пускает
ток от истока к стоку и называется
индуцированным каналом
(на
рис. 5. канал ограничен пунктиром и
показан серым цветом).
Обозначения
МДП-транзисторов с индуцированными
каналамиГлава 6. Полупроводниковые приборы
и- и /хгипов приведены на рис. 6, а, б соответственно. Выходные
вольт-амперные характеристики МДП-транзистора аналогичны ВАХ
полевого транзистора с управляющим р-и-переходом. Выходные ха-
рактеристики МДП-транзистора также имеют область насыщения,
3-
а)
И
3
И
б)
Рис. 6
возникновение которой объясняется сужением канала вблизи стока.
Сужение канала обусловлено неравномерным распределением напря-
женности электрического поля между затвором и каналом при увели-
чении напряжения на стоке.
Кроме полевых транзисторов с индуцированным каналом широко
используются МДП-транзисторы с встроенным каналом. Условные
обозначения МДП-транзисторов с встроенными каналами п- и/?-типов
приведены на рис. 7, а, б соответственно. Встроенный канал изготав-
И
а)
б)
И
Рис. 7
ливается при производстве транзисторов в виде тонкого слоя полу-
проводника и- илир-типа, размещаемого под затвором. Тип проводи-
мости областей стока, истока и канала должен быть одинаков.
Конструкция МДП-транзистора с встроенным и-каналом аналогична
конструкции рассмотренного выше полевого транзистора, показанно-
го на рис. 5, при условии, что ограниченный пунктиром и-канал соз-
дан при изготовлении транзистора.
Встроенный канал пропускает ток при нулевом напряжении на за-
творе. При небольших напряжениях на затворе канал может работать
Контрольные
вопросы и задачи
и
в режиме обеднения, и в режиме обогащения.
Ток стока управляется
как
положительным, так и отрицательным
напряжениями. Эквива-
лентная
схема МДП-транзистора аналогична схеме
замещения тран-
зистора
с р-«-переходом (рис. 4). У МДП-транзисторов,
как правило,
несколько
больше крутизна, а также более чем на
порядок больше
значение
сопротивления между затвором и истоком
по сравнению с
полевыми
транзисторами с управляющим /?-и-переходом.
При
изготовлении интегральных схем и
микропроцессоров часто
на одном чипе изготавливаются и используются полевые транзисторы
как с р-, так и с и-каналами. В этом случае эти транзисторы и схемы
называются комплементарными, дополняющими друг друга.
Отметим, что затраты на управление полевым транзистором во
много раз меньше затрат на управление биполярным транзистором.
По этой причине полевые транзисторы широко используются при из-
готовлении интегральных схем и микропроцессоров. Интегральные
схемы и микропроцессоры с использованием полевых транзисторов
имеют малую потребляемую мощность, в их состав можно включать
увеличенное число транзисторов.
Контрольные вопросы и задачи
1. Учитывая одностороннюю проводимость диода, нарисуйте график тока че-
рез диод при подаче на него гармонического напряжения с амплитудой 1 В.
2. В источниках питания ЭВМ для стабилизации напряжения используются
стабилитроны. Как работает схема стабилизации напряжения, приведенная
на рис. 6.115? Как изменится напряжение стабилизации, если последова-
тельно соединить два стабилитрона? Почему не рекомендуется параллель-
ное соединение двух стабилитронов?
3. Рассчитайте статическое и динамическое сопротивление туннельного диода
при выборе рабочей точки в середине падающего участка ВАХ (рис. 6.1.7).
Ток в этой рабочей точке равен 2 мА, а напряжение — О, 3 В.
4. Как влияет толщина базы биполярного транзистора на его усилительные
свойства? Почему два последовательно соединенных диода, имея похожую
с транзистором структуру, не позволяют получить усиление мощности?
5. Нарисуйте схему ОБ с инверсным включением биполярного транзистора.
Поясните процессы, происходящие в этой схеме.
6. Объясните отличие процессов управления током стока в полевых транзи-
сторах с/7-и-переходом и в транзисторах с изолированным затвором.
