- •Глава 1 8
- •Глава 6 66
- •Глава 7 70
- •Глава 8 84
- •Глава 9 101
- •Глава 10 106
- •Глава 11 131
- •Глава 12 153
- •Глава 13 173
- •Глава 14 200
- •Глава 15 219
- •Глава 16 244
- •Глава 17 247
- •17.1 Введение 247
- •Глава 18 266
- •Глава 19 268
- •Глава 20 280
- •Глава 1
- •1. Классификация и методы получения нанокластеров и наноструктур
- •1.1 Молекулярные кластеры
- •1.2 Газовые безлигандные кластеры
- •1.2.1 Источники получения кластеров
- •1.2.2 Масс-спектрометры и детектирование кластеров
- •1.3 Коллоидные кластеры
- •1.4 Твердотельные нанокластеры и наноструктуры
- •1.5 Матричные нанокластеры и супрамолекулярные наноструктуры
- •1.6 Кластерные кристаллы и фуллериты
- •1.7 Компактированные наносистемы и нанокомпозиты
- •1.8 Тонкие наноструктурированные пленки
- •1.9 Углеродные нанотрубки
- •Глава 2
- •2Общие положения
- •2.1Объекты и процессы нанотехнологий
- •2.2 Основная концепция нанотехнологии
- •2.2.1 Физико-химические основы нанотехнологии
- •Глава 3
- •3 Наночастицы, нанонаука, нанотехнология, нанофизика, нанохимия, наномеханика, нанобиология, наномедицина и т.Д., закон Мура
- •3.1 Механические свойства нанокристаллических материалов
- •Глава 4
- •4 Методы контроля аттестации наночастиц, наноизделий и наноструктурированных материалов
- •4.1Методы получения наноструктур
- •4.2 Методы получения наносистем
- •4.3 Особенности ультрадисперсных систем
- •Глава 5 Поверхностные эффекты в нанотехнологиях
- •5.1. Атомные и молекулярные орбитали
- •5.2 Поверхность монокристаллов, нанокластеров и пористых сорбентов
- •5.3 Примесные атомы на поверхности
- •5.4 Поверхность металлов и оксидов металлов (электронные свойства)
- •5.5 Поверхность металлов и оксидов металла (магнитные свойства)
- •5.6 Поверхностные центры кислотного и основного типа
- •5.7 Адсорбция
- •5.8 Примеры адсорбции
- •5.9 Адсорбция молекул воды и атомная динамика атомов железа в пористых ионообменниках.
- •5.10 Адсорбция воды и динамика кластеров воды и полимерной сетки.
- •5.11 Катализ. Примеры каталитических превращений с участием поверхности твердого тела и нанокластеров
- •Глава 6
- •6 Самосборка. Магические цифры. Замена построения синтеза объекта «сверху-вниз» на синтез «снизу-вверх»
- •Глава 7
- •7 Физика наночастиц и нанотехнологии, структура наночастиц. Кластеры
- •7.1 Молекулярные кластеры
- •7.2 Газовые безлигандные кластеры
- •7.2.1 Источники получения кластеров
- •7.2.2 Масс-спектрометры и детектирование кластеров
- •7.3 Коллоидные кластеры
- •7.4 Твердотельные нанокластеры и наноструктуры
- •7.5 Матричные нанокластеры и супрамолекулярные наноструктуры
- •7.6 Кластерные кристаллы и фуллериты
- •7.7 Компактированные наносистемы и нанокомпозиты
- •7.8 Тонкие наноструктурированные пленки
- •Глава 8
- •8 Наноструктурированные материалы. Кристаллизация пленок из растворов-расплавов
- •8.1 Разупорядоченные твердотельные структуры
- •8.1.1 Методы синтеза
- •8.1.2 Механизмы разрушения традиционных поликристаллических материалов
- •8.1.3 Механические свойства
- •8.1.4 Наноструктурированные многослойные материалы
- •8.1.5 Электрические свойства
- •8.1.6 Другие свойства
- •8.1.7 Металлические нанокластеры в оптических стеклах
- •8.1.8 Пористый кремний
- •8.2 Наноструктурированные кристаллы
- •8.2.1 Природные нанокристаллы
- •8.2.2 Теоретическое предсказание существования кристаллических решеток из нанокластеров
- •8.2.3 Упорядоченные структуры наночастиц в цеолитах
- •8.2.4 Кристаллы из металлических наночастиц
- •8.2.5 Упорядоченные решетки наночастиц в коллоидных суспензиях
- •8.2.6 Наноструктурированные кристаллы для фотоники
- •Глава 9
- •9 Механические свойства наноструктурированных материалов, закон Холла- Петча
- •9.1 Механизмы разрушения традиционных поликристаллических материалов
- •Глава 10
- •10 Проблема высокоплотной записи информации, «терабитный барьер» и атомная плотность записи порядка 103 Тбит/см2
- •10.1 Проект наномеханического вентиля
- •10.2 Наноэлектромеханический одноэлектронный транзистор с «механической рукой»
- •10.3 Наномеханическая память вскоре заменит традиционную магнитную
- •10.4 Механическая память на основе нэмс
- •10.5 «Многоножка» стартует с 10 Гб
- •10.6 Память объемом в 100 Гбайт благодаря нанотехнологиям
- •10.6.1Магнитная flash-память на основе углеродных нанотрубок
- •10.7 Открытые микрожидкостные и наножидкостные системы
- •10.8 Ученые построили первый наножидкостный транзистор для химических компьютеров
- •10.9 Сверхточный детектор массы и силы на основе нанотрубки
- •10.9.1 Датчик наноперемещений
- •10.9.2 Нэмс для взвешивания днк
- •10.10 Вращающийся нанопропеллер
- •10.10.1 Новый подход в наномоторах - использование силы поверхностного натяжения
- •10.11 Газовый наносенсор на основе проводящего полимера
- •10.11.1 Газовая нанотурбина
- •10.12 Продукты нанотехнологий завоевывают мировой рынок
- •10.13 Дисплеи нового поколения на мировом рынке
- •10.13.1 Первый цветной дисплей на нанотрубках от компании Motorola
- •10.14 Молекулярные машины вращают днк вдоль оси
- •10.15 Нановелосипед покажет себя на Tour de France
- •Глава 11
- •11 Термодинамические аспекты поверхности
- •11.1 Химический потенциал
- •11.2 Свободная энергия Гиббса и свободная энергия Гельмгольца
- •11.3 Термодинамика поверхности и поверхностей раздела
- •11.4 Термодинамика криволинейной поверхности
- •При равновесии
- •11.5 Структура поверхности и межфазных границ
- •11.6 Нуклеация и рост нанокластеров в нанопорах вещества
- •11.7 Нуклеация и рост кластеров гидроксида железа в нанопорах (экспериментальное приложение термодинамических параметров)
- •11.8 Нуклеация и рост кластеров на основе твердотельных реакций
- •11.9 Твердотельная нуклеация и рост кластеров. Пример термического разложения оксалата железа
- •Глава 12
- •12 Свойства индивидуальных металлических наночастиц
- •12.1 Определение и классификация
- •12.2 Основные параметры проводниковых материалов. Зависимость от состава проводника и внешних факторов
- •12.3 Перспективы развития
- •12.3.1 Основные ограничения и тенденции развития
- •12.4 Предельные размеры моп-приборов
- •12.4. 1 Законы подобия
- •12.5 Туннелирование
- •12.6 Ограничения, связанные со свойствами материалов
- •12.6.1 Ограничения, связанные с функционированием приборов
- •12.6.2 Ограничения ширины линий и резкости
- •12.7 Материал резистов
- •Глава 13
- •13.1 Определения и классификация
- •13.2 Собственные и примесные полупроводники
- •13.3 Особые электронные состояния в конденсированных средах
- •13.4 Основные параметры полупроводниковых материалов
- •13.5 Контакт электронного и дырочного полупроводников. Свойства электронно-дырочного перехода
- •Глава 14
- •14 Квантовые ямы, проволоки и точки. Приготовление квантовых наноструктур
- •14.1 Введение
- •14.2 Приготовление квантовых наноструктур
- •14.3 Эффекты, обусловленные размерами и размерностью нанообъектов
- •14.3.1 Размерные эффекты
- •14.3.2 Размерность объекта и электроны проводимости
- •14.3.3 Ферми-газ и плотность состояний
- •14.3.4 Потенциальные ямы
- •14.3.5 Частичная локализация
- •14.3.6 Свойства, зависящие от плотности состояний
- •14.4 Экситоны
- •14.5 Одноэлектронное туннелирование
- •14.6 Приложения
- •14.6.1 Инфракрасные детекторы
- •14.6.2 Лазеры на квантовых точках
- •14.7 Сверхпроводимость
- •Глава 15
- •15 Магнитные кластеры. Влияние наноструктурирования объемного материала на магнитные свойства. Динамика наномагнитов
- •15.1 Хранение информации наномагнитами
- •15.2 Выращивание наноуглеродных ферромагнетиков
- •15.3 Магнитосопротивление наноструктур
- •15.4 Ферромагнитные жидкости
- •15.5 Магнитные материалы и современная медицина
- •15. 6 Магнитные Поля и Тело человека
- •15.7 Доказательства и сомнения, адвокаты и скептики
- •15. 8 Магнитная терапия сегодня
- •15.8.1 Окончательные выводы преждевременны
- •15.8.2 Магнитно-резонансная томография
- •15.9 Магнитная стимуляция - помощь при лечении психических расстройств
- •15.10 Моторы на постоянных магнитах для сердечников
- •15.11 Магниты как проводники и манипуляторы для медицинских процедур
- •15.11.1 Магнитная жидкость поможет сохранить зрение
- •15.11.2 Магнитоуправляемые сепараторы
- •15.11.3 Магниты для извлечения игл и хранения хирургических инструментов
- •15.11.4 Магнито-жидкостная гипертермия
- •15.11.5 Магнитные наночастицы разрушают раковые клетки
- •15.12 Магнетизм и биология: практика и перспективы. Иглотерапия
- •15.13 Красные кровяные тельца и магнитная память
- •Глава 16
- •16 Кластеры атомов редких газов и молекулярные кластеры
- •16.1 Кластеры инертных газов
- •16.2 Сверхтекучие кластеры
- •16.3 Молекулярные кластеры
- •Глава 17 углеродные наноструктуры
- •17.1 Введение
- •17.2 Углеродные молекулы
- •17.2.1 Природа углеродной связи
- •17.3 Углеродные кластеры
- •17.3.1 Малые углеродные кластеры
- •17.3.2 Открытие фуллерена с60
- •17.3.3 Структура с60 и его кристаллов
- •17.3.4 С60, легированный щелочными металлами
- •17.3.5 Сверхпроводимость в с60
- •17.3.6 Фуллерены с числом атомов, большим или меньшим 60
- •17.3.7 Неуглеродные шарообразные молекулы
- •17.4 Углеродные нанотрубки
- •17.4.1 Методы получения
- •17.4.2 Структура
- •17.4.3 Электрические свойства
- •17.4.4 Колебательные свойства
- •17.4.5 Механические свойства
- •17.5 Применения углеродных нанотрубок
- •17.5.1 Полевая эмиссия и экранирование
- •17.5.2 Компьютеры
- •17.5.3 Топливные элементы
- •17.5.4 Химические сенсоры
- •17.5.5 Катализ
- •17.5.6 Механическое упрочнение
- •Глава 18
- •18 Основные принципы водородной энергетики
- •18.1 Принцип работы водородного топливного элемента (тэ)
- •Глава 19
- •19 Использование нанотрубки в качестве транзистора
- •19.1 Компания Infineon создала самый маленький в мире транзистор на нанотрубке
- •19.2 Ibm утроит производительность транзисторов
- •19.3 Транзистор с плавником от Infineon уменьшил flash-память
- •19.4 Сверхконденсаторы из углеродных нанотрубок
- •19.5 Фотонные транзисторы в кремниевом исполнении
- •19.6 Hp провозглашает конец кремниевой эры
- •19.7 Квантовый выключатель - основа будущей нанологики
- •19.8 Способ массового производства электронных схем на основе нанотрубок
- •19.9 Штампуя наносистемы
- •19.10 Компания tsmc объявила о промышленном выпуске чипов по 65-нанометровому техпроцессу к концу 2005 года
- •19.10.1 Hp избавит мир от транзисторов
- •Глава 20 Наномашины и наноприборы
- •20.1 Микроэлектромеханические системы (memSs)
- •20.2 Наноэлектромеханические системы (nemSs)
- •20.2.1. Изготовление
- •20.2.2 Наноприборы и наномашины
- •20.3 Молекулярные и супрамолекулярные переключатели
11.9 Твердотельная нуклеация и рост кластеров. Пример термического разложения оксалата железа
Термическое разложение соли Fe2(С2О4)з • 5Н2О на воздухе происходит в области температуры разложения Тd= 200÷300° С. Были получены два минимума на кривых дифференциального термического и гравиметрического анализа в процессе термического разложения оксалата железа при температурах Та ~ 200° С и 260°С на воздухе.
Первый минимум на обеих кривых отвечает дегидратации железа с выделением СО и СО2 . Таким образом, выше Тd ~ 200° С формируется подвижная среда, в которой возможна нуклеация и рост кластеров оксида железа. Второй минимум, по-видимому, связан с дальнейшим удалением СО и СО2 и началом спекания кластеров оксида железа. Размер кластеров оценивается по методу БЭТ, данным рентгеноструктурного анализа, атомно-силовой микроскопии и мессбауэровской спектроскопии.
Весьма эффективно применение к подобным исследованиям мессбауэровской спектроскопии, поскольку это дает возможность определять не только самые малые размеры кластеров, но также и разделять этапы нуклеации и роста кластеров (рис. 11.16). Читатель может проследить за изменением спектров на рис. 11.18, 11.19 и сделать заключение о том, что же происходит с наносистемой в процессе нуклеации и роста кластеров.
Рис.
11.18. Мессбауэровские спектры нанокластеров
гамма-оксида железа, синтезированных
при Тd
= 215°
С при разных температурах измерения:
а) 4,2 К; б) 25 К; в) 78 К. Сплошные линии —
результат компьютерного анализа
составляющих спектров. Для спектров а
и б показаны составляющие поверхностных
(меньшая величина Вin(2))
и внутренних атомов кластеров (большая
величина Вin
(1))
Рис.
11.19. Мессбауэровские спектры нанокластеров
гамма-оксида железа, синтезированных
при Тd
= 300°
С при разных температурах измерения:
а) 300 К; б) 200 К; в) 90 К. Сплошные линии —
результат компьютерной обработки
составляющих спектра для поверхностных
(меньшая величина Вin(2))
и внутренних атомов (большая величина
Вin
(1))
Мессбауэровский спектр на рис. 11.18 при Т = 4,2 К соответствует кластерам гамма-оксида железа, причем ббльшая величина Вin(1) = 48 Т, соответствует атомам железа внутри кластера, а меньшая — Вin(2) = 43 Т — наружным атомам кластера. Подобная зависимость Вin наблюдалась и ранее для оксида железа на поверхности металлического железа. Повышение температуры до Т = 25 К приводит к размыванию спектра, уширению линий магнитной СТС, уменьшению величин Вin и появлению в центре спектра дублета. Подобный характер спектра свидетельствует о релаксации магнитного момента кластера как целого и связан с явлением суперпарамагнетизма. Поскольку применение этого эффекта становится одним из основных способов определения размеров ультрамалых частиц, стоит остановиться на нем более подробно. Напомним, что суперпарамагнетизм обусловлен тепловыми флуктуациями магнитного момента как целого без потери магнитного порядка внутри кластера. При этом справедливо соотношение
τ = τ0 exp {KV / (kBT)}
где τ — время релаксации магнитного момента кластера, τo ~ 10 -9 – 10-10 с, К — константа магнитной анизотропии кластера, V — объем кластера. Время релаксации можно определить из спектра с помощью применения различных моделей, например, медленной релаксации из уширения линий ΔГ магнитной СТС.
Используя величину ΔГ = 5,1 мм/с при Т = 25 К и Г = 0,6 мм/с при Т = 4,2 К получим для вычислений ΔГ = 4,5 мм/с, что соответствует г = 2,2 ·10-9 с. Тогда для τo = 1 ·10-9 с при Т = 25 К и К = (l÷2)- 105 Дж/м3 получаем средний размер кластера ádñ = 1,4 ¸1,7 нм. При температуре Т = 78 К величина τ уменьшается и в мессбауэровском спектре наблюдается только квадрупольный дублет. Таким образом, спектры на рис. 11.18 отвечают начальному этапу твердотельной нуклеации. Ситуация совершенно меняется при увеличении размеров кластеров и начале их спекания. Спектры на рис. 11.19 разительно отличаются от предыдущих, обладают узкими линиями и величинами Вiп — 51,5 Т, соответствующими массивному материалу. Здесь нет никакого намека на суперпарамагнетизм, кроме того, данные рентгеноструктурного анализа и АСМ свидетельствуют о наличии крупных нанокластеров с размерами 30 ÷ 40 нм. Для объяснения появления и в этих спектрах парамагнитного дублета необходимо привлечение новых характеристик и свойств нанокластеров и наноструктур о чем речь пойдет в дальше.
Итак, реакция термического разложения оксалата железа приводит к появлению двух характерных термодинамических состояний и двух барьеров реакции.
Соответствие термодинамической модели нуклеации, роста и спекания кластеров и экспериментальных данных термического разложения оксалата железа поясняются на рис. 11.20.
Рис. 11.20. Схема
образования, роста и спекания кластеров:
а) образование зародышей, б) максимальный
размер устойчивого кластера при слабом
межкластерном взаимодействии, в)
начало спекания, г) образование
наносистемы сильно взаимодействующих
кластеров. Стрелками показано соответствие
стадий а-г кривой изменения свободной
энергии Гиббса
Здесь выделенное пунктиром ограниченное пространство включает 4 точки начала нуклеации и зарождения кластеров. Представлена докритическая область размеров кластера (R < Rcr), соответствующая стадии флуктуационного зарождения, которое сопровождается ростом функции ΔG(R). В области R > Rcr процесс нуклеации сопровождается уменьшением свободной энергии, идет спонтанно и заканчивается образованием устойчивого кластера с размером Rmах = 5 - 6 нм и наносистемы слабо взаимодействующих кластеров (рис. 11.20б). Когда расстояние между центрами соседних кластеров (2Rt) достаточно мало, происходит спекание. При этом, если Rmax < Rt, то в области Rmaх < R < Rt функция ΔG(R) возрастает, образуя потенциальный барьер спекания с максимумом в точке R = Rt. Причем с ростом Rt глубина потенциальной ямы, соответствующей сильно взаимодействующей системе, становится все меньше, а при Rt = (Rt)max исчезает, и спекание становится невозможным, поскольку должно сопровождаться увеличением свободной энергии (ΔG > 0). Поскольку Rmaх и Rt определяются условиями опыта, результат топохимической реакции зависит от температуры реактора, продолжительности спекания и предыстории образца. Таким образом, образование наносистемы проходит две основные стадии: наносистема слабо взаимодействующих кластеров от зарождения кластеров до начала их спекания и наносистема сильно взаимодействующих кластеров после начала спекания. Изменение характера межкластерного взаимодействия меняет многие свойства наносистемы, при этом возникновение сильного межкластерного взаимо действия и спекания характеризуется значительными межфазными напряжениями. Эти напряжения генерируются образованием промежуточной шейки за счет поверхностного натяжения, согласно р = α/х, где α — поверхностное натяжение, х — радиус шейки при спекании кластеров.
Полагая для оксида железа α ~ 1 Н/м и х ~ 1 нм, получаем р ~ 109 Ра. Избыточное давление развивается также за счет наличия дефектов, дислокаций на межфазной границе и достигает для кластеров ~ 10 нм величин 109 Па. Напряжение и давление, развиваемые в системе сильно взаимодействующих нанокластеров, представляют собой один из важнейших факторов, обуславливающих формирование наноструктуры и ее свойств. Путем низкотемпературных твердотельных реакций можно, видимо, получить, соблюдая условия Rt и Rmaх, твердотельные нанокластеры металлов, оксидов и халькогенидов.
