- •Глава I
- •§ 1. Электростатическое поле проводников
- •§ 2. Энергия электростатического поля проводников
- •§ 3. Методы решения электростатических задач
- •2 Л. Д. Ландау, е. М. Лифшиц
- •§ 4. Проводящий эллипсоид
- •§ 5. Силы, действующие на проводник
- •Глава II
- •§ 6. Электростатическое поле в диэлектриках
- •§ 7. Диэлектрическая проницаемость
- •§ 8. Диэлектрический эллипсоид
- •§ 9. Диэлектрическая проницаемость смеси
- •§ 10. Термодинамические соотношения для диэлектриков в электрическом поле
- •§ 11. Полная свободная энергия диэлектрического тела
- •§12. Электрострикция изотропных диэлектриков
- •§ 13. Диэлектрические свойства кристаллов
- •§ 14. Положительность диэлектрической восприимчивости
- •§ 15. Электрические силы в жидком диэлектрике
- •§ 16. Электрические силы в твердых телах
- •§17. Пьезоэлектрики
- •§ 18. Термодинамические неравенства
- •§ 19. Сегнетоэлектрики
- •§ 20. Несобственные сегнетоэлектрики
- •Глава III
- •§ 21. Плотность тока и проводимость
- •§ 22. Эффект Холла
- •§ 23. Контактная разность потенциалов
- •§ 24. Гальванический элемент
- •§ 25. Электрокапиллярность
- •§ 26. Термоэлектрические явления
- •§ 27. Термогальваномагнитные явления
- •§ 28. Диффузионно-электрические явления
- •Глава IV
- •§ 29. Постоянное магнитное поле
- •§ 30. Магнитное поле постоянных токов
- •§ 31. Термодинамические соотношения в магнитном поле
- •§ 32. Полная свободная энергия магнетика
- •§ 33. Энергия системы токов
- •§ 34. Самоиндукция линейных проводников
- •§ 35. Силы в магнитном поле
- •§ 36. Гиромагнитные явления
- •Глава V
- •§ 37. Магнитная симметрия кристаллов
- •§ 38. Магнитные классы и пространственные группы
- •§ 39. Ферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 40. Энергия магнитной анизотропии
- •§ 41. Кривая намагничения ферромагнетиков
- •§ 42. Магнитострикция ферромагнетиков
- •§ 43. Поверхностное натяжение доменной стенки
- •§ 44. Доменная структура ферромагнетиков
- •§ 45. Однодоменные частицы
- •§ 46. Ориентационные переходы
- •§ 47. Флуктуации в ферромагнетике
- •§ 48. Антиферромагнетик вблизи точки Кюри
- •§ 49. Бикритическая точка антиферромагнетика
- •§ 50. Слабый ферромагнетизм
- •§ 51. Пьезомагнетизм и магнитоэлектрический эффект
- •§ 52. Геликоидальная магнитная структура
- •Глава VI
- •§ 53. Магнитные свойства сверхпроводников
- •§ 54. Сверхпроводящий ток
- •§ 55. Критическое поле
- •2) Мы приводим здесь вычисления с большей точностью, чем это обычно требуется, имея в виду выявить более ясно взаимоотношение между различными термодинамическими величинами.
- •§ 56. Промежуточное состояние
- •§ 57. Структура промежуточного состояния
- •Глава VII
- •§ 58. Уравнения квазистационарного поля
- •§ 59. Глубина проникновения магнитного поля в проводник
- •VaRe{a6*}.
- •§ 60. Скин-эффект
- •§ 61. Комплексное сопротивление
- •§ 62. Емкость в цепи квазистационарного тока
- •§ 63. Движение проводника в магнитном поле
- •0 Из этой формулы видно, что дополнительное тепло, выделяющееся (в течение времени 60 в проводнике при его движении в магнитном поле, есть
- •§ 64. Возбуждение тока ускорением
- •Глава VIII
- •§ 65. Уравнения движения жидкости в магнитном поле
- •§65] Уравнения движения жидкости в магнитном поле 315
- •§66] Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике 317
- •§ 66. Диссипативные процессы в магнитной гидродинамике
- •§ 67. Магнитогидродинамическое течение между параллельными плоскостями
- •§ 68. Равновесные конфигурации
- •§ 69. Магнитогидродинамические волны
- •VX&0, Vytt—hjV4пр ,
- •§ 70. Условия на разрывах
- •§ 71. Тангенциальные и вращательные разрывы
- •§ 72. Ударные волны
- •§ 73. Условие эволюционности ударных волн
- •§ 74. Турбулентное динамо
- •Глава IX
- •§ 75. Уравнения поля в диэлектриках в отсутствие дисперсии
- •§ 76. Электродинамика движущихся диэлектриков
- •§ 77. Дисперсия диэлектрической проницаемости
- •§ 78. Диэлектрическая проницаемость при очень больших частотах
- •§ 79. Дисперсия магнитной проницаемости
- •§ 80. Энергия поля в диспергирующих средах
- •§ 81. Тензор напряжений в диспергирующих средах
- •§ 82. Аналитические свойства функции е(со)
- •§ 83. Плоская монохроматическая волна
- •§ 84. Прозрачные среды
- •Глава X
- •§ 85. Геометрическая оптика
- •§ 86. Отражение и преломление волн
- •§ 87. Поверхностный импеданс металлов
- •§ 88. Распространение волн в неоднородной среде
- •§ 89. Принцип взаимности
- •§ 90. Электромагнитные колебания в полых резонаторах
- •§ 91. Распространение электромагнитных волн в волноводах
- •§ 92. Рассеяние электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 93. Поглощение электромагнитных волн на малых частицах
- •§ 94. Дифракция на клине
- •§ 95. Дифракция на плоском экране
- •Глава XI
- •§ 96. Диэлектрическая проницаемость кристаллов
- •§ 97. Плоская волна в анизотропной среде
- •§ 98. Оптические свойства одноосных кристаллов
- •§ 99. Двухосные кристаллы
- •§ 100. Двойное преломление в электрическом поле
- •§ 101. Магнитооптические эффекты
- •§ 102. Динамооптические явления
- •Pfffi р 1
- •Глава XII
- •§ 103. Пространственная дисперсия
- •§ 104. Естественная оптическая активность
- •§ 105. Пространственная дисперсия в оптически неактивных средах
- •§ 106. Пространственная дисперсия вблизи линии поглощения
- •Глава XIII
- •§ 107. Преобразование частот в нелинейных средах
- •§ 108. Нелинейная проницаемость
- •§ 109. Самофокусировка
- •§111. Сильные электромагнитные волны
- •§112. Вынужденное комбинационное рассеяние
- •Глава XIV
- •§ 113. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Нерелятивистский случай
- •§ 114. Ионизационные потери быстрых частиц в веществе. Релятивистский случай
- •§ 115. Излучение Черенкова
- •§ 116. Переходное излучение
- •Глава XV
- •§ 117. Общая теория рассеяния в изотропных средах
- •§ 118. Принцип детального равновесия при рассеянии
- •§ 119. Рассеяние с малым изменением частоты
- •§ 120. Рэлеевское рассеяние в газах и жидкостях
- •§ 121. Критическая опалесценция
- •§ 122. Рассеяние в жидких кристаллах
- •§ 123. Рассеяние в аморфных твердых телах
- •§123] Рассеяние в аморфных твердых телах 595
- •§ 124. Общая теория дифракции рентгеновых лучей
- •§ 125. Интегральная интенсивность
- •§ 126] Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 126. Диффузное тепловое рассеяние рентгеновых лучей
- •§ 127. Температурная зависимость сечения дифракции
§ 95. Дифракция на плоском экране
Точная формула (94,2) для дифракции на клине может быть приведена к сравнительно простому виду в частном случае дифракции на полуплоскости (чему соответствует у = 2л). Именно, комплексный интеграл в (94,2) может быть сведен к интегралу Френеля:
v{r, г|з) = -4= е-' <А'«к*+я/4) fe'Vdri, (95,1)
Vя J
— со
w = y 2kr cos
Эта формула справедлива при любых значениях г и г|з. При /гг^>1 и углах |ф—л\^> \/Vkr пригодно асимптотическое выражение
v (г, -ф)= —е«(Аг+я/4)— (95 2)
(формула (94,4) с у = 2л).
С помощью формулы (95,2) может быть получено в замкнутом виде решение задачи о дифракции на плоском идеально проводящем экране любой формы. При этом предполагается лишь, что размеры экранов и расстояния до них велики по сравнению с длиной волны, а углы дифракции не слишком малы (причем эта область перекрывается с областью малых углов, в которой применимы обычные формулы дифракции Френеля). Результат выражается в виде интеграла по контуру края экрана, аналогично тому, как в обычной приближенной теории дифракционное поле выражается в виде интеграла по поверхности, закрывающей отверстие в экране. Мы не станем останавливаться здесь на этих вычислениях.
В точной теории дифракции на плоских идеально проводящих экранах можно высказать теорему (принадлежащую Л. И. Мандельштаму и М. А. Леонтовшу), в известном смысле аналогичную теореме Бабинэ в приближенной теории дифракции.
Рассмотрим плоский экран с отверстием произвольной формы; выберем плоскость экрана в качестве плоскости г = 0, и пусть электромагнитная волна падает со стороны г < 0. Пусть Е0, Н0 — суммарное поле падающей волны и волны, отраженной от экрана (так, как если бы отверстие отсутствовало); будем представлять его продолженным по другую сторону от экрана (г > 0). Поскольку Яг = 0, Е/ = 0 при г = 0 (в силу граничных условий на идеально проводящей поверхности), то значения Е0, Н„ при г > 0 и г < 0 будут связаны соотношениями Eoz(x, у, z) = Eoz(x, у, —z), Eot(x, у, z) = — Eot(x, у, — г),
(95,3)
Haz(x, у, г)=— Hoz(x, у, — г), ¥lot(x, у, z) = Hot (х, у, —г).
Пусть, далее, Е', Н' —поле, которое получилось бы при помещении в поле Е0, Н0 плоской пластинки, по форме, величине и положению совпадающей с отверстием в экране и обладающей магнитной проницаемостью ц,= со. Тогда решение дифракционной задачи на отверстие в экране дается выражениями
Е = У2(Е0 + Е'), H = V2(H0 + H') приг<0,
(95,4)
Е = У2(Е0-Е'), Н = 72(Н0-Н') приг>0.
Для доказательства этого утверждения замечаем, что поле Е\ Н' обладает той же симметрией (выражаемой формулами (95,3)), что и поле Е0, Н0. Поэтому на плоскости г = 0 оно удовлетворяет условиям
E't = 0, #2 = 0 вне отверстия,
E'tl = — E't2, Н'л —- — #г2 на отверстии
(индексы 1 и 2 соответствуют г—>-±0). Кроме того, оно удовлетворяет условиям
E'z—0, Н/ = 0 на отверстии,
так как граничные условия на поверхности тела с р, = со обратны (в смысле замены Е, Н на Н, Е) условиям на идеально проводящей (е = со) поверхности. Отсюда ясно, что поле (95,4) удовлетворяет необходимым условиям Et = 0, #z = 0 на поверхности экрана (г —>- — 0) вне отверстия и непрерывно на отверстии. Наконец, поскольку поле Е', Н' стремится на бесконечности к Е0, Н0, то поле (95,4) стремится к Е0, Н0 при г—^ — со и к нулю при г—> + оо. Тем самым оно удовлетворяет всем условиям поставленной дифракционной задачи, и теорема доказана.
Таким образом, задача о дифракции на отверстии в экране с е = со эквивалентна задаче о дифракции на дополнительном экране с р, = со.
Задачи
1. Плоская монохроматическая волна падает нормально на прорезанную в идеально проводящем плоском экране щель ширины 2а, большой по сравнению с длиной волны. Определить распределение интенсивности света за щелью на больших расстояниях от нее для больших углов дифракции.
Решение. При а ^> X дифракционное поле за щелью можно рассматривать как наложение полей, происходящих от независимой дифракции на каждом из двух краев щели и определяющихся с помощью асимптотической фор
мулы (95,2) х). Когда расстояния АР = гх и ВР = г2 от краев щели до точки наблюдения (рис. 50) велики по сравнению с а, в множителях eikri и е'*г» пишем:
*\= г—a sin х, r2 = r-\-as\n%;
во всех же других местах полагаем rx хг2хг, а все углы между АР, ОР, BP и осью 2 — равными одному и тому же углу дифракции %. В результате получаем
ei(kr+n/i) [sin(ka s',n %) . cos(£asinx)
V
2nkr
cos (x/2)
Отсюда интенсивность света, дифрагировавшего в интервал углов d% (отнесенная к полной интенсивности падающего на щель света):
2ak cos
_1_ /rs:n(afesinx) "I2 ["cos (ak sin %) I2) inak\l Sirt(x/2) J cos (x/2) J J X
_ak f ["sin (ak sin x) 12 ,
~~ я \ L ak sin x J C S ^
При малых x это выражение переходит в формулу для дифракции Фраунго-фера на щели:
1 sin2 (akY) ,
dl--
2. Плоская волна падает на идеально проводящую плоскость с круглым отверстием радиуса а, малого по сравнению с длиной волны. Определить интенсивность дифрагированного света, прошедшего через отверстие (Rayleigh, 1897).
Решение. Согласно изложенному в тексте, данная задача приводится к задаче о дифракции на круглой пластинке с [х=оо, а поскольку а <^г X, то мы имеем дело с рассеянием на малой частице. Согласно § 92, для решения задачи о таком рассеянии надо определить статические электрическую и магнитную поляризуемости диска. Поле Е0 перпендикулярно к плоскости диска, а граничное условие Е'2=0 формально совпадает с условием, которое имело бы место в электростатике на поверхности тела с е=0. Поле же Н0 параллельно диску, а граничное условие
Н;' = 0 соответствует магнитостатической задаче с [х=оо. Поэтому электрический и магнитный моменты'диска (см. задачу 4 § 4 и задачу к § 54):
5>=
2а3 " Зя
4а3
При переходе к задаче о дифракции на отверстии эти выражения надо умно жить, в соответствии с формулами (95,4), на 1/3 и затем подставить в формулу рассеяния (92,1).
') Это предположение становится, однако, несправедливым зри углах дифракции, достаточно близких к я/2 (при я/2 — Х^^/Ука).
Таким образом, интенсивность дифрагированного излучения в телесном угле doх)
' 4я 9я2с4 1
с со4а6 = 4л~9я2с4
с ш4а°
d/=7T 5^274 {[пЕ0] -2 [n[H0n]]}= do=
{[nE0]2 + 4[nH0]2 + 4n[H0E0]}do.
Полная интенсивность дифракции получается интегрированием по полусфере и равна
ш4а6
7 = 27яЬ(£о + 4//2).
Сечение дифракции определим как отношение интенсивности дифрагированного излучения к плотности потока энергии в падающей волне (с£2/4я; буквы без индекса относятся к полю падающей волны). Различаем два случая поляризации падающей волны:
а) вектор Е в падающей волне перпендикулярен к плоскости падения (плоскости xz), т. е. параллелен плоскости экрана (плоскость ху). Сумма полей падающей п отраженной волн у поверхности экрана
£0 = 0, //O.c = 2//cosa=2£'cosa (a—угол падения). Отсюда
da=^2~r cos2 a (1 — sin2 ^ cos2 ф) ^о.
Здесь т>— угол между направлением дифракции п и нормалью к экрану (ось г), а ф — азимут вектора п по отношению к плоскости падения. Полное сечение
64а6ш4 „ a—-zr=—г cos •'а. 27яс4
Е0 = Еог = — 2£sina, Н0 = Ноу = 2Н = 2£V
б) Вектор Е в плоскости падения. Тогда Е0 — Еог =
Дифференциальное сечение.
do=-^^- j cos2 т) 4-sin2 т) ^соз2ф+-^- sin2aj —sin r>sin асозф| do..
a=i^l1+Tsin2a)-
64а6ш4
Для естественного света имеем
64а6со4 °~ 27яс4
3 . „ \ . —-g- sin-a j.
х)
Множители e~iat
предполагаем
опущенными, так что Е и Н вещественны.
