- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§ 36. Гиромагнитные явления
Равномерное вращение тела (не имеющего магнитной структуры) приводит к его намагничению, линейно зависящему от угловой скорости Q (эффект Барнетта). С феноменологической точки зрения, линейная связь между магнитным моментом тела Ж и вектором й возможна, поскольку оба они меняют знак при обращении времени. Поскольку же оба являются аксиальными векторами, то такая зависимость возможна и в изотропном теле (где она сводится к простой пропорциональности между Ж и Q).
Наряду с этим эффектом должен существовать и обратный: свободно подвешенное тело при намагничении начинает вращаться (эффект Эйнштейна — де Хааса). Между обоими эффектами имеется простая термодинамическая связь. Ее можно получить следующим образом.
Как известно (см. V § 26), термодинамическим потенциалом по отношению к угловой скорости (при заданных температуре и объеме тела) является свободная энергия <jf' тела во вращающейся вместе с ним системе координат. При этом момент импульса тела L равен
Гиромагнитные явления описываются введением в свободную энергию дополнительного выражения, представляющего собой первый член ее разложения по степеням il и намагниченности
§36]
ГИРОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ
187
М в каждой точке тела, содержащего одновременно как й, так и М. Этот член линеен по Q и по М, т. е. имеет вид
#■;.-=-$ hk^Mk dV = - ^ А (36,2)
где hik — постоянный тензор, в общем случае не симметричный.
Согласно (36,1) и (36,2) момент импульса, приобретаемый телом в результате намагничения, связан с его полным магнитным моментом соотношением
(^г. m)i = kike£k.
Обычно пользуются вместо Xik обратным тензором, определенным согласно
2тс . _t Sik — ~ Nih
(е и т— заряд и масса электрона); безразмерные величины gik называют гиромагнитными коэффициентами. Тогда
^1 = ш^к(^.Л- (36,3)
С другой стороны, выражение (36,2) показывает, что в отношении своего влияния на магнитные свойства вращение тела эквивалентно воздействию внешнего поля с напряженностью
<Qi = KkiQk или
■§,=2-?£^- (36,4)
Тем самым мы имеем принципиальную возможность вычислить вызываемое вращением намагничение. Так, если магнитная восприимчивость тела %;а мала, то приобретаемый им магнитный момент не зависит от его формы и равен
Формулы (36,3) и (36,4) отвечают соответственно эффектам Эйнштейна—де Хааса и Барнетта. Мы видим, что оба эффекта определяются одним и тем же тензором gik.
Глава V
ФЕРРОМАГНЕТИЗМ И АНТИФЕРРОМАГНЕТИЗМ
§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
Между электрическими и магнитными свойствами кристаллов существует глубокое отличие, связанное с разницей в поведении зарядов и токов по отношению к изменению знака времени.
Как известно, ввиду инвариантности уравнений движения по отношению к изменению знака времени, формальная замена t на —t, примененная к какому-либо термодинамически равновесному состоянию тела, должна приводить к состоянию, которое тоже является одним из возможных равновесных состояний. В связи с этим возникают две возможности: состояния, переходящие друг в друга при замене t на —t, либо совпадают, либо не совпадают.
Будем обозначать в этом параграфе посредством р(л:, у, z) и ](х, у, z) истинную (микроскопическую) плотность зарядов и плотность токов в каждой точке кристалла, усредненную только по времени (но не по «физически бесконечно малым» объемам, как это делается в макроскопической теории). Это—те функции, которые определяют собой соответственно электрическую и магнитную структуру кристалла.
Замена t на —t меняет знак j. Если в результате этого преобразования состояние тела не меняется, то это значит, что j = — j, т. е. j = 0. Таким образом, имеется причина, в силу которой могут существовать тела со строго равной нулю функцией )(х, у, z). Вместе с плотностью тока в таких телах строго обращаются в нуль средние (по времени) значения магнитного поля и магнитных моментов в каждой точке тела (разумеется, речь идет везде о состояниях тела в отсутствие внешнего магнитного поля). О таких телах можно сказать, что они не обладают никакой магнитной структурой. Фактически к этой категории относится огромное большинство тел.
Плотность же зарядов р при преобразовании t —* — t вообще не меняется. Поэтому нет никаких причин, в силу которых эта функция могла бы тождественно обратиться в нуль. Другими словами, не существует кристаллов, которые не обладали бы «электрической структурой». В этом заключается упомянутое выше существенное отличие между электрическими и магнитными свойствами кристаллов.
§37]
МАГНИТНАЯ СИММЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ
189
Обратимся к кристаллам, у которых замена t на —t меняет состояние и потому ]ф0. О таких телах мы будем говорить, как о телах с магнитной структурой.
Прежде всего отметим, что хотя j и не равно нулю, но никакого полного тока (в равновесном состоянии тела) не может
быть, т. е. интеграл j dV, взятый по объему элементарной ячейки, должен всегда обращаться в нуль1). В противном случае этот ток создавал бы макроскопическое магнитное поле и кристалл обладал бы магнитной энергией (на единицу объема), быстро возрастающей с увеличением размеров тела. Ввиду энергетической невыгодности такого состояния оно, очевидным образом, не может соответствовать термодинамическому равновесию. В то же время токи j могут создавать отличный от нуля
макроскопический магнитный момент, т. е. интеграл § [rj] dV (снова взятый по объему элементарной ячейки) может быть отличен от нуля. Соответственно этому, среди тел, в которых )ф0, можно различать два типа: тела с отличным от нуля макроскопическим магнитным моментом и тела, в которых такой момент отсутствует. Первые называются ферромагнитными, а вторые — антиферромагнитными.
1)
Подчеркнем, что речь идет об истинной
элементарной ячейке, учитывающей
магнитную структуру кристалла. Эта
«магнитная ячейка» может отличаться
от чисто кристаллографической,
учитывающей лишь симметрию распределения
зарядов в решетке (ср. ниже § 32).
Если симметрия распределения токов задана, то тем самым будет определена и кристаллографическая симметрия расположения частиц в данном кристалле, совпадающая с симметрией функции р(л;, у, z). Она будет определяться той пространственной группой, которая получится из группы симметрии j, если формально считать преобразование R тождественным (каковым оно и является в применении к функции р).
Знание полной группы симметрии функции j (х, у, z), однако, не нужно, если мы интересуемся лишь макроскопическими свойствами тела. Эти свойства зависят только от направления в кристалле, а трансляционная симметрия кристаллической решетки не имеет к ним отношения. С чисто структурной кристаллографической точки зрения «симметрия направлений» в кристалле дается, как известно, 32 кристаллическими классами. Это есть группы симметрии, составленные из одних только чистых поворотов и отражений; они получаются из пространственных групп, если в последних считать все трансляции тождественным преобразованием, а винтовые оси и плоскости скольжения рассматривать как простые оси и плоскости симметрии. С точки зрения же магнитных свойств макроскопическая симметрия должна классифицироваться по группам, составленным из поворотов, отражений и их комбинаций с элементом R. Эти группы можно назвать магнитными кристаллическими классами. Они находятся в таком же отношении к магнитным пространственным группам, как обычные кристаллические классы к обычным пространственным группам.
К их числу относятся, прежде всего, 32 обычных класса, дополненных элементом R, и те же 32 класса без элемента R. Первые являются, в частности, группами макроскопической симметрии всех тел, не обладающих магнитной структурой. Но этими же классами симметрии могут обладать и тела с магнитной структурой. Для этого надо, чтобы в магнитную пространственную группу симметрии этого тела сам элемент R входил не как таковой, а только в комбинации с трансляциями.
Кроме того, имеется 58 классов, в которые элемент R входит только в комбинации с поворотами или отражениями. Каждый из них, если заменить в нем операцию R тождественным преобразованием, превращается в один из обычных кристаллических классов.
Следует отметить, что возникновение магнитной структуры (ферро- или антиферромагнитной) всегда связано со сравнительно слабыми взаимодействиямих). Поэтому кристаллографическая
J) Обычно обменное взаимодействие между магнитными моментами атомов приводит к насыщению валентных связей и образованию немагнитных струк-
§ 37]
магнитная симметрия кристаллов
191
структура магнитного тела представляет собой небольшое искажение по сравнению со структурой немагнитной фазы, из которой магнитная фаза обычно возникает при понижении температуры. В этом отношении ферромагнетик, в частности, отличается от обычных пироэлектрических тел, но аналогичен сегнетоэлект-рикам.
Заданием магнитного кристаллического класса определяется характер всех макроскопических магнитных свойств тела. Наиболее важным из них является наличие или отсутствие макроскопического магнитного момента, т. е. спонтанной (без внешнего поля) намагниченности. Магнитный момент м есть векторная величина, которая при поворотах и отражениях ведет себя как аксиальный вектор (векторное произведение двух полярных векторов), а при применении операции R меняет знак. Кристалл будет обладать спонтанной намагниченностью, если в нем есть хотя бы одно такое направление, что лежащий в нем вектор м с указанными свойствами остается инвариантным при всех преобразованиях данного магнитного кристаллического класса.
Снова подчеркнем отличие от электрических (на этот раз — макроскопических) свойств. Характер последних полностью определяется обычным кристаллографическим классом. В частности, для того чтобы тело было пироэлектрическим, достаточно, чтобы его кристаллический класс допускал существование полярного вектора р (электрический момент). В то же время было бы совершенно неправильным делать заключения о существовании или отсутствии макроскопического магнитного момента на основании поведения аксиального вектора м по отношению к преобразованиям чисто структурного кристаллического класса данного тела, отвечающего симметрии функции р(х, у, г) (мы вернемся еще к этому вопросу в следующем параграфе, после фактического построения магнитных классов).
Вместо симметрии функции j (х, у, z) можно говорить о симметрии распределения микроскопической плотности магнитного момента М(х, у, z) = [rj(x, у, г)]. В свою очередь, последнюю обычно можно рассматривать как симметрию расположения и ориентации средних (по времени) значений магнитных моментов атомов (ионов) ц в кристаллической решетке. В теле без магнитной симметрии эти средние значения равны нулю. В ферромагнетике сумма атомных моментов в каждой элементарной ячейке отлична от нуля, а в антиферромагнетике—равна нулю.
О совокупности атомов в кристаллической решетке, обладающих одинаковыми значениями ц, говорят как о магнитной под-решетке. Очевидно, что антиферромагнетик содержит по крайней мере две подрешетки со взаимно антипараллельными и рав-
typ. К возникновению магнитной структуры приводит только относительно слабое обменное взаимодействие глубоко расположенных d- и /-электронов атомов элементов переходных групп системы Менделеева.
ными по величине значениями ц. Если направления моментов ц всех подрешеток параллельны или антипараллельны, антиферромагнетик называют коллинеарным; в противном случае говорят о неколлинеарном антиферромагнетике.
Ферромагнетик тоже может содержать несколько подрешеток. В узком смысле под ферромагнетиками понимают тела, у которых все средние атомные магнитные моменты параллельны. Если же кристалл содержит две или более подрешеток с несовпадающими по направлению (или величине) атомными моментами, его называют ферримагнетиком; в отличие от антиферромагнетиков, векторная сумма М магнитных моментов подрешеток в этих телах отлична от нуля. Ферромагнетик может быть как коллинеарным (если магнитные моменты всех подрешеток в нем параллельны или антипараллельны), так и неколлинеарным.
