- •Глава 1 8
- •Глава 6 66
- •Глава 7 70
- •Глава 8 84
- •Глава 9 101
- •Глава 10 106
- •Глава 11 131
- •Глава 12 153
- •Глава 13 173
- •Глава 14 200
- •Глава 15 219
- •Глава 16 244
- •Глава 17 247
- •17.1 Введение 247
- •Глава 18 266
- •Глава 19 268
- •Глава 20 280
- •Глава 1
- •1. Классификация и методы получения нанокластеров и наноструктур
- •1.1 Молекулярные кластеры
- •1.2 Газовые безлигандные кластеры
- •1.2.1 Источники получения кластеров
- •1.2.2 Масс-спектрометры и детектирование кластеров
- •1.3 Коллоидные кластеры
- •1.4 Твердотельные нанокластеры и наноструктуры
- •1.5 Матричные нанокластеры и супрамолекулярные наноструктуры
- •1.6 Кластерные кристаллы и фуллериты
- •1.7 Компактированные наносистемы и нанокомпозиты
- •1.8 Тонкие наноструктурированные пленки
- •1.9 Углеродные нанотрубки
- •Глава 2
- •2Общие положения
- •2.1Объекты и процессы нанотехнологий
- •2.2 Основная концепция нанотехнологии
- •2.2.1 Физико-химические основы нанотехнологии
- •Глава 3
- •3 Наночастицы, нанонаука, нанотехнология, нанофизика, нанохимия, наномеханика, нанобиология, наномедицина и т.Д., закон Мура
- •3.1 Механические свойства нанокристаллических материалов
- •Глава 4
- •4 Методы контроля аттестации наночастиц, наноизделий и наноструктурированных материалов
- •4.1Методы получения наноструктур
- •4.2 Методы получения наносистем
- •4.3 Особенности ультрадисперсных систем
- •Глава 5 Поверхностные эффекты в нанотехнологиях
- •5.1. Атомные и молекулярные орбитали
- •5.2 Поверхность монокристаллов, нанокластеров и пористых сорбентов
- •5.3 Примесные атомы на поверхности
- •5.4 Поверхность металлов и оксидов металлов (электронные свойства)
- •5.5 Поверхность металлов и оксидов металла (магнитные свойства)
- •5.6 Поверхностные центры кислотного и основного типа
- •5.7 Адсорбция
- •5.8 Примеры адсорбции
- •5.9 Адсорбция молекул воды и атомная динамика атомов железа в пористых ионообменниках.
- •5.10 Адсорбция воды и динамика кластеров воды и полимерной сетки.
- •5.11 Катализ. Примеры каталитических превращений с участием поверхности твердого тела и нанокластеров
- •Глава 6
- •6 Самосборка. Магические цифры. Замена построения синтеза объекта «сверху-вниз» на синтез «снизу-вверх»
- •Глава 7
- •7 Физика наночастиц и нанотехнологии, структура наночастиц. Кластеры
- •7.1 Молекулярные кластеры
- •7.2 Газовые безлигандные кластеры
- •7.2.1 Источники получения кластеров
- •7.2.2 Масс-спектрометры и детектирование кластеров
- •7.3 Коллоидные кластеры
- •7.4 Твердотельные нанокластеры и наноструктуры
- •7.5 Матричные нанокластеры и супрамолекулярные наноструктуры
- •7.6 Кластерные кристаллы и фуллериты
- •7.7 Компактированные наносистемы и нанокомпозиты
- •7.8 Тонкие наноструктурированные пленки
- •Глава 8
- •8 Наноструктурированные материалы. Кристаллизация пленок из растворов-расплавов
- •8.1 Разупорядоченные твердотельные структуры
- •8.1.1 Методы синтеза
- •8.1.2 Механизмы разрушения традиционных поликристаллических материалов
- •8.1.3 Механические свойства
- •8.1.4 Наноструктурированные многослойные материалы
- •8.1.5 Электрические свойства
- •8.1.6 Другие свойства
- •8.1.7 Металлические нанокластеры в оптических стеклах
- •8.1.8 Пористый кремний
- •8.2 Наноструктурированные кристаллы
- •8.2.1 Природные нанокристаллы
- •8.2.2 Теоретическое предсказание существования кристаллических решеток из нанокластеров
- •8.2.3 Упорядоченные структуры наночастиц в цеолитах
- •8.2.4 Кристаллы из металлических наночастиц
- •8.2.5 Упорядоченные решетки наночастиц в коллоидных суспензиях
- •8.2.6 Наноструктурированные кристаллы для фотоники
- •Глава 9
- •9 Механические свойства наноструктурированных материалов, закон Холла- Петча
- •9.1 Механизмы разрушения традиционных поликристаллических материалов
- •Глава 10
- •10 Проблема высокоплотной записи информации, «терабитный барьер» и атомная плотность записи порядка 103 Тбит/см2
- •10.1 Проект наномеханического вентиля
- •10.2 Наноэлектромеханический одноэлектронный транзистор с «механической рукой»
- •10.3 Наномеханическая память вскоре заменит традиционную магнитную
- •10.4 Механическая память на основе нэмс
- •10.5 «Многоножка» стартует с 10 Гб
- •10.6 Память объемом в 100 Гбайт благодаря нанотехнологиям
- •10.6.1Магнитная flash-память на основе углеродных нанотрубок
- •10.7 Открытые микрожидкостные и наножидкостные системы
- •10.8 Ученые построили первый наножидкостный транзистор для химических компьютеров
- •10.9 Сверхточный детектор массы и силы на основе нанотрубки
- •10.9.1 Датчик наноперемещений
- •10.9.2 Нэмс для взвешивания днк
- •10.10 Вращающийся нанопропеллер
- •10.10.1 Новый подход в наномоторах - использование силы поверхностного натяжения
- •10.11 Газовый наносенсор на основе проводящего полимера
- •10.11.1 Газовая нанотурбина
- •10.12 Продукты нанотехнологий завоевывают мировой рынок
- •10.13 Дисплеи нового поколения на мировом рынке
- •10.13.1 Первый цветной дисплей на нанотрубках от компании Motorola
- •10.14 Молекулярные машины вращают днк вдоль оси
- •10.15 Нановелосипед покажет себя на Tour de France
- •Глава 11
- •11 Термодинамические аспекты поверхности
- •11.1 Химический потенциал
- •11.2 Свободная энергия Гиббса и свободная энергия Гельмгольца
- •11.3 Термодинамика поверхности и поверхностей раздела
- •11.4 Термодинамика криволинейной поверхности
- •При равновесии
- •11.5 Структура поверхности и межфазных границ
- •11.6 Нуклеация и рост нанокластеров в нанопорах вещества
- •11.7 Нуклеация и рост кластеров гидроксида железа в нанопорах (экспериментальное приложение термодинамических параметров)
- •11.8 Нуклеация и рост кластеров на основе твердотельных реакций
- •11.9 Твердотельная нуклеация и рост кластеров. Пример термического разложения оксалата железа
- •Глава 12
- •12 Свойства индивидуальных металлических наночастиц
- •12.1 Определение и классификация
- •12.2 Основные параметры проводниковых материалов. Зависимость от состава проводника и внешних факторов
- •12.3 Перспективы развития
- •12.3.1 Основные ограничения и тенденции развития
- •12.4 Предельные размеры моп-приборов
- •12.4. 1 Законы подобия
- •12.5 Туннелирование
- •12.6 Ограничения, связанные со свойствами материалов
- •12.6.1 Ограничения, связанные с функционированием приборов
- •12.6.2 Ограничения ширины линий и резкости
- •12.7 Материал резистов
- •Глава 13
- •13.1 Определения и классификация
- •13.2 Собственные и примесные полупроводники
- •13.3 Особые электронные состояния в конденсированных средах
- •13.4 Основные параметры полупроводниковых материалов
- •13.5 Контакт электронного и дырочного полупроводников. Свойства электронно-дырочного перехода
- •Глава 14
- •14 Квантовые ямы, проволоки и точки. Приготовление квантовых наноструктур
- •14.1 Введение
- •14.2 Приготовление квантовых наноструктур
- •14.3 Эффекты, обусловленные размерами и размерностью нанообъектов
- •14.3.1 Размерные эффекты
- •14.3.2 Размерность объекта и электроны проводимости
- •14.3.3 Ферми-газ и плотность состояний
- •14.3.4 Потенциальные ямы
- •14.3.5 Частичная локализация
- •14.3.6 Свойства, зависящие от плотности состояний
- •14.4 Экситоны
- •14.5 Одноэлектронное туннелирование
- •14.6 Приложения
- •14.6.1 Инфракрасные детекторы
- •14.6.2 Лазеры на квантовых точках
- •14.7 Сверхпроводимость
- •Глава 15
- •15 Магнитные кластеры. Влияние наноструктурирования объемного материала на магнитные свойства. Динамика наномагнитов
- •15.1 Хранение информации наномагнитами
- •15.2 Выращивание наноуглеродных ферромагнетиков
- •15.3 Магнитосопротивление наноструктур
- •15.4 Ферромагнитные жидкости
- •15.5 Магнитные материалы и современная медицина
- •15. 6 Магнитные Поля и Тело человека
- •15.7 Доказательства и сомнения, адвокаты и скептики
- •15. 8 Магнитная терапия сегодня
- •15.8.1 Окончательные выводы преждевременны
- •15.8.2 Магнитно-резонансная томография
- •15.9 Магнитная стимуляция - помощь при лечении психических расстройств
- •15.10 Моторы на постоянных магнитах для сердечников
- •15.11 Магниты как проводники и манипуляторы для медицинских процедур
- •15.11.1 Магнитная жидкость поможет сохранить зрение
- •15.11.2 Магнитоуправляемые сепараторы
- •15.11.3 Магниты для извлечения игл и хранения хирургических инструментов
- •15.11.4 Магнито-жидкостная гипертермия
- •15.11.5 Магнитные наночастицы разрушают раковые клетки
- •15.12 Магнетизм и биология: практика и перспективы. Иглотерапия
- •15.13 Красные кровяные тельца и магнитная память
- •Глава 16
- •16 Кластеры атомов редких газов и молекулярные кластеры
- •16.1 Кластеры инертных газов
- •16.2 Сверхтекучие кластеры
- •16.3 Молекулярные кластеры
- •Глава 17 углеродные наноструктуры
- •17.1 Введение
- •17.2 Углеродные молекулы
- •17.2.1 Природа углеродной связи
- •17.3 Углеродные кластеры
- •17.3.1 Малые углеродные кластеры
- •17.3.2 Открытие фуллерена с60
- •17.3.3 Структура с60 и его кристаллов
- •17.3.4 С60, легированный щелочными металлами
- •17.3.5 Сверхпроводимость в с60
- •17.3.6 Фуллерены с числом атомов, большим или меньшим 60
- •17.3.7 Неуглеродные шарообразные молекулы
- •17.4 Углеродные нанотрубки
- •17.4.1 Методы получения
- •17.4.2 Структура
- •17.4.3 Электрические свойства
- •17.4.4 Колебательные свойства
- •17.4.5 Механические свойства
- •17.5 Применения углеродных нанотрубок
- •17.5.1 Полевая эмиссия и экранирование
- •17.5.2 Компьютеры
- •17.5.3 Топливные элементы
- •17.5.4 Химические сенсоры
- •17.5.5 Катализ
- •17.5.6 Механическое упрочнение
- •Глава 18
- •18 Основные принципы водородной энергетики
- •18.1 Принцип работы водородного топливного элемента (тэ)
- •Глава 19
- •19 Использование нанотрубки в качестве транзистора
- •19.1 Компания Infineon создала самый маленький в мире транзистор на нанотрубке
- •19.2 Ibm утроит производительность транзисторов
- •19.3 Транзистор с плавником от Infineon уменьшил flash-память
- •19.4 Сверхконденсаторы из углеродных нанотрубок
- •19.5 Фотонные транзисторы в кремниевом исполнении
- •19.6 Hp провозглашает конец кремниевой эры
- •19.7 Квантовый выключатель - основа будущей нанологики
- •19.8 Способ массового производства электронных схем на основе нанотрубок
- •19.9 Штампуя наносистемы
- •19.10 Компания tsmc объявила о промышленном выпуске чипов по 65-нанометровому техпроцессу к концу 2005 года
- •19.10.1 Hp избавит мир от транзисторов
- •Глава 20 Наномашины и наноприборы
- •20.1 Микроэлектромеханические системы (memSs)
- •20.2 Наноэлектромеханические системы (nemSs)
- •20.2.1. Изготовление
- •20.2.2 Наноприборы и наномашины
- •20.3 Молекулярные и супрамолекулярные переключатели
20.2.2 Наноприборы и наномашины
Актуаторы — это устройства, преобразующие электрическую энергию в механическую, или наоборот. Известно, что однослойные углеродные нанотрубки при сообщении им электрического заряда деформируются. Создан основанный на этом свойстве актуатор, использующий лист из однослойных углеродных нанотрубок, продольные оси которых лежат в плоскости листа, но случайным образом разориентированы друг относительно друга. Актуатор состоял из полос размером 3 х 20 мм и толщиной 25 — 50 мкм. Две полоски соединялись друг с другом с помощью двустороннего скотча, как показано на рис. 20.6. Изолирующий пластиковый зажим скреплял листы сверху и фиксировал электрические контакты. Листы помещали в электролит из одномолярного раствора NaCl. Несколько вольт приложенного напряжения вызывает отклонение на конце актуатора до сантиметра, которое меняет направление на противоположное при изменении полярности напряжения, как показано на рис. 20.6. Подключение переменного напряжения вызывает колебания кантилевера. Этот тип актуатора называется биморфным пьезокантилеверным, потому что отклик устройства зависит от деформации противоположных электродов. Строго говоря, этот актуатор не является ни NEMS-, ни MEMS-прибором, из-за больших размеров электродов. Однако он работает благодаря эффекту заряжания отдельных углеродных нанотрубок и показывает, что возможно создание наноразмерных актуаторов, использующих всего три однослойные углеродные нанотрубки. Две внешние трубки должны быть металлическими, а внутренняя — изолирующей. Они должны быть выставлены параллельно осям и находиться в плотном контакте. Хотя электронно-лучевую литографию можно использовать для получения кремниевых структур размером -10 нм и менее, производство наномашин в сколько-нибудь значительных количествах пока не организовано. Прежде чем будет достигнут существенный прогресс в технологии, необходимо преодолеть ряд трудностей. Первая проблема — это связь с наноустройством и определение его положения. Вторая сложность состоит в скудности имеющихся сведений о механическом поведении объектов, у которых до 10% атомов находятся на или около поверхности. Рассмотрим некоторые вопросы наномеханики подробнее.
Рис.
20.5. Кольцо
из атомов железа на поверхности
меди, образующее «квантовый загон»,
собрано посредством STM-острия,
как описано в тексте. Волновая структура
внутри
загона представляет собой поверхностное
распределение электронной плотности,
возникающее из-за наличия небольшого
числа дискретных квантовоме-ханических
энергетических уровней в
круглой двумерной потенциальной яме.
Рис.
20.6. Схема
актуатора, состоящего из двух
листов однослойных нанотрубок,
удерживаемых
вместе двусторонним скотчем.
На рисунке показано состояние при
положительном напряжении (справа),
нейтральное
состояние (в центре) и состояние
при отрицательном напряжении (слева).
Резонансная частота f0 балки, закрепленной одним концом, определяется выражением
f0= [E/ρ]1/2 b/L2
где Е — модуль Юнга, ρ — плотность, b — толщина балки, a L — ее длина. Для балок из поликристаллического кремния микрометрового размера результаты экспериментальной проверки зависимости частоты от 1/L2 показаны на рис. 20.2. Заметим, что в микрометровом диапазоне частоты составляют сотни килогерц. Тогда балка, имеющая длину 10 нм и толщину 1 нм, будет иметь резонансную частоту в 105 раз больше, то есть порядка 20 — 30 ГГц. С уменьшением размеров и ростом частоты амплитуда колебаний падает, так что в этом частотном диапазоне смещения свободного конца балки могут лежать в интервале от пикометров (10-12 м) до фемтометров (10-15 м).
Столь малые амплитуды колебаний да еще на таких высоких частотах детектировать весьма сложно. Оптические методы, используемые в микрометровом диапазоне для регистрации смещения кончика кантилевера в сканирующей зондовой микроскопии, не применимы из-за дифракционного предела. Он наступает, когда размер объекта, от которого отражается свет, становится меньше, чем длина волны света. Для регистрации перемещения в MEMS-устройствах обычно используют специальный первичный преобразователь (см. например схему акселерометра на рис. 20.1). В упомянутом приборе деформация упругих элементов детектируется по изменению емкости, измеряемому электрической схемой. Неясно, возможно ли построить преобразователь, который сможет определять смещение всего 10-15 — 10-12 м на частотах до 30 ГГц. Эти проблемы представляют существенные препятствия для развития NEMS-устройств.
Существует, однако, несколько заслуживающих внимания преимуществ N EMS-устройств, которые создают хорошую перспективу их дальнейшего развития. Малая эффективная масса нанометровой балки делает ее резонансную частоту чрезвычайно чувствительной к незначительным изменениям массы. Было показано, например, что собственная частота микрокантилеверов может реагировать на адсорбцию небольшого числа атомов или единичных молекул на поверхности. Это стало принципиальной основой для множества очень высокочувствительных датчиков.
В отсутствие трения груз на пружине колебался бы бесконечно долго с постоянной амплитудой. Однако из-за сопротивления воздуха и внутреннего трения в пружине этого не происходит. Обычно сила трения (демпфирующая сила) пропорциональна скорости dx/dt осциллирующей массы М. Уравнение движения пружины записывается как:
(20.2)
где К — жесткость пружины.
При малых коэффициентах затухания b решением этого уравнения является выражение:
(20.3)
где ω — частота затухающих колебаний, определяемая формулой:
(20.4)
Уравнение (20.3) описывает систему, осциллирующую с определенной частотой ω и амплитудой, экспоненциально уменьшающейся со временем. Смещение как функция времени показано на рис. 20.7а. Для колеблющейся закрепленной балки миллиметрового размера главным источником демпфирования является сопротивление воздуха, пропорциональное площади балки. Для случая нанометрового кантилевера эта площадь будет очень маленькой, что значительно понижает коэффициент затухания b.
Е
Рис.
20.7. Для
затухающего гармонического осциллятора
показаны: а) — зависимость
смещения свободно колеблющегося
осциллятора от времени (вынуждающая
сила отсутствует), б) — зависимость
амплитуды осциллятора при
наличии вынуждающей силы от отношения
вынуждающей частоты ω'
к частоте собственных колебаний ω
для
различных значений коэффициента
затухания b.
F0
— амплитуда
вынуждающей силы
Рис.
20.9. Схема
перекатывания адсорбированной
молекулы С60
(большие окружности)
по поверхности ионного кристалла со
знакопеременными зарядами атомов
(маленькие
окружности) внешним вращающимся
электрическим полем (стрелки).
Рис.
20.8. Иллюстрация
предложенного метода
изготовления шестеренок путем
прикрепления
молекул бензола к внешней стороне
углеродных нанотрубок.
Для оценки потенциала различных вариантов наномашин использовалось компьютерное моделирование. Рис. 20.8 демонстрирует идею изготовления шестеренок из нанотрубок. Зубьями шестеренки могут быть молекулы бензола, присоединенные с внешней стороны нанотрубки. Ведущее зубчатое колесо в левой части рисунка заряжено таким образом, чтобы дипольный момент был ориентирован поперек оси трубки. Приложение переменного электрического поля может заставить эту шестеренку вращаться. Ключевой частью любой наномашины является способ приведения ведущей шестеренки в движение. Так, для перекатывания молекулы С60по поверхности (рис. 20.9) идеально плоского ионного кристалла (например хлорида калия) было предложено использовать электрическое поле, которое не требует контакта с наноструктурой. Приложение электрического поля будет поляризовать молекулу С60, перемещая положительные и отрицательные заряды на противоположные стороны сферы, как показано на рисунке. Поскольку молекула имеет большую поляризуемость и большой диаметр, индуцируется большой электрический дипольный момент. Если взаимодействие между дипольным моментом и приложенным электрическим полем больше, чем взаимодействие между молекулой и поверхностью материала, вращение вектора электрического поля вызовет перекатывание молекулы С60 по поверхности.
Атомная силовая микроскопия (АРМ) использует острую иглу, установленную на кончике кантилевера, которым сканируют поверхность материала на небольшой высоте, измеряя прогиб кантилевера. Кантилеверы производят фотолитографическими методами из кремния, диоксида кремния и нитрида кремния. Их типичные размеры — 100 мкм в длину и около 1 мкм в толщину, а жесткость — от 0,1 до 1,0 Н/м. Высокой чувствительности и разрешения можно добиться, работая в режиме квазиконтакта иглы с поверхностью.
Рис.
20.11. а)
— индуцированная ультрафиолетовым
светом цис-транс изомеризация азобензола;
б) — молекулярная машина, основанная
на индуцированных светом изомерных
превращениях азобензольного полимера,
который сокращается при переходе в
цис- форму, вызывая изгиб кантилевера.
Рис.
20.10. Схема
размещения однослойной
углеродной нанотрубки на кантилеве-ре
атомного силового микроскопа.
При этом измеряют изменение амплитуды смещений кончика кантилевера, осциллирующего вблизи частоты резонанса, при легком касании поверхности зондом. Единственная сложность состоит в том, что если поверхность слишком твердая, касание может сломать иглу. Группа из Rice University показала, что использование в качестве материала иглы углеродных нанотрубок может стать решением данной проблемы. Нанотрубка прикреплялась к игле обычного кремниевого кантилевера сбоку с помощью мягкого акрилового клея, как показано на рис. 20.10. Если при ударе нанотрубки о поверхность возникает сила большая, чем критическая сила продольного изгиба, возникает неустойчивость Эйлера; нанотрубка изгибается, а не ломается и затем возвращается в исходное состояние. Склонность нанотрубок к складыванию вместо разрушения делает повреждение кончика маловероятным. Нанотрубка, используемая в качестве зонда для АFМ, обладает еще одним полезным свойством: она служит в качестве демпфера, который смягчает удар при каждом касании поверхности. Такой зонд может быть применен и в контактных режимах измерения нормальной и латеральной компоненты сил взаимодействия с поверхностью. Благодаря малому поперечному сечению и большому отношению длины к диаметру такого зонда, он может проникать в глубокие канавки на поверхности, которые недоступны для обычных зондов. Электропроводные нанотрубки могут использоваться и как зонды для сканирующей туннельной микроскопии.
Молекула азобензола, изображенная на рис. 20.11а, при облучении светом длиной волны 313 нм может изменить свою конформацию с транс-изомерной на цис-изомерную. Изомеры — это молекулы, состоящие из одинаковых атомов и имеющие то же самое количество связей, но различную равновесную конфигурацию. Облучая цис-изомер светом с длинной волны более 380 нм, можно вернуть цис-форму в первоначальную транс-форму. Эти две формы различаются оптическим спектром поглощения. Заметим, что цис-изомер короче, чем трансизомер. Азобензол можно полимеризовать, и в полимерной форме он также может подвергаться транс-цис превращению под действием 365-нанометрового излучения. Когда это происходит, длина полимерной цепочки уменьшается. Группа из Мюнхенского Университета построила молекулярную машину, основанную на фотоизомеризации азобензольного полимера. Они прикрепили молекулу полимера в транс-форме к кантилеверу в атомном силовом микроскопе, как показано на рис. 20.11б, а потом облучили его светом с длиной волны 365 нм, заставив полимер сжаться и изогнуть балку. Облучение светом с длинной волны 420 нм возвращает полимер в транс-форму, позволяя балке вернуться в исходное положение. При попеременном облучении полимера импульсами света 420 и 365 нм балка будет совершать колебания. Это — первая демонстрация искусственной одномолекулярной машины, которая преобразует энергию света в физическую работу.
