- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§ 125. Интегральная интенсивность
Формулы, полученные в предыдущем параграфе, определяют интенсивность дифракции при падении на кристалл строго монохроматической и строго плоской волны. Рассмотрим теперь ряд случаев, в которых эти условия не выполнены.
Начнем со случая, когда падающая волна является плоской, но не монохроматической1). Другими словами, ее спектральное разложение содержит волны с волновыми векторами к, одинаковыми по направлениям, но различными по величине /г = со/с. Обозначим посредством p(k) плотность распределения интенсивности падающего излучения по частотам, нормированную на единицу условием ^ p(k)dk=l.
Полная интенсивность дифракционного пятна определяется сечением, получающимся интегрированием выражения (124,13) по do' и по р (k) dk:
а = Т (Й)21 пь |2 И11 е~'("'"к~Ь,ГdV Г (1 + cos2 й) Р (k)do'dk- ' (125,1)
х) Этот случай соответствует известному методу Лауэ рентгеноструктур-:юго анализа кристаллов.
Введем временно обозначение К = к'—к— b и напишем квадрат модуля в виде двойного интеграла:
| J e-'K'dvf = 55 eW'-^dV^dVt.
Введя вместо гх и г2 переменные 1U(ri-\-r.2) и г = г2 — гх и произведя интегрирование по первым по объему тела, получим
| J e<Krdi/|2 = i/ JgtKr ау.
В оставшемся интеграле можно теперь производить интегрирование по всем переменным в бесконечных пределах1), в результате чего находим
| J e'Kr dV |2 = (2л):! V8 (К). (125,2)
Подставив этот результат в формулу (125,1), переписываем последнюю в виде
о= 4л3 \nk\-V{\+cos°-\) J5 б (к' — к — Ъ) р {k)do'dk;
(125,3)
ввиду наличия б-функции в подынтегральном выражении мы вынесли множитель l+cos2\>, заменив его значением при •& = f}0, где •&„ — угол между векторами к и к', удовлетворяющими условиям Лауэ (обозначим их как к0 и ko = k0-f-b).
Интегрирование по do' удобно произвести, заметив, что оно эквивалентно интегрированию по
d'k' = k'4k'do' = \/2 k'd (k'2) do'
при условии введения в подынтегральное выражение дополнительного множителя (2:k)8(k'- — k'1). Таким образом, интеграл в (125,3) заменяется иа
^ 1 б (к' — к — Ь) б (/г'2 — /г2) р (k) d'k'dk.
Произведя интегрирование по d'k' с помощью первой б-функции, мы должны заменить во второй k'2 на (k + b)2, в результате чего получаем
а = (2*у 11 пь\2V(\+ cos2 {}0) j 1 б (2bk + b2) р (fe) dfe. (125,4)
Наконец, произведем последнее интегрирование по dk (при заданном направлении n = k,k). Аргумент б-функции обращается в нуль при k = kg, и интеграл равен
р (*о) 1 P(fep) =pfe)
2Ли Jbn) 2 I bk0 I b2 '
x) Это можно сделать постольку, поскольку мы имеем целью вычислить лишь полную интенсивность дифракционного пятна, а не его ширину.
Таким образом, получаем окончательно:
а = (2л)3 ( | яь |97 V (1 + cos98 ^ £^1. (125,5)
Рассмотрим теперь другой случай, в котором падающая волна монохроматична, но содержит компоненты с различными направлениями к, получающимися друг из друга вращением вокруг некоторой оси1). Единичный вектор вдоль направления последней обозначим посредством 1, а угол поворота вокруг нее посредством яь. Функция р (\{?) пусть дает распределение интенсивности падающего излучения по углам, нормированное на единицу:
2я
5 P(ii>)dib=i.
о
Все вычисления, приведшие к формуле (125,4), полностью относятся и к этому случаю, с той лишь разницей, что интегрирование по p(k)dk надо заменить интегрированием по p(ty)dty:
а = (2я)3 (J^991 яь |* V (1 + cos4Q) J| 6 (2bk + b100) р (rp) йф. (125,6)
Снова обозначим посредством к0 значение к, для которого обращается в нуль аргумент б-функции, и будем отсчитывать от плоскости 1, к0. Для малых ib имеем
к= к0 + [1к0]гр.
Тогда интеграл в (125,6) принимает вид
Р(0)
2P(°>sin2Y
[1б(2Ь[1кп]г|,)Р(^)^=~п£^-
.2M^V.i„i*»(limcU^. ui/_P(0)
sln^Cl+cos-^lnbl^T^jj-. (125,7)
Наконец, рассмотрим дифракцию монохроматической плоской волны от тела, представляющего собой совокупность хаотически ориентированных кристалликов 102).
*)
Этот случай соответствует известному
методу
Брэгга
(или
методу
вращения)
рентгеноструктурного
анализа, причем фактически речь идет
не' о повороте направления к,
а
о вращении самого кристалла вокруг
оси 1.
