- •Глава 1 8
- •Глава 6 66
- •Глава 7 70
- •Глава 8 84
- •Глава 9 101
- •Глава 10 106
- •Глава 11 131
- •Глава 12 153
- •Глава 13 173
- •Глава 14 200
- •Глава 15 219
- •Глава 16 244
- •Глава 17 247
- •17.1 Введение 247
- •Глава 18 266
- •Глава 19 268
- •Глава 20 280
- •Глава 1
- •1. Классификация и методы получения нанокластеров и наноструктур
- •1.1 Молекулярные кластеры
- •1.2 Газовые безлигандные кластеры
- •1.2.1 Источники получения кластеров
- •1.2.2 Масс-спектрометры и детектирование кластеров
- •1.3 Коллоидные кластеры
- •1.4 Твердотельные нанокластеры и наноструктуры
- •1.5 Матричные нанокластеры и супрамолекулярные наноструктуры
- •1.6 Кластерные кристаллы и фуллериты
- •1.7 Компактированные наносистемы и нанокомпозиты
- •1.8 Тонкие наноструктурированные пленки
- •1.9 Углеродные нанотрубки
- •Глава 2
- •2Общие положения
- •2.1Объекты и процессы нанотехнологий
- •2.2 Основная концепция нанотехнологии
- •2.2.1 Физико-химические основы нанотехнологии
- •Глава 3
- •3 Наночастицы, нанонаука, нанотехнология, нанофизика, нанохимия, наномеханика, нанобиология, наномедицина и т.Д., закон Мура
- •3.1 Механические свойства нанокристаллических материалов
- •Глава 4
- •4 Методы контроля аттестации наночастиц, наноизделий и наноструктурированных материалов
- •4.1Методы получения наноструктур
- •4.2 Методы получения наносистем
- •4.3 Особенности ультрадисперсных систем
- •Глава 5 Поверхностные эффекты в нанотехнологиях
- •5.1. Атомные и молекулярные орбитали
- •5.2 Поверхность монокристаллов, нанокластеров и пористых сорбентов
- •5.3 Примесные атомы на поверхности
- •5.4 Поверхность металлов и оксидов металлов (электронные свойства)
- •5.5 Поверхность металлов и оксидов металла (магнитные свойства)
- •5.6 Поверхностные центры кислотного и основного типа
- •5.7 Адсорбция
- •5.8 Примеры адсорбции
- •5.9 Адсорбция молекул воды и атомная динамика атомов железа в пористых ионообменниках.
- •5.10 Адсорбция воды и динамика кластеров воды и полимерной сетки.
- •5.11 Катализ. Примеры каталитических превращений с участием поверхности твердого тела и нанокластеров
- •Глава 6
- •6 Самосборка. Магические цифры. Замена построения синтеза объекта «сверху-вниз» на синтез «снизу-вверх»
- •Глава 7
- •7 Физика наночастиц и нанотехнологии, структура наночастиц. Кластеры
- •7.1 Молекулярные кластеры
- •7.2 Газовые безлигандные кластеры
- •7.2.1 Источники получения кластеров
- •7.2.2 Масс-спектрометры и детектирование кластеров
- •7.3 Коллоидные кластеры
- •7.4 Твердотельные нанокластеры и наноструктуры
- •7.5 Матричные нанокластеры и супрамолекулярные наноструктуры
- •7.6 Кластерные кристаллы и фуллериты
- •7.7 Компактированные наносистемы и нанокомпозиты
- •7.8 Тонкие наноструктурированные пленки
- •Глава 8
- •8 Наноструктурированные материалы. Кристаллизация пленок из растворов-расплавов
- •8.1 Разупорядоченные твердотельные структуры
- •8.1.1 Методы синтеза
- •8.1.2 Механизмы разрушения традиционных поликристаллических материалов
- •8.1.3 Механические свойства
- •8.1.4 Наноструктурированные многослойные материалы
- •8.1.5 Электрические свойства
- •8.1.6 Другие свойства
- •8.1.7 Металлические нанокластеры в оптических стеклах
- •8.1.8 Пористый кремний
- •8.2 Наноструктурированные кристаллы
- •8.2.1 Природные нанокристаллы
- •8.2.2 Теоретическое предсказание существования кристаллических решеток из нанокластеров
- •8.2.3 Упорядоченные структуры наночастиц в цеолитах
- •8.2.4 Кристаллы из металлических наночастиц
- •8.2.5 Упорядоченные решетки наночастиц в коллоидных суспензиях
- •8.2.6 Наноструктурированные кристаллы для фотоники
- •Глава 9
- •9 Механические свойства наноструктурированных материалов, закон Холла- Петча
- •9.1 Механизмы разрушения традиционных поликристаллических материалов
- •Глава 10
- •10 Проблема высокоплотной записи информации, «терабитный барьер» и атомная плотность записи порядка 103 Тбит/см2
- •10.1 Проект наномеханического вентиля
- •10.2 Наноэлектромеханический одноэлектронный транзистор с «механической рукой»
- •10.3 Наномеханическая память вскоре заменит традиционную магнитную
- •10.4 Механическая память на основе нэмс
- •10.5 «Многоножка» стартует с 10 Гб
- •10.6 Память объемом в 100 Гбайт благодаря нанотехнологиям
- •10.6.1Магнитная flash-память на основе углеродных нанотрубок
- •10.7 Открытые микрожидкостные и наножидкостные системы
- •10.8 Ученые построили первый наножидкостный транзистор для химических компьютеров
- •10.9 Сверхточный детектор массы и силы на основе нанотрубки
- •10.9.1 Датчик наноперемещений
- •10.9.2 Нэмс для взвешивания днк
- •10.10 Вращающийся нанопропеллер
- •10.10.1 Новый подход в наномоторах - использование силы поверхностного натяжения
- •10.11 Газовый наносенсор на основе проводящего полимера
- •10.11.1 Газовая нанотурбина
- •10.12 Продукты нанотехнологий завоевывают мировой рынок
- •10.13 Дисплеи нового поколения на мировом рынке
- •10.13.1 Первый цветной дисплей на нанотрубках от компании Motorola
- •10.14 Молекулярные машины вращают днк вдоль оси
- •10.15 Нановелосипед покажет себя на Tour de France
- •Глава 11
- •11 Термодинамические аспекты поверхности
- •11.1 Химический потенциал
- •11.2 Свободная энергия Гиббса и свободная энергия Гельмгольца
- •11.3 Термодинамика поверхности и поверхностей раздела
- •11.4 Термодинамика криволинейной поверхности
- •При равновесии
- •11.5 Структура поверхности и межфазных границ
- •11.6 Нуклеация и рост нанокластеров в нанопорах вещества
- •11.7 Нуклеация и рост кластеров гидроксида железа в нанопорах (экспериментальное приложение термодинамических параметров)
- •11.8 Нуклеация и рост кластеров на основе твердотельных реакций
- •11.9 Твердотельная нуклеация и рост кластеров. Пример термического разложения оксалата железа
- •Глава 12
- •12 Свойства индивидуальных металлических наночастиц
- •12.1 Определение и классификация
- •12.2 Основные параметры проводниковых материалов. Зависимость от состава проводника и внешних факторов
- •12.3 Перспективы развития
- •12.3.1 Основные ограничения и тенденции развития
- •12.4 Предельные размеры моп-приборов
- •12.4. 1 Законы подобия
- •12.5 Туннелирование
- •12.6 Ограничения, связанные со свойствами материалов
- •12.6.1 Ограничения, связанные с функционированием приборов
- •12.6.2 Ограничения ширины линий и резкости
- •12.7 Материал резистов
- •Глава 13
- •13.1 Определения и классификация
- •13.2 Собственные и примесные полупроводники
- •13.3 Особые электронные состояния в конденсированных средах
- •13.4 Основные параметры полупроводниковых материалов
- •13.5 Контакт электронного и дырочного полупроводников. Свойства электронно-дырочного перехода
- •Глава 14
- •14 Квантовые ямы, проволоки и точки. Приготовление квантовых наноструктур
- •14.1 Введение
- •14.2 Приготовление квантовых наноструктур
- •14.3 Эффекты, обусловленные размерами и размерностью нанообъектов
- •14.3.1 Размерные эффекты
- •14.3.2 Размерность объекта и электроны проводимости
- •14.3.3 Ферми-газ и плотность состояний
- •14.3.4 Потенциальные ямы
- •14.3.5 Частичная локализация
- •14.3.6 Свойства, зависящие от плотности состояний
- •14.4 Экситоны
- •14.5 Одноэлектронное туннелирование
- •14.6 Приложения
- •14.6.1 Инфракрасные детекторы
- •14.6.2 Лазеры на квантовых точках
- •14.7 Сверхпроводимость
- •Глава 15
- •15 Магнитные кластеры. Влияние наноструктурирования объемного материала на магнитные свойства. Динамика наномагнитов
- •15.1 Хранение информации наномагнитами
- •15.2 Выращивание наноуглеродных ферромагнетиков
- •15.3 Магнитосопротивление наноструктур
- •15.4 Ферромагнитные жидкости
- •15.5 Магнитные материалы и современная медицина
- •15. 6 Магнитные Поля и Тело человека
- •15.7 Доказательства и сомнения, адвокаты и скептики
- •15. 8 Магнитная терапия сегодня
- •15.8.1 Окончательные выводы преждевременны
- •15.8.2 Магнитно-резонансная томография
- •15.9 Магнитная стимуляция - помощь при лечении психических расстройств
- •15.10 Моторы на постоянных магнитах для сердечников
- •15.11 Магниты как проводники и манипуляторы для медицинских процедур
- •15.11.1 Магнитная жидкость поможет сохранить зрение
- •15.11.2 Магнитоуправляемые сепараторы
- •15.11.3 Магниты для извлечения игл и хранения хирургических инструментов
- •15.11.4 Магнито-жидкостная гипертермия
- •15.11.5 Магнитные наночастицы разрушают раковые клетки
- •15.12 Магнетизм и биология: практика и перспективы. Иглотерапия
- •15.13 Красные кровяные тельца и магнитная память
- •Глава 16
- •16 Кластеры атомов редких газов и молекулярные кластеры
- •16.1 Кластеры инертных газов
- •16.2 Сверхтекучие кластеры
- •16.3 Молекулярные кластеры
- •Глава 17 углеродные наноструктуры
- •17.1 Введение
- •17.2 Углеродные молекулы
- •17.2.1 Природа углеродной связи
- •17.3 Углеродные кластеры
- •17.3.1 Малые углеродные кластеры
- •17.3.2 Открытие фуллерена с60
- •17.3.3 Структура с60 и его кристаллов
- •17.3.4 С60, легированный щелочными металлами
- •17.3.5 Сверхпроводимость в с60
- •17.3.6 Фуллерены с числом атомов, большим или меньшим 60
- •17.3.7 Неуглеродные шарообразные молекулы
- •17.4 Углеродные нанотрубки
- •17.4.1 Методы получения
- •17.4.2 Структура
- •17.4.3 Электрические свойства
- •17.4.4 Колебательные свойства
- •17.4.5 Механические свойства
- •17.5 Применения углеродных нанотрубок
- •17.5.1 Полевая эмиссия и экранирование
- •17.5.2 Компьютеры
- •17.5.3 Топливные элементы
- •17.5.4 Химические сенсоры
- •17.5.5 Катализ
- •17.5.6 Механическое упрочнение
- •Глава 18
- •18 Основные принципы водородной энергетики
- •18.1 Принцип работы водородного топливного элемента (тэ)
- •Глава 19
- •19 Использование нанотрубки в качестве транзистора
- •19.1 Компания Infineon создала самый маленький в мире транзистор на нанотрубке
- •19.2 Ibm утроит производительность транзисторов
- •19.3 Транзистор с плавником от Infineon уменьшил flash-память
- •19.4 Сверхконденсаторы из углеродных нанотрубок
- •19.5 Фотонные транзисторы в кремниевом исполнении
- •19.6 Hp провозглашает конец кремниевой эры
- •19.7 Квантовый выключатель - основа будущей нанологики
- •19.8 Способ массового производства электронных схем на основе нанотрубок
- •19.9 Штампуя наносистемы
- •19.10 Компания tsmc объявила о промышленном выпуске чипов по 65-нанометровому техпроцессу к концу 2005 года
- •19.10.1 Hp избавит мир от транзисторов
- •Глава 20 Наномашины и наноприборы
- •20.1 Микроэлектромеханические системы (memSs)
- •20.2 Наноэлектромеханические системы (nemSs)
- •20.2.1. Изготовление
- •20.2.2 Наноприборы и наномашины
- •20.3 Молекулярные и супрамолекулярные переключатели
11.6 Нуклеация и рост нанокластеров в нанопорах вещества
Нуклеация и рост нанокластеров из отдельных атомов представляет собой известную и активно развиваемую область применения химической термодинамики. Здесь сходятся параметры плоской и искривленной поверхности, а также изменения концентрации и химического потенциала.
Нуклеация может проходить в порах и на поверхности адсорбентов и пористых систем, например оксидов кремния и алюминия, цеолитов, в порах полимеров, ионообменных смол и полисорбов, в пористых углях. Пористые матрицы позволяют получать наносистемы путем пропитывания растворами и проведения химической реакции в поре, как в микро-или нанореакторе.
Образование нанокластеров или зародышей из переохлажденной жидкости и пересыщенных растворов в бесконечном объеме широко исследовалось и обсуждалось, в том числе в термодинамическом аспекте.
Эти эффекты так или иначе связаны с гетерогенными процессами, с взаимодействием жидкой и твердой фазы и играют большую роль не только при кристаллизации и замораживании системы, но и во многих других процессах — в электрохимии, адсорбции, гетерогенном катализе, ферментативных реакциях и т. д. Рассмотрим нуклеацию и рост нанокластеров в поре из раствора с переменной концентрацией атомов, из которых происходит нуклеация.
Для пересыщенного раствора и переохлажденной жидкости свободная энергия Гиббса имеет выражение
∆G = 4 π α R2 – 4/3 π ρ R3 ∆ μ (11.55)
где α — плотность свободной поверхностной энергии образования кластера с радиусом R, ρ — плотность кластера, ∆ μ — изменение химического потенциала, связанное с образованием объема радиусом R. Рассмотрение растворов с конечной концентрацией с = n0 /N, где n0 — число атомов растворенного вещества, например железа, N — число атомов растворителя, дает
∆ μ = ∆ μ0 + ln (n0 /N) (11.56)
При переходе к замкнутой поре, в которой образуется кластер из п атомов, например железа, величина ∆μ записывается в виде
∆ μ = ∆ μ0 + ln [(n0 – n) /N] (11.57)
где ∆ μ0 = μ1 – μs — разность химических потенциалов жидкого и твердого состояния вещества. Если плотность вещества, образующего кластер, обозначить через ρ, то n = 4 π R3 ρ /3 и свободная энергия Гиббса для кластера в замкнутой поре имеет вид
(11.58)
Вид ∆G (n) показан на рис. 11.12. Для бесконечного объема кривые 1, 2 имеют особенности в точке nmin, что соответствует критическому размеру зародыша кластера. Для пересыщенного раствора или переохлажденного расплава величина nmin определяется кривой (1). Уменьшение исходной концентрации n0/N сдвигает nmin2 в сторону больших п (кривая 2), поскольку n0/N ≤ 1.
Рис.
11.12. Вид
функции ∆G
= f(n),
характеризующей рост кластера с объемом
n:
1 — ДС = f(n)
в пересыщенном растворе макрообъема;
2 — ∆G
= f(n)
в растворе с конечной концентрацией
с; 3 — ДС = /(п) в поре; 4 — ∆G
= f(n),
в поре
с
учетом фактора гетерогенности К(α)
Образование кластера в замкнутой поре иллюстрируется зависимостями 3, 4. Ограниченный запас материала, например атомов железа, в растворе внутри поры приводит к существованию предельного размера Птах, начиная с которого энергетически невыгоден рост кластеров, и поэтому дальнейшее увеличение размера кластера в поре прекращается. Вторым важным обстоятельством влияния поры на образование и рост кластеров является ее гетерогенность. Гетерогенность меняет условия образования кластеров, снижая работу образования критического размера кластера на фактор
К(α) =1/4 (2 +cosθ) (1 - cosθ)2 ,
где θ — контактный угол между образующимся кластером и поверхностью поры и ∆G get = ∆G K(α) (рис. 11.12, 4). По аналогии со смачивающейся и несмачиваюшейся поверхностью для смачивющейся поверхности (θ < π ) величина К < 1, что приводит к уменьшению критического размера зародыша в гетерогенной системе. Оценка величин nmin и nmax производится с помощью минимизации свободной энергии (11.58)
что дает следующие результаты.
1. Область n << n0
Rmin2 = 2α / (ρ∆ μ0) (11.60)
где ∆ μ0 определяется формулой (11.59), а
nmin=32α3 / (3ρ2∆ μ20) (11.61)
Отсюда немедленно следует, что с увеличением концентрации с критический размер кластера уменьшается (см. 11.58). При этом высота энергетического барьера образования устойчивого кластера составляет
∆Gmax = 16πα3 / (3ρ2∆ μ20) (11.62)
2. Область n >> nmin (∆ μ > 2α/( ρ R)) и n < n0:
что дает
nmax=n0 ∆ μ / (2 + ∆ μ0) (11.63)
Таким образом, максимальный размер кластеров в поре nmax всегда меньше n0 и возрастает с увеличением размера поры при постоянной концентрации. Для ∆ μ >> 2 n ≈ n0 (объем исходных атомов). Для ∆ μ0 < 2
nmax ≈ n0 [ 1 – 2 / (2 + ∆ μ0)]
При оценке nmax следует, однако, учесть влияние фактора гетерогенности, приводящего к уменьшению nmax, а также тот факт, что с увеличением размера поры в области 10 ÷ 100 нм и более возрастает вероятность образования нескольких кластеров в одной поре, что приводит, естественно, к уменьшению nmax и тогда nmax<<n0 в крупных порах.
Энергетический барьер образовании кластера с учетом гетерогенности понижается. При этом можно рассматривать ∆ Gmax как для образования — ∆ Gdmax так и для обратного распада кластеров — ∆ G rmax. С учетом фактора гетерогенности К < 1
∆ G rmax = = 16πα3 K / (3ρ2∆ μ20) (11.64)
и влияние поры понижает ∆ G rmax. В результате при уменьшении nmax (особенно для пор ~ 10 нм) ∆ G rmax < ∆ Gdmax. Поверхность и объем поры влияет также на скорость образования кластеров, приводя к увеличению скорости образования кластеров за счет понижения энергетического барьера и фактора гетерогенности.
Скорость роста кластеров в поре R может быть представлена в виде
R = f n min ni (11.65)
Здесь f n min ni — скорость роста критического размера кластера
f n min ni = an2/3 kBT / h · exp { - ∆ Ga / (RT)} (11.66)
где an2/3 — число атомов железа в растворе в контакте с поверхностью кластера, kBT / h — частота перехода для атома границы «раствор — кластер», ∆ Ga — энергия активации этого процесса, n i — число кластеров с размером i на единицу объема в стабильном состоянии
n i = Z nl exp { - ∆ Gmax / (RT)}
где nl — число атомов жидкости на единицу объема, Z — фактор Зельдовича, который определяет отношение числа кластеров в стабильном состоянии к числу кластеров, соответствующих искусственно созданному в данный момент равновесию.
Анализ формул (11.65)-(11.67) свидетельствует о том, что гетерогенность поры влияет как на преэкспонент, так и на барьер нуклеации, однако влияние fn min незначительно. Основной вклад в увеличение скорости образования кластера в поре вносит уменьшение ∆ Gmax за счет К (α). Вторым фактором, определяющим скорость нуклеации, является размер поры, связанный с n0.
