Глава 6. Полупроводниковые приборы

ратный ток закрытого коллекторного перехода и практически полно-

стью определяет ток коллектора /к транзистора.

Из анализа рис. 2 следует: уравнение для токов транзистора:

'ъ='к+'б-

(1)

В этом уравнении ток базы много меньше тока эмиттера и тока

коллектора, а ток коллектора практически равен току эмиттера тран-

зистора.

Соотношения между токами в транзисторе характеризуются двумя

параметрами: коэффициентом передачи тока эмиттера а = / к / 4, и

коэффициентом передачи тока базы p = z K /j' 6 . Используя (1), полу-

чим формулу взаимосвязи коэффициентов передачи:

Значения этих коэффициентов зависят от конструкции транзисто-

стором, равна: Рвх = E3i3 = 0,5-5-10~ 3 =2,5 мВт. Пусть сопротивление

полезной нагрузки в коллекторной цепи транзистора (рис. 2) равно

RK = 1 кОм. По нагрузочному резистору протекает коллекторный ток,

примерно равный эмиттерному току транзистора: /к « »'э . Выходная

мощность, выделяющаяся на нагрузке равна Рн *»'^к =25 мВт. Сле-

довательно, в схеме рис. 2 обеспечивается десятикратное усиление по

мощности. Заметим, что для обеспечения такого усиления требуется,

чтобы на коллекторный переход было подано большое запирающее

напряжение £к > С/к , где UK = /КЛК — падение напряжения на нагру-

зочном сопротивлении в цепи коллектора. Увеличенная энергия

выходного сигнала обеспечивается источником питания в

коллекторной цепи схемы.

Кратко опишем другие режимы работы транзистора. В режиме на-

сыщения возникает прямой ток коллекторного перехода. Его направ-

ление противоположно направлению диффузионного тока дырок. Ре-

зультирующий ток коллектора резко уменьшается и резко ухудшают-

ся усилительные свойства транзистора. Редко используется транзи-

стор в инверсном режиме, так как инжекционные свойства коллектора

много хуже инжекционных свойств эмиттера. В режиме отсечки все

токи через транзистор практически равны нулю — оба перехода тран-

зистора закрыты и усилительные свойства транзистора не проявляют-

ся.

j £

Ибэ

Т

Рис. 3

Кроме рассмотренной выше схемы ОБ используются две другие

схемы. При соединении с корпусом эмиттера транзистора получим

схему с общим эмиттером (ОЭ) (рис. 3). Схема ОЭ наиболее часто

встречается на практике. При соединении с корпусом коллектора

транзистора получим схему с общим коллектором (ОК). В этих схемах

управляющее напряжение подается на базовый вывод транзистора.

Зависимости токов через выводы транзистора от приложенных к

транзистору напряжений называют вольт-амперными характеристи-

ками (ВАХ) транзистора.

Для схемы с общим эмиттером (рис. 3) ВАХ транзистора приведе-

ны на рис. 4, 5. Аналогичные графики можно получить для схемы с

общей базой. Кривые рис. 4 называются входными характеристиками

<6Л

Икэ=0

Мбэ

Рис. 4

транзистора, так как они показывают зависимость входного тока от

управляющего входного напряжения, подаваемого между базой и

эмиттером транзистора. Входные характеристики транзистора близки