругой поляризации.
- •3.5. Решеточное поглощение и отражение
- •4. Представление диэлектриков с помощью эквивалентных схем
- •4.1. Двух- и трех- элементные эквивалентные схемы
- •Входные характеристики
- •4.3. Схемы замещения реальных элементов электрических цепей
- •4.4. Поверхностная и объёмная поляризация
- •4.4. Измерение ε и tgδ
- •5. Классическая теория проводимости металлов
- •5.1. Основные предположения проводимости по теории Друде
- •5.2. Статическая электропроводность металла
- •6. Теория электропроводности Зоммерфельда
- •6.1. Распределения Максвелла − Больцмана и Ферми − Дирака
- •6.2. Свойства электронного газа в основном состоянии
- •6.2.1. Электрон как волна
- •6.2.2. Математическое описание волн
- •6.2.3. Уравнение Шредингера и волновая функция
- •7. Электропроводность диэлектриков и полупроводников
- •7.1. Электропроводность диэлектрических и полупроводниковых материалов
- •7.2. Диэлектрические керамические материалы
- •7.2.1. Алюминия оксид
- •7.2.2. Нанокристаллические материалы
- •7.2.3. Применение наноразмерных сегнетоэлектрических материалов
- •7.2.4. Пористая пьезокерамика
- •7.3. Полупроводниковые материалы
- •7.3.1. Типы полупроводников
- •7.4.2. Методы роста
- •7.5. Ионная проводимость
- •7.5.1. Диффузия ионов в электрическом поле
- •7.6. Зонная теория твердого тела
- •7.6.1. Стационарное уравнение Шредингера
- •7.6.2. Электрон в бесконечно глубокой потенциальной яме
- •7.6.3. Структула энергетических зон
- •7.6.4. Адиабатическое приближение и валентная аппроксимация
- •7.6.5. Одноэлектронное приближение
- •7.6.6. Трансляционная симметрия зон Бриллюэна
- •7.7. Колебания кристаллической решетки. Фононы
- •7.8. Теплоемкость твердых тел
- •8. Плёночные резисторы и конденсаторы
- •8.1.Конструкции и основные характеристики резисторов
- •8.2.Основные характеристики резисторов
- •8.3. Обозначения и маркировка резисторов
- •8.4. Специальные виды резисторов.
- •8.5. Конденсаторы
- •8.5.1. Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •8.5.2. Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •8.6. Области использования конденсаторов
- •9. Коррозионная стойкость металлов
- •9.1. Виды коррозионных процессов
- •9.2. Физика процессов коррозии металлов
- •9.3. Образование продуктов окисления на поверхности металла
- •9.4. Основные стадии коррозии металлов
- •9.5. Адсорбция газов на поверхности металлов
- •9.6. Адсорбция кислорода на поверхности металла и образование оксида
- •9.7. Плёнки на поверхности металлов
- •9.8. Кинетика газовой коррозии металлов
- •9.9. Линейный закон роста плёнок
- •9.10. Параболический закон роста пленок
- •9.11. Сложные законы роста пленок
- •9.12. Оксидные пленки на поверхности металла
- •9.13. Механизм химической коррозии
- •9.14. Влияние внутренних и внешних факторов на скорость газовой коррозии
- •9.14.1. Влияние состава плёнки
- •9.14.2. Влияние температуры
- •9.14.3. Влияние давления и состава газа
- •9.15. Теории жаростойкого легирования
- •10. Металлические сплавы
- •10.1. Образование сплавов
- •10.2. Строение сплавов
- •10.3. Твердые растворы
- •10.4. Строение и свойства железоуглеродистых сплавов
- •10.5. Строение и свойства железа
- •10.6. Компоненты и фазы в сплавах системы (железо−углерод)
- •11. Магнитные материалы
- •11.1. Магнитные свойства твердых тел
- •11.1.1. Диамагнетики
- •11.1.2. Парамагнетизм
- •11.1.3. Ферромагнетики. Антиферромагнетики
- •1 ‒ Распределение в изолированных атомах; 2 ‒ распределение при обобществлении электронов.
- •11.2. Доменная структура
- •11.3. Намагничивание
- •11.4. Магнитострикция и термострикция
- •11.5. Ферримагнетизм. Ферриты
- •11.6. Процесс намагничивания.
- •11.6.1 Движение доменной стенки
- •11.6.2. Взаимодействие намагниченности с магнитным полем
- •11.6.3. Динамические эффекты процесса намагничивания
- •11.6.4. Перминвар - эффект
- •11.6.5. Магнитное последействие
- •11.7. Частотная зависимость магнитной проницаемости
- •Литература
1 ‒ Распределение в изолированных атомах; 2 ‒ распределение при обобществлении электронов.
знак обменного интеграла зависит от соотношения размеров электронных оболочек и расстояния между атомами. Он же и определяет, какая ориентация спинов у электронов ‒ параллельная или антипараллельная ‒ является энергетически более выгодной.
При
обменная энергия
будет отрицательной, если спины
и
электронов, участвующих в образовании
обменной связи, будут антипараллельны
0.
В этом случае антипараллельная ориентация
спинов энергетически выгодна, система
более устойчива. Это соответствует
возникновению сил притяжения. Важно
помнить, что кулоновская энергия, энергия
электростатического взаимодействия
электронов между собой, с ядрами и ядер
между собой,
,
и уменьшение энергии системы происходит
в основном за счет энергии обменного
взаимодействия
.
При
обменная энергия системы
будет отрицательной и энергия системы
в целом будет уменьшаться при параллельном
расположении спинов
,
и
электронов, участвующих в образовании
обменной связи
0.
На рис. 11.5 показана зависимость обменного
интеграла I от отношения
межатомного расстояния
к диаметру
незаполненной оболочки 3d для переходных
металлов группы железа. Если расстояние
между
Рис. 11.5. Зависимость обменного интеграла от отношения межатомного расстояния к диаметру незаполненной электронной оболочки .
атомами в несколько раз превышает диаметр незаполненной электронной оболочки, энергия обменного взаимодействия невелика. Обменные силы не могут противодействовать тепловому движению и создать упорядоченное распределение спинов. В этом случае вещества проявляют парамагнитные свойства [40, 41].
С уменьшением расстояния между атомами обменный интеграл возрастет, силы обменного взаимодействия увеличиваются и формируют упорядоченную структуру спинов. Возникает параллельное распределение спинов, присущее ферромагнетикам.
При
обменный интеграл изменяет знак и
энергетически выгодным становится
антипараллельное расположение спинов
электронов: возникает антиферромагнитное
состояние вещества.
Таким образом, для возникновения
ферромагнетизма необходимо наличие в
атомах внутренних недостроенных
электронных оболочек или подоболочек,
положительный знак обменного интеграла
и выполнение неравенства
.
Этим условиям удовлетворяют железо,
кобальт, никель и ряд редкоземельных
элементов ‒ гадолиний, диспрозий,
гольмий, эрбий, торбий и тулий, проявляющих
ферромагнитные свойства при низких
температурах. Вообще из сотни элементов
Периодической таблицы Д. И. Менделеева
42 переходные и примерно в половине из
них обнаружили ферро- и антиферромагнетизм.
Остальные переходные металлы ‒ это
парамагнетики такого же типа, как и
щелочные металлы, но с большей парамагнитной
восприимчивостью и с более сложной
температурной зависимостью.
Кроме чистых переходных металлов, ферро- и антиферромагнетизм наблюдается в многочисленных металлических сплавах и неметаллических соединениях. Обязательным условием существования в этих сложных кристаллах ферро- и антиферромагнетизма является присутствие хотя бы одного переходного элемента.
