- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§ 5. Силы, действующие на проводник
В электрическом поле на поверхность проводника действуют со стороны поля определенные силы. Их легко вычислить следующим образом.
Плотность потока импульса в электрическом поле в пустоте определяется известным максвелловским тензором напряжений1):
~ °ik=i (т 8ik~ Е<Ек) •
Сила же, действующая на элемент df поверхности тела, есть не что иное, как поток «втекающего» в него извне импульса, т. е. равна aikdfk = aiknkdf (знак изменен в связи с тем, что вектор нормали п направлен наружу от тела, а не внутрь него). Величина oiknk есть, следовательно, сила Fn0B, отнесенная к 1 см2 площади поверхности. Учитывая, что у поверхности металла напряженность Е имеет только нормальную составляющую, получим
£2
FnoB= n g^-, (5Л)
или, вводя поверхностную плотность зарядов а,
Fnoe = 2nG2n = 72aE.
Таким образом, на поверхности проводника действуют силы «отрицательного давления», направленного по внешней нормали к поверхности и по величине равного плотности энергии поля.
') См. II § 33. Тензор напряжений oiu принято определять со знаком, обратным по отношению к тензору плотности потока импульса. Такое определение принято и в других томах этого курса; лишь в II § 33 по недосмотру обозначение Oik использовано с другим знаком.
Полная сила F, действующая на проводник, получается интегрированием силы (5,1) по всей его поверхности1):
Цы. (5,2)
Обычно, однако, более удобно вычислять эту величину, согласно общим правилам механики, путем дифференцирования энергии 41. Именно, сила, действующая на проводник вдоль координатной оси q, есть —d4l/dq, где под производной надо понимать изменение энергии при параллельном смещении данного тела как целого вдоль оси q. При этом энергия должна быть выражена через заряды проводников (источников поля), и дифференцирование производится при постоянных зарядах. Отмечая это обстоятельство индексом е, напишем
dll
Аналогично, проекция на какую-либо ось полного действующего на проводник момента сил равна
«"(£).• <5'4>
где гр—угол поворота тела как целого вокруг данной оси.
Если же энергия выражена как функция потенциалов, а не зарядов проводников, то вопрос о вычислении с ее помощью сил требует особого рассмотрения. Дело в том, что для поддержания у проводника (при его перемещении) постоянного потенциала необходимо прибегнуть к помощи посторонних тел. Можно, например, поддерживать постоянный потенциал проводника путем соединения его с другим проводником, обладающим очень большой емкостью («резервуар зарядов»). Заряжаясь зарядом еа, проводник отнимает его из резервуара, потенциал ц>а которого при этом не меняется ввиду его большой емкости. Меняется, однако, энергия резервуара, уменьшаясь на еасра. При заряжении всей системы проводников зарядами еа энергия соединенных с ними резервуаров изменится в сумме на —^Eiea(fa- В величину же 41 входит только энергия рассматриваемых проводников, но не энергия резервуаров. В этом смысле можно сказать, что 41 относится к энергетически незамкнутой системе. Таким образом, для системы проводников, потенциалы которых поддерживаются постоянными, роль механической энергии играет не 41, а величина
41 = 41-%еац>а. (5,5)
J) В данном случае мы применяем эту формулу к поверхности, не совпадающей буквально с поверхностью тела, а несколько смещенной относительно нее, чтобы исключить влияние структуры поля вблизи поверхности тела (ср. стр. 14—15).
Подставив сюда (2,2), находим, что Ч1 и 41 отличаются только знаком:
41 = —41. (5,6)
Сила Fq получается дифференцированием 41 по q при постоянных потенциалах, т. е.
'.--(£).-(£), <">
Таким образом, действующие на проводник силы можно получить дифференцированием 41 как при постоянных зарядах, так и при постоянных потенциалах, с той лишь разницей, что производную надо брать в первом случае со знаком минус, а во втором-—со знаком плюс.
Этот же результат можно было бы получить и более формальным путем, исходя из дифференциального тождества
d4l = '2lyadea—Fqdq, (5;8)
а
в котором 41 рассматривается как функция зарядов проводников и координаты q; этим тождеством выражается тот факт, что производные равны д41/деа = ца, d4l/dq = —Fg. Переходя к переменным фа вместо еа, получим отсюда
deH = — ^e,/l(fa—Fqdq, (5,9)
а
откуда и следует (5,7).
В конце § 2 была рассмотрена энергия проводника во внешнем однородном электрическом поле. Полная сила, действующая на незаряженный проводник в однородном поле, равна, разумеется, нулю. Но выражением энергии (2,14) можно воспользоваться для определения силы, действующей на проводник в квазиоднородном поле <&, т. е. в поле, мало меняющемся на протяжении размеров тела. В таком поле в первом приближении все еще можно вычислить энергию по формуле (2,14), а сила F определится как градиент этой энергии:
F = - grad 41 = V,a,*V grad (5,10)
Что же касается полного момента сил К, то он, вообще говоря, отличен от нуля уже и в однородном внешнем поле. По общим правилам механики К можно определить, рассматривая бесконечно малый виртуальный поворот тела; изменение энергии при таком повороте связано с К посредством 841 =—К<Н>, где бчр — угол поворота. Поворот тела на угол бор в однородном поле эквивалентен повороту поля относительно тела на угол —6tp. Изменение поля при этом есть 6<g =—[бтр • ©], а изменение энергии
Но дЧ1/д($ = —как это видно из сравнения формул (2,13) и (2,14). Поэтому Ш = — [З^Щ 6г|5, откуда
К = [<ре], (5,11)
в соответствии с обычным выражением, известным из теории поля в пустоте.
Если полные сила и момент, действующие на проводник, равны нулю, то проводник в поле остается неподвижным и на первый план выдвигаются эффекты, связанные с деформированием тела (так называемая электрострикция). Силы (5,1), действующие на поверхность проводника, приводят к изменению его формы и объема. При этом, ввиду растягивающего характера сил, объем тела увеличивается. Полное определение деформации требует решения уравнений теории упругости с заданным распределением сил (5,1) на поверхности тела. Если, однако, интересоваться только изменением объема, то задача может быть решена весьма просто.
Для этого надо учесть, что если деформация слаба (как это фактически имеет место при электрострикции), то влияние изменения формы на изменение объема является эффектом второго порядка малости. Поэтому в первом приближении изменение объема можно рассматривать как результат деформирования без изменения формы, т. е. как всестороннее растяжение под влиянием некоторого эффективного избыточного давления АР, равномерно распределенного по поверхности тела и заменяющего собой точное распределение согласно (5,1). Относительное изменение объема получается умножением АР на коэффициент всестороннего растяжения вещества. Давление АР определяется, согласно известной формуле, как производная от электрической энергии тела 41 по его объему: АР = — tfU/dV1).
Пусть деформирующее поле создается самим заряженным проводником. Тогда энергия сМ = е2/2С и давление
ДР = е* д П
2 dV\C
При заданной форме тела его емкость (как величина, имеющая размерность длины) пропорциональна его линейным размерам, т. е. пропорциональна V1/3. Поэтому находим
Если же незаряженный проводник находится в однородном внешнем поле (£, то его энергия дается формулой (2,14). Поэтому в этом случае растягивающее давление будет
ДР = 7Л*@,®.- (5,13)
7 Определенная таким образом величина есть растяжение, действующее на поверхность со стороны самого тела; давление же, действующее на нее извне, получается изменением знака.
Задачи
1. Маленький проводник с емкостью с (порядка величины его размеров) находится на расстоянии г от центра сферического проводника большого радиуса а (а'р>с). Расстояние г —а от проводника с до поверхности шара предполагается большим лишь по сравнению с с, но не по сравнению с а. Оба проводника соединены друг с другом тонким проводом, так что находятся при одинаковом потенциале ф. Определить силу взаимного отталкивания проводников.
Решение. Ввиду малости проводника с можно считать, что его потенциал складывается из потенциала ц>а/г, который создается на расстоянии г большой сферой, и собственного потенциала е/с, создаваемого зарядом е, находящимся на самом проводнике. Отсюда имеем ф = <$а/г-\-е/с или е=с<р (1 —а/г). Искомая сила взаимодействия F определяется как кулоновская сила отталкивания между зарядом е проводника с и зарядом оф сферы:
(это выражение справедливо с точностью до членов более высокого порядка по с). Эта сила максимальна при г = За/2 (где она равна Fmax = 4rcp2/27a) и убывает в обе стороны от этий точки.
2. Заряженный проводящий шар разрезан пополам. Определить силу, с которой оба полушария отталкиваются друг от друга ').
Решение. Представляем себе полушария разделенными бесконечно узкой щелью и определяем действующую на каждое из них силу F путем интегрирования по их поверхности силы (£2/8л) cos 0 (проекция силы (5,1) на направление, перпендикулярное к плоскости раздела полушарий). В щели £ = 0, а па наружной поверхности Е=е/а2, где а — радиус шара, а е — полный заряд на нем. В результате получим
3. То же для незаряженного шара, находящегося во внешнем однородном поле 6, перпендикулярном к плоскости разреза.
Решение аналогично предыдущей задаче, стой разницей, что на поверхности шара Е =3® cos 9 (согласно задаче 1 § 3). Искомая сила
4. Определить изменение объема и изменение формы проводящего шара во внешнем однородном электрическом поле.
Решение. Изменение объема AV/V= АР/К, где К—модуль всестороннего растяжения вещества, а АР определяется формулой (5,13). Для шара а,-к = а5,-к = 36,-к/4л (а из задачи 1 § 3), так что
АУ_ 3(£2 V SkK '
В задачах 2 и 3 предполагается, что оба
полушария находятся при одинаковом
потенциале.
Условие равновесия деформированного тела можно сформулировать как условие минимальности суммы электростатической и упругой энергии. Первая из них согласно формулам (2,12), (4,26) равна
8ля 8я Юл R
где R — первоначальный радиус шара, а и Ь — полуоси эллипсоида, а
1 4 а — Ь П ~ 3 15 Д
— коэффициент деполяризации (см. (4,33)).
В силу аксиальной симметрии деформации (вокруг направления поля — оси х) отличны от нуля лишь компоненты ихх и иуу = игг тензора деформации. Поскольку мы рассматриваем равновесие по отношению к изменению формы, можно считать при этом объем неизменным, т.е. иц=0. Поэтому упругую энергию можно написать в виде
V V
'"упр—"J uikaik — ~^ (ахх ®уу) (ихх ауу)'
где aik — тензор упругих напряжений (см. VII § 4). Имеем
ахх — аг/г/ = 211 (Uxx — Uyy),
где ц—модуль сдвига вещества, а ихх — иуу = (а — b)/R. Поэтому
_2±(a-zbl
«упр ' •
е2.
а — Ь 9
40л[х
5. Найти связь между частотой и длиной волны, распространяющейся по заряженной плоской поверхности жидкого проводника (в поле тяжести). Получить условие устойчивости этой поверхности (Я- И. Френкель, 1935).
Решение. Пусть волна распространяется вдоль оси х, ось г направлена вертикально вверх. Вертикальное смещение точек поверхности жидкости £ = = aexp[i(kx—Kit)]. При неподвижной поверхности напряженность поля над ней Еz = Е = 4яа0, а его потенциал ф = —4яа0г, где а0 — поверхностная плотность зарядов. Потенциал поля над колеблющейся поверхностью пишем в виде
ф = —4ла0г + ф1, ф! = const.eHkx-at) e~kz,
где ф! — малая поправка, удовлетворяющая уравнению Аф! = 0 и обращающаяся в нуль при г -*оо. Вдоль самой поверхности проводника потенциал должен иметь постоянное значение, которое принимаем за нуль; отсюда
ф1 |г=0 = 4ла0£.
Согласно (5,1) па заряженную поверхность жидкости действует дополнительное отрицательное давление, равное, с точностью до членов первого порядка ПО ф!,
=2ло2+ 4яа2&£.
z= о
Постоянный член 2ла2 несуществен (его можно включить в постоянное внешнее давление).
Рассмотрение гидродинамического движения в волне вполне аналогично теории капиллярных волн (см. VI § 01), отличаясь лишь наличием указанного выше дополнительного давления. На поверхности жидкости получаем граничное условие
г , дФ
- а — 4no0kt, — 0,
где а—коэффициент поверхностного натяжения, р—плотность жидкости, а Ф — потенциал ее скорости; Ф и £ связаны друг с другом еще и соотношением
dg_ дФ dt~ дг
Подставив в эти два соотношения
t = aei-Фх-Ш), ф = Aei №x-a>t) е- kz
(Ф удовлетворяет уравнению дф = 0) и исключив а и А, получим искомую связь между J и ш:
«os = -^-(gp —4na2ft-faft2). (1)
Для того чтобы поверхность жидкости была устойчивой, частота ш должна бытп вещественной при всех значениях к (в противном случае будут существовать комплексные ш с положительной мнимой частью и множитель е-<м* будет неограниченно возрастать). Условие положительности правой стороны (1) гласит: (4яа2)2— 4gpa < 0, откуда
Оо < £ра/4я2.
Это и есть условие устойчивости.
6. Найти условие устойчивости заряженной сферической капли (Rau-leigh, 1882).
Решение. Сумма электростатической и поверхностной энергии капли
где a—коэффициент поверхностного натяжения жидкости, С—емкость капли, S — площадь ее поверхности. Неустойчивость возникает (при увеличении е) по отношению к вытягиванию шара в эллипсоид и определяется моментом, когда 41 становится убывающей функцией эксцентриситета (при заданном объеме капли). Шарообпазния форма всегда соответствует экстремуму 11; поэтому условие устойчивости гласит:
д(а — Ь)2
дЧ1
> 0,
а=Ь
где а, Ь — полуоси эллипсоида, а дифференцирование производится при аЪг = = const. Воспользовавшись известной формулой для поверхности эллипсоида-и формулой (4,18) для его емкости, получим после довольно длинного вычисления
ег < 1ола3а.
Это условие обеспечивает устойчивость капли относительно малых дефор маций. Оно оказывается более слабым, чем условие устойчивости относительно большой деформации—деления на две одинаковые части (капли с зарядами е/2 и радиусами а/21'3):
2,/з—1
е2 < 16яа3а —=0,35- 16яа3а.
2 —2 /'
